Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Tese de Doutorado
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Correlação eletrônica em semicondutores III-V dopados com metais de transiçãoMakiuchi, NiloBiblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 1990-03-28Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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2 |
Material Type: Tese de Doutorado
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Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutoresJanotti, AndersonBiblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 1999-12-20Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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3 |
Material Type: Tese de Doutorado
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A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutoresGustavo Martini Dalpian Adalberto Fazzio2003Localização: IF - Instituto de Física (537.622 D149n D Ex.2 )(Acessar) |
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4 |
Material Type: Tese de Doutorado
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Impurezas 4d, 5d e 4f em semicondutores iii-vTania Cristina Arantes Macedo de Azevedo Adalberto Fazzio1989Localização: IF - Instituto de Física (TIFUSP A994i D Ex.3 )(Acessar) |
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5 |
Material Type: Dissertação de Mestrado
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Propriedades opticas dos semicondutores semimagneticos (sob pressão hidrostatica)Mauro Roberto Sardela Junior Fazzio, Adalberto1987Localização: IF - Instituto de Física (537.622 S244p M Ex.2 )(Acessar) |
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6 |
Material Type: Tese (Outras)
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Excitações e ionizações de metais de transição em semicondutoresAdalberto Fazzio1985Localização: IF - Instituto de Física (537.622 F287e LD Ex.2 )(Acessar) |
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7 |
Material Type: Dissertação de Mestrado
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Semicondutores amorfos do grupo IV via simulação de Monte CarloJonatan João da Silva Adalberto Fazzio1997Localização: IF - Instituto de Física (537.622 S586s M Ex.2 )(Acessar) |
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8 |
Material Type: Tese de Doutorado
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Propriedades eletrônicas e estruturais de elementos do grupo v em semicondutores amorfosPedro Paulo de Mello Venezuela Adalberto Fazzio1996Localização: IF - Instituto de Física (537.622 V458p D Ex.2 )(Acessar) |
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9 |
Material Type: Dissertação de Mestrado
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Cálculo de efeitos de muitos eletrons para estados excitados de defeitos 'SP POT.3' em semicondutoresTome Mauro Schmidt Adalberto Fazzio1990Localização: IF - Instituto de Física (537.622 S345c M Ex.2 )(Acessar) |
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10 |
Material Type: Artigo de Congresso
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Propriedades opticas dos semicondutores semimagneticosM R Sardela Junior A Fazzio; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (10. 1987 Caxambu)Programa e Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1987Sao Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1987Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar) |