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1
GaN and related materials
Material Type:
Livro
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GaN and related materials

S. J Pearton

Amsterdam Gordon and Breach c1997

Localização: IF - Instituto de Física    (537.622 P362g )(Acessar)

2
Material Type:
Artigo
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Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach

J P T Santos M Marques; R R Pelá; L. K Teles (Lara Kühl); Luiz Guimarães Ferreira

Applied Physics Letters Woodbury, v.101, n.11, p. 112403, set.2012

Woodbury 2012

Acesso online

3
Low-dimensional nitride semiconductors
Material Type:
Livro
Adicionar ao Meu Espaço

Low-dimensional nitride semiconductors

B Gil (Bernard)

Oxford Oxford University Press 2002

Localização: IF - Instituto de Física    (621.38152 G463l )(Acessar)

4
Material Type:
Artigo
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GaMnAs position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations

R R Pela M Marques; Luiz Guimarães Ferreira; Jurgen Furthmüller; L. K Teles (Lara Kühl)

Applied Physics Letters New York v. 100, n. 20, p. 202408/1-202408/4, 2012

New York 2012

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

5
Material Type:
Artigo de Congresso
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Characterization of an extrapolation chamber for low-energy X-rays: Experimental and Monte Carlo preliminary results

Lucio Pereira Neves Eric Alexandre Brito da Silva; Ana P Perini; Nora Lia Maidana; Linda Viola Ehlin Caldas; International Topical Meeting on Industrial Radiation and Radioisotope Measurement Applications (IRRMA-8) Kansas City, MO) 2011 (8th

Applied Radiation and Isotopes Oxford v. 70, n. 7, p. 1388-1391, 2012

Oxford Pergamon-Elsevier 2012

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

6
Group III nitride semiconductor compounds physics and applications
Material Type:
Livro
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Group III nitride semiconductor compounds physics and applications

B Gil (Bernard)

Oxford Clarendon Press New York Oxford University Press 1998

Localização: IF - Instituto de Física    (537.622 G463g )(Acessar)

7
Growth of β-Ga2O3 crystal with a diameter of 30 mm by laser-diode-heated floating zone (LDFZ) method
Material Type:
Artigo
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Growth of β-Ga2O3 crystal with a diameter of 30 mm by laser-diode-heated floating zone (LDFZ) method

Ito, T. ; Tomioka, Y. ; Rackerseder, F. ; Traub, M. ; Hoffmann, D.

Journal of crystal growth, 2024-05, Vol.634, Article 127673 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

8
Growth of β-Ga2O3 single crystals using vertical Bridgman method in ambient air
Material Type:
Artigo
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Growth of β-Ga2O3 single crystals using vertical Bridgman method in ambient air

Hoshikawa, K. ; Ohba, E. ; Kobayashi, T. ; Yanagisawa, J. ; Miyagawa, C. ; Nakamura, Y.

Journal of crystal growth, 2016-08, Vol.447, p.36-41 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

9
Epitaxial growth of GaN/Ga2O3 and Ga2O3/GaN heterostructures for novel high electron mobility transistors
Material Type:
Artigo
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Epitaxial growth of GaN/Ga2O3 and Ga2O3/GaN heterostructures for novel high electron mobility transistors

Leone, Stefano ; Fornari, Roberto ; Bosi, Matteo ; Montedoro, Vincenzo ; Kirste, Lutz ; Doering, Philipp ; Benkhelifa, Fouad ; Prescher, Mario ; Manz, Christian ; Polyakov, Vladimir ; Ambacher, Oliver

Journal of crystal growth, 2020-03, Vol.534, p.125511, Article 125511 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

10
Photodarkening and dopant segregation in Cu-doped β-Ga2O3 Czochralski single crystals
Material Type:
Artigo
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Photodarkening and dopant segregation in Cu-doped β-Ga2O3 Czochralski single crystals

Jesenovec, Jani ; Remple, Cassandra ; Huso, Jesse ; Dutton, Benjamin ; Toews, Parker ; McCluskey, Matthew D. ; McCloy, John S.

Journal of crystal growth, 2022-01, Vol.578, p.126419, Article 126419 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

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  2. 1963Até1977  (2.437)
  3. 1978Até1992  (7.888)
  4. 1993Até2008  (5.222)
  5. Após 2008  (7.572)
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