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1	Material Type: Artigo		Nanoindentation and near-field spectroscopy of single semiconductor quantum dots Mintairov, A. M. ; Sun, K. ; Merz, J. L. ; Li, C. ; Vlasov, A. S. ; Vinokurov, D. A. ; Kovalenkov, O. V. ; Tokranov, V. ; Oktyabrsky, S. Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2004-04, Vol.69 (15), Article 155306 [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
2	Material Type: Artigo		Raman investigation of low temperature AlGaAs/GaAs(1 0 0) heterostructures Seredin, P.V. ; Glotov, A.V. ; Domashevskaya, E.P. ; Arsentyev, I.N. ; Vinokurov, D.A. ; Tarasov, I.S. Physica. B, Condensed matter, 2010-06, Vol.405 (12), p.2694-2696 [Periódico revisado por pares] Elsevier B.V Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
3	Material Type: Artigo		CL and dark field TEM analysis of composition change at interfaces in InGaP/GaAs junctions grown by MOCVD Frigeri, C. ; Shakhmin, A. A. ; Vinokurov, D. A. ; Zamoryanskaya, M. V. Physica status solidi. C, 2011-04, Vol.8 (4), p.1269-1272 [Periódico revisado por pares] Berlin: WILEY-VCH Verlag Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
4	Material Type: Artigo		Study of Semiconductor Multilayer Structures by Cathodoluminescence and Electron Probe Microanalysis Zamoryanskaya, M.V. ; Kuznetsova, Ya.V. ; Popova, T.B. ; Shakhmin, A.A. ; Vinokurov, D.A. ; Trofimov, A.N. Journal of electronic materials, 2010-06, Vol.39 (6), p.620-624 [Periódico revisado por pares] Boston: Springer US Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
5	Material Type: Artigo		Ultralow internal optical loss in separate-confinement quantum-well laser heterostructures Slipchenko, S. O. ; Vinokurov, D. A. ; Pikhtin, N. A. ; Sokolova, Z. N. ; Stankevich, A. L. ; Tarasov, I. S. ; Alferov, Zh. I. Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2004-01, Vol.38 (12), p.1430-1439 [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
6	Material Type: Artigo		High-power laser diodes based on asymmetric separate-confinement heterostructures Vinokurov, D. A. ; Zorina, S. A. ; Kapitonov, V. A. ; Murashova, A. V. ; Nikolaev, D. N. ; Stankevich, A. L. ; Khomylev, M. A. ; Shamakhov, V. V. ; Leshko, A. Yu ; Lyutetskii, A. V. ; Nalyot, T. A. ; Pikhtin, N. A. ; Slipchenko, S. O. ; Sokolova, Z. N. ; Fetisova, N. V. ; Tarasov, I. S. Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2005-03, Vol.39 (3), p.370-373 [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
7	Material Type: Artigo		Infrared reflection spectra of multilayer epitaxial heterostructures with embedded InAs and GaAs layers Seredin, P. V. ; Domashevskaya, É. P. ; Lukin, A. N. ; Arsent’ev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Tarasov, I. S. Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2008-09, Vol.42 (9), Article 1055 [Periódico revisado por pares] Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
8	Material Type: Artigo		Optical and structural properties of ingaasp miscibility-gap solid solutions grown by MOVPE on GaAs(001) substrates Vavilova, L. S. ; Vinokurov, D. A. ; Kapitonov, V. A. ; Murashova, A. V. ; Nevedomskii, V. N. ; Poletaev, N. K. ; Sitnikova, A. A. ; Tarasov, I. S. ; Shamakhov, V. V. Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-09, Vol.37 (9), p.1080-1084 [Periódico revisado por pares] New York: Springer Nature B.V Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
9	Material Type: Artigo		Structural features and surface morphology of AlxGayIn1−x−yAszP1−z/GaAs(100) heterostructures Seredin, P.V. ; Glotov, A.V. ; Domashevskaya, E.P. ; Arsentyev, I.N. ; Vinokurov, D.A. ; Tarasov, I.S. Applied surface science, 2013-02, Vol.267, p.181-184 [Periódico revisado por pares] Elsevier B.V Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
10	Material Type: Artigo		Photoemission of spinpolarized electrons from strained GaAsP DRESCHER, P ; ANDRESEN, H. G ; HARTMANN, P ; HOFFMANN, J ; JENNEWEIN, P ; KAISER, K. H ; KÖBIS, S ; KOVALENKOV, O. V ; KREIDEL, H. J ; LANGBEIN, J ; MAMAEV, Y. A ; NACHTIGALL, C ; AULENBACHER, K ; PETRI, M ; PLÜTZER, S ; REICHERT, E ; SCHEMIES, M ; SCHÖPE, H.-J ; STEFFENS, K.-H ; STEIGERWALD, M ; SUBASHIEV, A. V ; TRAUTNER, H ; VINOKUROV, D. A ; BERMUTH, J ; YASHIN, Y. P ; YAVICH, B. S ; DOMBO, T ; FISCHER, H ; EUTENEUER, H ; FALEEV, N. N ; GALAKTIONOV, M. S ; HARRACH, D. V Applied physics. A, Materials science & processing, 1996-08, Vol.63 (2), p.203-206 [Periódico revisado por pares] Berlin: Springer Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por

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