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Ultralow internal optical loss in separate-confinement quantum-well laser heterostructures
Ultralow internal optical loss in separate-confinement quantum-well laser heterostructures
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Ultralow internal optical loss in separate-confinement quantum-well laser heterostructures

Slipchenko, S. O. ; Vinokurov, D. A. ; Pikhtin, N. A. ; Sokolova, Z. N. ; Stankevich, A. L. ; Tarasov, I. S. ; Alferov, Zh. I.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2004-01, Vol.38 (12), p.1430-1439 [Periódico revisado por pares]

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High-power laser diodes based on asymmetric separate-confinement heterostructures
High-power laser diodes based on asymmetric separate-confinement heterostructures
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High-power laser diodes based on asymmetric separate-confinement heterostructures

Vinokurov, D. A. ; Zorina, S. A. ; Kapitonov, V. A. ; Murashova, A. V. ; Nikolaev, D. N. ; Stankevich, A. L. ; Khomylev, M. A. ; Shamakhov, V. V. ; Leshko, A. Yu ; Lyutetskii, A. V. ; Nalyot, T. A. ; Pikhtin, N. A. ; Slipchenko, S. O. ; Sokolova, Z. N. ; Fetisova, N. V. ; Tarasov, I. S.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2005-03, Vol.39 (3), p.370-373 [Periódico revisado por pares]

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3
Infrared reflection spectra of multilayer epitaxial heterostructures with embedded InAs and GaAs layers
Infrared reflection spectra of multilayer epitaxial heterostructures with embedded InAs and GaAs layers
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Infrared reflection spectra of multilayer epitaxial heterostructures with embedded InAs and GaAs layers

Seredin, P. V. ; Domashevskaya, É. P. ; Lukin, A. N. ; Arsent’ev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Tarasov, I. S.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2008-09, Vol.42 (9), Article 1055 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

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4
Optical and structural properties of ingaasp miscibility-gap solid solutions grown by MOVPE on GaAs(001) substrates
Optical and structural properties of ingaasp miscibility-gap solid solutions grown by MOVPE on GaAs(001) substrates
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Optical and structural properties of ingaasp miscibility-gap solid solutions grown by MOVPE on GaAs(001) substrates

Vavilova, L. S. ; Vinokurov, D. A. ; Kapitonov, V. A. ; Murashova, A. V. ; Nevedomskii, V. N. ; Poletaev, N. K. ; Sitnikova, A. A. ; Tarasov, I. S. ; Shamakhov, V. V.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-09, Vol.37 (9), p.1080-1084 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer Nature B.V

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5
Photoemission of spinpolarized electrons from strained GaAsP
Photoemission of spinpolarized electrons from strained GaAsP
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Photoemission of spinpolarized electrons from strained GaAsP

DRESCHER, P ; ANDRESEN, H. G ; HARTMANN, P ; HOFFMANN, J ; JENNEWEIN, P ; KAISER, K. H ; KÖBIS, S ; KOVALENKOV, O. V ; KREIDEL, H. J ; LANGBEIN, J ; MAMAEV, Y. A ; NACHTIGALL, C ; AULENBACHER, K ; PETRI, M ; PLÜTZER, S ; REICHERT, E ; SCHEMIES, M ; SCHÖPE, H.-J ; STEFFENS, K.-H ; STEIGERWALD, M ; SUBASHIEV, A. V ; TRAUTNER, H ; VINOKUROV, D. A ; BERMUTH, J ; YASHIN, Y. P ; YAVICH, B. S ; DOMBO, T ; FISCHER, H ; EUTENEUER, H ; FALEEV, N. N ; GALAKTIONOV, M. S ; HARRACH, D. V

Applied physics. A, Materials science & processing, 1996-08, Vol.63 (2), p.203-206 [Periódico revisado por pares]

Berlin: Springer

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Structure and optical properties of heterostructures based on MOCVD (AlxGa1 − xAs1 − yPy)1 − zSiz alloys
Structure and optical properties of heterostructures based on MOCVD (AlxGa1 − xAs1 − yPy)1 − zSiz alloys
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Structure and optical properties of heterostructures based on MOCVD (AlxGa1 − xAs1 − yPy)1 − zSiz alloys

Seredin, Alloys P. V. ; Glotov, A. V. ; Lenshin, A. S. ; Arsentyev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Prutskij, Tatiana ; Leiste, Harald ; Rinke, Monica

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014, Vol.48 (1), p.21-29 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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7
Photovoltaic converters based on GaAs and AlGaAs epitaxial layers on GaAs substrates with developed surface area
Photovoltaic converters based on GaAs and AlGaAs epitaxial layers on GaAs substrates with developed surface area
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Photovoltaic converters based on GaAs and AlGaAs epitaxial layers on GaAs substrates with developed surface area

Arsent’ev, I. N. ; Bobyl’, A. V. ; Borkovskaya, O. Yu ; Vinokurov, D. A. ; Dmitruk, N. L. ; Karimov, A. V. ; Klad’ko, V. P. ; Konakova, R. V. ; Konnikov, S. G. ; Mamontova, I. B.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2006-07, Vol.40 (7), p.854-859 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer Nature B.V

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8
Properties of epitaxial (AlxGa1 − xAs)1 − yCy alloys grown by MOCVD autoepitaxy
Properties of epitaxial (AlxGa1 − xAs)1 − yCy alloys grown by MOCVD autoepitaxy
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Properties of epitaxial (AlxGa1 − xAs)1 − yCy alloys grown by MOCVD autoepitaxy

Seredin, P. V. ; Domashevskaya, E. P. ; Arsentyev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Stankevich, A. L.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013, Vol.47 (1), p.7-12 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

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9
Structural and optical properties of heavily doped AlxGa1 − xAs1 − yPy:Mg alloys produced by metal-organic chemical vapor deposition
Structural and optical properties of heavily doped AlxGa1 − xAs1 − yPy:Mg alloys produced by metal-organic chemical vapor deposition
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Structural and optical properties of heavily doped AlxGa1 − xAs1 − yPy:Mg alloys produced by metal-organic chemical vapor deposition

Seredin, P. V. ; Lenshin, A. S. ; Glotov, A. V. ; Arsentyev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Tarasov, I. S. ; Prutskij, T. ; Leiste, H. ; Rinke, M.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014, Vol.48 (8), p.1094-1102 [Periódico revisado por pares]

Moscow: Pleiades Publishing

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Photoluminescence properties of heavily doped heterostructures based on (AlxGa1 − xAs)1 − ySiy solid solutions
Photoluminescence properties of heavily doped heterostructures based on (AlxGa1 − xAs)1 − ySiy solid solutions
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Photoluminescence properties of heavily doped heterostructures based on (AlxGa1 − xAs)1 − ySiy solid solutions

Seredin, P. V. ; Domashevskaya, E. P. ; Ternovaya, V. E. ; Arsent’ev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Tarasov, I. S. ; Prutskij, T.

Physics of the solid state, 2013-10, Vol.55 (10), p.2169-2172 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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