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11	Material Type: Artigo		XRD, AFM and IR investigations of ordered AlGaAs2 phase in epitaxial AlxGa1-xAs/GaAs (100) heterostructures Domashevskaya, E. P. ; Seredin, P. V. ; Lukin, A. N. ; Bityutskaya, L. A. ; Grechkina, M. V. ; Arsentyev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Tarasov, I. S. Surface and interface analysis, 2006-04, Vol.38 (4), p.828-832 [Periódico revisado por pares] Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
12	Material Type: Artigo		Infrared reflection spectra of multilayer epitaxial heterostructures with embedded InAs and GaAs layers Seredin, P. V. ; Domashevskaya, É. P. ; Lukin, A. N. ; Arsent’ev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Tarasov, I. S. Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2008-09, Vol.42 (9), Article 1055 [Periódico revisado por pares] Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
13	Material Type: Artigo		Optical and structural properties of ingaasp miscibility-gap solid solutions grown by MOVPE on GaAs(001) substrates Vavilova, L. S. ; Vinokurov, D. A. ; Kapitonov, V. A. ; Murashova, A. V. ; Nevedomskii, V. N. ; Poletaev, N. K. ; Sitnikova, A. A. ; Tarasov, I. S. ; Shamakhov, V. V. Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-09, Vol.37 (9), p.1080-1084 [Periódico revisado por pares] New York: Springer Nature B.V Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
14	Material Type: Artigo		Structural features and surface morphology of AlxGayIn1−x−yAszP1−z/GaAs(100) heterostructures Seredin, P.V. ; Glotov, A.V. ; Domashevskaya, E.P. ; Arsentyev, I.N. ; Vinokurov, D.A. ; Tarasov, I.S. Applied surface science, 2013-02, Vol.267, p.181-184 [Periódico revisado por pares] Elsevier B.V Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
15	Material Type: Artigo		Photoemission of spinpolarized electrons from strained GaAsP DRESCHER, P ; ANDRESEN, H. G ; HARTMANN, P ; HOFFMANN, J ; JENNEWEIN, P ; KAISER, K. H ; KÖBIS, S ; KOVALENKOV, O. V ; KREIDEL, H. J ; LANGBEIN, J ; MAMAEV, Y. A ; NACHTIGALL, C ; AULENBACHER, K ; PETRI, M ; PLÜTZER, S ; REICHERT, E ; SCHEMIES, M ; SCHÖPE, H.-J ; STEFFENS, K.-H ; STEIGERWALD, M ; SUBASHIEV, A. V ; TRAUTNER, H ; VINOKUROV, D. A ; BERMUTH, J ; YASHIN, Y. P ; YAVICH, B. S ; DOMBO, T ; FISCHER, H ; EUTENEUER, H ; FALEEV, N. N ; GALAKTIONOV, M. S ; HARRACH, D. V Applied physics. A, Materials science & processing, 1996-08, Vol.63 (2), p.203-206 [Periódico revisado por pares] Berlin: Springer Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
16	Material Type: Artigo		Structure and optical properties of heterostructures based on MOCVD (AlxGa1 − xAs1 − yPy)1 − zSiz alloys Seredin, Alloys P. V. ; Glotov, A. V. ; Lenshin, A. S. ; Arsentyev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Prutskij, Tatiana ; Leiste, Harald ; Rinke, Monica Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014, Vol.48 (1), p.21-29 [Periódico revisado por pares] Boston: Springer US Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
17	Material Type: Artigo		Photovoltaic converters based on GaAs and AlGaAs epitaxial layers on GaAs substrates with developed surface area Arsent’ev, I. N. ; Bobyl’, A. V. ; Borkovskaya, O. Yu ; Vinokurov, D. A. ; Dmitruk, N. L. ; Karimov, A. V. ; Klad’ko, V. P. ; Konakova, R. V. ; Konnikov, S. G. ; Mamontova, I. B. Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2006-07, Vol.40 (7), p.854-859 [Periódico revisado por pares] New York: Springer Nature B.V Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
18	Material Type: Artigo		Structural and optical investigations of AlxGa1−xAs:Si/GaAs(100) MOCVD heterostructures Seredin, P.V. ; Glotov, A.V. ; Domashevskaya, E.P. ; Arsentyev, I.N. ; Vinokurov, D.A. ; Tarasov, I.S. Physica. B, Condensed matter, 2010-11, Vol.405 (22), p.4607-4614 [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
19	Material Type: Artigo		Structural features and surface morphology of AlxGayIn1―x―yAszP1―z/GaAs(100) heterostructures SEREDIN, P. V ; GLOTOV, A. V ; DOMASHEVSKAYA, E. P ; ARSENTYEV, Ln ; VINOKUROV, D. A ; TARASOV, I. S Applied surface science, 2013, Vol.267, p.181-184 [Periódico revisado por pares] Amsterdam: Elsevier Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
20	Material Type: Ata de Congresso		Double-band generation in InGaAs/GaAs diode laser at high pulsed current pumping Borschev, K. S ; Pikhtin, N. A ; Slipchenko, S. O ; Sokolova, Z. N ; Vinokurov, D. A ; Arsentyev, I. N ; Tarasov, I. S SPIE 2007 Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por

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