skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Condensed Matter: Structure, Mechanical And Thermal Properties remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
A highly processable metallic glass : Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10.0Be22.5
A highly processable metallic glass : Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10.0Be22.5
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A highly processable metallic glass : Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10.0Be22.5

PEKER, A ; JOHNSON, W. L

Applied physics letters, 1993-10, Vol.63 (17), p.2342-2344 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Phase transformation mechanisms involved in excimer laser crystallization of amorphous silicon films
Phase transformation mechanisms involved in excimer laser crystallization of amorphous silicon films
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Phase transformation mechanisms involved in excimer laser crystallization of amorphous silicon films

IM, J. S ; KIM, H. J ; THOMPSON, M. O

Applied physics letters, 1993-10, Vol.63 (14), p.1969-1971 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Kelvin probe force microscopy
Kelvin probe force microscopy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Kelvin probe force microscopy

NONNEMACHER, M ; O'BOYLE, M. P ; WICKRAMASINGHE, H. K

Applied physics letters, 1991-06, Vol.58 (25), p.2921-2923 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Totally relaxed GexSi1-x layers with low threading dislocation densities grown on Si substrates
Totally relaxed GexSi1-x layers with low threading dislocation densities grown on Si substrates
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Totally relaxed GexSi1-x layers with low threading dislocation densities grown on Si substrates

FITZGERALD, E. A ; XIE, Y.-H ; GREEN, M. L ; BRASEN, D ; KORTAN, A. R ; MICHEL, J ; MII, Y.-J ; WEIR, B. E

Applied physics letters, 1991-08, Vol.59 (7), p.811-813 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Modification of hydrogen-passivated silicon by a scanning tunneling microscope operating in air
Modification of hydrogen-passivated silicon by a scanning tunneling microscope operating in air
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Modification of hydrogen-passivated silicon by a scanning tunneling microscope operating in air

DAGATA, J. A ; SCHNEIR, J ; HARARY, H. H ; EVANS, C. J ; POSTEK, M. T ; BENNETT, J

Applied physics letters, 1990-05, Vol.56 (20), p.2001-2003 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Ideal hydrogen termination of the Si (111) surface
Ideal hydrogen termination of the Si (111) surface
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ideal hydrogen termination of the Si (111) surface

HIGASHI, G. S ; CHABAL, Y. J ; TRUCKS, G. W ; RAGHAVACHARI, K

Applied physics letters, 1990-02, Vol.56 (7), p.656-658 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Epitaxial diamond thin films on (001) silicon substrates
Epitaxial diamond thin films on (001) silicon substrates
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Epitaxial diamond thin films on (001) silicon substrates

JIANG, X ; KLAGES, C.-P ; ZACHAI, R ; HARTWEG, M ; FÜSSER, H.-J

Applied physics letters, 1993-06, Vol.62 (26), p.3438-3440 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Thermal imaging using the atomic force microscope
Thermal imaging using the atomic force microscope
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Thermal imaging using the atomic force microscope

MAJUMDAR, A ; CARREJO, J. P ; LAI, J

Applied physics letters, 1993-05, Vol.62 (20), p.2501-2503 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
GROWTH AND STRAIN COMPENSATION EFFECTS IN THE TERNARY SI1-X-YGEXCY ALLOY SYSTEM
GROWTH AND STRAIN COMPENSATION EFFECTS IN THE TERNARY SI1-X-YGEXCY ALLOY SYSTEM
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

GROWTH AND STRAIN COMPENSATION EFFECTS IN THE TERNARY SI1-X-YGEXCY ALLOY SYSTEM

EBERL, K ; IYER, SS ; ZOLLNER, S ; TSANG, JC ; LEGOUES, FK

Applied physics letters, 1992-06, Vol.60 (24), p.3033-3035 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Dislocations and strain relief in compositionally graded layers
Dislocations and strain relief in compositionally graded layers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Dislocations and strain relief in compositionally graded layers

TERSOFF, J

Applied physics letters, 1993-02, Vol.62 (7), p.693-695 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1984  (80)
  2. 1984Até1985  (341)
  3. 1986Até1987  (493)
  4. 1988Até1990  (1.036)
  5. Após 1990  (1.211)
  6. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.