skip to main content
Idioma:
previous page 1 Resultados 2 3 next page
Mostrar Somente
Refinado por: assunto: Silicon remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
11
Ring-opening polymerization of (CH3)2Si[CpMo(CO)3]2, a molecule with an –Si(CH3)2– bridge between two cyclopentadienyl ligands
Ring-opening polymerization of (CH3)2Si[CpMo(CO)3]2, a molecule with an –Si(CH3)2– bridge between two cyclopentadienyl ligands
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ring-opening polymerization of (CH3)2Si[CpMo(CO)3]2, a molecule with an –Si(CH3)2– bridge between two cyclopentadienyl ligands

Jennings, Dawn M. ; Brady, Sarah E. ; Shultz, Ginger V. ; Zakharov, Lev N. ; Tyler, David R.

Polymer bulletin (Berlin, Germany), 2012-05, Vol.68 (9), p.2243-2254 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer-Verlag

Texto completo disponível

Citações Citado por
12
Silicon nanocrystals in SiN{sub x}/SiO{sub 2} hetero-superlattices: The loss of size control after thermal annealing
Silicon nanocrystals in SiN{sub x}/SiO{sub 2} hetero-superlattices: The loss of size control after thermal annealing
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Silicon nanocrystals in SiN{sub x}/SiO{sub 2} hetero-superlattices: The loss of size control after thermal annealing

Zelenina, A. ; Zacharias, M. ; Sarikov, A. ; V. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics NAS Ukraine, 45 Nauki Avenue, Kiev 03028 ; Zhigunov, D. M. ; Weiss, C. ; Zakharov, N. ; Werner, P. ; López-Conesa, L. ; Peiró, F. ; Estradé, S. ; CCiT, Scientific and Technical Centers, Universitat de Barcelona, C/Lluís Solé i Sabaris 1, Barcelona 08028 ; Dyakov, S. A.

Journal of applied physics, 2014-06, Vol.115 (24) [Periódico revisado por pares]

United States

Texto completo disponível

Citações Citado por
13
Mechanism of germanium nanoinclusions formation in a silicon matrix during submonolayer MBE
Mechanism of germanium nanoinclusions formation in a silicon matrix during submonolayer MBE
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Mechanism of germanium nanoinclusions formation in a silicon matrix during submonolayer MBE

Cirlin, G.E. ; Zakharov, N.D. ; Egorov, V.A. ; Werner, P. ; Ustinov, V.M. ; Ledentsov, N.N.

Thin solid films, 2003-03, Vol.428 (1), p.156-159 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
14
Effect of parameters of Ge(Si)/Si(001) self-assembled islands on their electroluminescence at room temperature
Effect of parameters of Ge(Si)/Si(001) self-assembled islands on their electroluminescence at room temperature
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Effect of parameters of Ge(Si)/Si(001) self-assembled islands on their electroluminescence at room temperature

Lobanov, D. N. ; Novikov, A. V. ; Kudryavtsev, K. E. ; Shengurov, D. V. ; Drozdov, Yu. N. ; Yablonskiy, A. N. ; Shmagin, V. B. ; Krasilnik, Z. F. ; Zakharov, N. D. ; Werner, P.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-03, Vol.43 (3), p.313-317 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

Texto completo disponível

Citações Citado por
15
Incorporation of InAs nanostructures in a silicon matrix: growth, structure and optical properties
Incorporation of InAs nanostructures in a silicon matrix: growth, structure and optical properties
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Incorporation of InAs nanostructures in a silicon matrix: growth, structure and optical properties

Cirlin, G.E. ; Polyakov, N.K. ; Petrov, V.N. ; Egorov, V.A. ; Denisov, D.V. ; Volovik, B.V. ; Ustinov, V.M. ; Alferov, Zh.I. ; Ledentsov, N.N. ; Heitz, R. ; Bimberg, D. ; Zakharov, N.D. ; Werner, P. ; Gösele, U.

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2001-03, Vol.80 (1), p.108-111 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
16
TEM Microstructure Investigation of Si/Ge Superlattice Exhibiting 1.55 μm Photoluminescence at Room Temperature
TEM Microstructure Investigation of Si/Ge Superlattice Exhibiting 1.55 μm Photoluminescence at Room Temperature
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

TEM Microstructure Investigation of Si/Ge Superlattice Exhibiting 1.55 μm Photoluminescence at Room Temperature

Zakharov, N.D. ; Talalaev, V.G. ; Cirlin, G.E. ; Tonkikh, A. ; Werner, P.

Microscopy and microanalysis, 2003-09, Vol.9 (S03), p.282-283 [Periódico revisado por pares]

New York, USA: Cambridge University Press

Texto completo disponível

Citações Citado por
17
Synthesis and structure of organosilicon and organogermanium complexes of ytterbium (Ph3E)2Yb(THF)4 with Yb-Si and Yb-Ge bonds
Synthesis and structure of organosilicon and organogermanium complexes of ytterbium (Ph3E)2Yb(THF)4 with Yb-Si and Yb-Ge bonds
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Synthesis and structure of organosilicon and organogermanium complexes of ytterbium (Ph3E)2Yb(THF)4 with Yb-Si and Yb-Ge bonds

Bochkarev, Leonid N. ; Makarov, Valentin M. ; Hrzhanovskaya, Yulia N. ; Zakharov, Lev N. ; Fukin, Georgy K. ; Yanovsky, Alekxander I. ; Struchkov, Yury T.

Journal of organometallic chemistry, 1994-03, Vol.467 (2), p.C3-C5 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
18
X-ray study of structural features of GaSb(Si) single crystals grown using a set of diffraction methods under various heat and mass transfer conditions
X-ray study of structural features of GaSb(Si) single crystals grown using a set of diffraction methods under various heat and mass transfer conditions
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

X-ray study of structural features of GaSb(Si) single crystals grown using a set of diffraction methods under various heat and mass transfer conditions

Prokhorov, I. A. ; Serebryakov, Yu. A. ; Korobeinikova, E. N. ; Zakharov, B. G. ; Ratnikov, V. V. ; Shul’pina, I. L.

Surface investigation, x-ray, synchrotron and neutron techniques, 2007-06, Vol.1 (3), p.255-259 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer Nature B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
19
Nanostructures formed by sub- and close-to-critical Ge inclusions in a Si matrix
Nanostructures formed by sub- and close-to-critical Ge inclusions in a Si matrix
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Nanostructures formed by sub- and close-to-critical Ge inclusions in a Si matrix

Cirlin, George E. ; Talalaev, Vadim G. ; Egorov, Vyatcheslav A. ; Zakharov, Nikolai D. ; Werner, Peter ; Ledentsov, Nikolai N. ; Ustinov, Victor M.

Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2003-04, Vol.17, p.131-133 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
20
Tris(trimethylsilyl)siloxides of gadolinium and lanthanum: synthesis, structure and some properties
Tris(trimethylsilyl)siloxides of gadolinium and lanthanum: synthesis, structure and some properties
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Tris(trimethylsilyl)siloxides of gadolinium and lanthanum: synthesis, structure and some properties

Kornev, Alexander N. ; Chesnokova, Tatyana A. ; Zhezlova, Elena V. ; Zakharov, Lev N. ; Fukin, Georgy K. ; Kursky, Yurii A. ; Domrachev, Georgy A. ; Lickiss, Paul D.

Journal of organometallic chemistry, 1999-09, Vol.587 (1), p.113-121 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
previous page 1 Resultados 2 3 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Recursos Online (25)
  2. Revistas revisadas por pares (19)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (22)
  2. Anais de Congresso  (3)
  3. Conjunto de Dados  (1)
  4. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de2001  (4)
  2. 2001Até2005  (6)
  3. 2006Até2010  (5)
  4. 2011Até2016  (8)
  5. Após 2016  (4)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (25)
  2. Russo  (2)
  3. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.