Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Tese de Doutorado
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Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectorsZeidan, Ahmad AlBiblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2023-07-13Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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Material Type: Dissertação de Mestrado
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Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentadaCurbelo, Victor Manuel OrlandoBiblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2023-07-28Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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Material Type: Dissertação de Mestrado
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Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadaZeidan, Ahmad AlBiblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2017-10-03Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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Material Type: Livro
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Quantum and Optoelectronic Devices, Circuits and SystemsLamata, LucasBasel: MDPI - Multidisciplinary Digital Publishing Institute 2023Sem texto completo |
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Material Type: Artigo
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High efficiency low threshold current 1.3 μm InAs quantum dot lasers on on-axis (001) GaP/SiJung, Daehwan ; Norman, Justin ; Kennedy, M. J. ; Shang, Chen ; Shin, Bongki ; Wan, Yating ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.Applied physics letters, 2017-09, Vol.111 (12) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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High performance continuous wave 1.3 μ m quantum dot lasers on siliconLiu, Alan Y. ; Zhang, Chong ; Norman, Justin ; Snyder, Andrew ; Lubyshev, Dmitri ; Fastenau, Joel M. ; Liu, Amy W. K. ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.Applied physics letters, 2014-01, Vol.104 (4), p.41104 [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Optically enhanced single- and multi-stacked 1.55 μm InAs/InAlGaAs/InP quantum dots for laser applicationsYu, Xuezhe ; Jia, Hui ; Dear, Calum ; Yuan, Jiajing ; Deng, Huiwen ; Tang, Mingchu ; Liu, HuiyunJournal of physics. D, Applied physics, 2023-07, Vol.56 (28), p.285101 [Periódico revisado por pares]IOP PublishingTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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E‐Band InAs/GaAs Trilayer Quantum Dot LasersZhan, Wenbo ; Kwoen, Jinkwan ; Imoto, Takaya ; Iwamoto, Satoshi ; Arakawa, YasuhikoPhysica status solidi. A, Applications and materials science, 2022-02, Vol.219 (4), p.n/a [Periódico revisado por pares]Weinheim: Wiley Subscription Services, IncTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Improvement in Performance of InAs Surface Quantum Dot Heterostructure Based H2S Gas Sensor by Introducing Buried Quantum Dot LayerMantri, Manas Ranjan ; Panda, Debi Prasad ; Punetha, Deepak ; Pandey, Sushil Kumar ; Singh, Vivek Pratap ; Pandey, Saurabh Kumar ; Chakrabarti, SubhanandaIEEE sensors journal, 2023-07, Vol.23 (14), p.1-1 [Periódico revisado por pares]New York: IEEETexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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High-density 1.54μm InAs/InGaAlAs/InP(100) based quantum dots with reduced size inhomogeneityBanyoudeh, Saddam ; Reithmaier, Johann PeterJournal of crystal growth, 2015-09, Vol.425, p.299-302 [Periódico revisado por pares]Elsevier B.VTexto completo disponível |