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Strong coupling in the sub-wavelength limit using metamaterial nanocavities
Strong coupling in the sub-wavelength limit using metamaterial nanocavities
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Strong coupling in the sub-wavelength limit using metamaterial nanocavities

Benz, A ; Campione, S ; Liu, S ; Montaño, I ; Klem, J F ; Allerman, A ; Wendt, J R ; Sinclair, M B ; Capolino, F ; Brener, I

Nature communications, 2013-11, Vol.4 (1), p.2882-2882, Article 2882 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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2
Optical spectroscopy of single impurity centers in semiconductors
Optical spectroscopy of single impurity centers in semiconductors
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Optical spectroscopy of single impurity centers in semiconductors

FRANCOEUR, S ; KLEM, J. F ; MASCARENHAS, A

Physical review letters, 2004-08, Vol.93 (6), p.067403.1-067403.4, Article 067403 [Periódico revisado por pares]

Ridge, NY: American Physical Society

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3
Minority carrier diffusion and defects in InGaAsN grown by molecular beam epitaxy
Minority carrier diffusion and defects in InGaAsN grown by molecular beam epitaxy
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Minority carrier diffusion and defects in InGaAsN grown by molecular beam epitaxy

Kurtz, Steven R. ; Klem, J. F. ; Allerman, A. A. ; Sieg, R. M. ; Seager, C. H. ; Jones, E. D.

Applied physics letters, 2002-02, Vol.80 (8), p.1379-1381 [Periódico revisado por pares]

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4
Characteristics of GaAsSb single-quantum-well-lasers emitting near 1.3 μm
Characteristics of GaAsSb single-quantum-well-lasers emitting near 1.3 μm
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Characteristics of GaAsSb single-quantum-well-lasers emitting near 1.3 μm

Blum, O. ; Klem, J.F.

IEEE photonics technology letters, 2000-07, Vol.12 (7), p.771-773

IEEE

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5
OC-48 capable InGaAsN vertical cavity lasers
OC-48 capable InGaAsN vertical cavity lasers
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OC-48 capable InGaAsN vertical cavity lasers

Jackson, A.W. ; Naone, R.L. ; Dalberth, M.J. ; Smith, J.M. ; Malone, K.J. ; Kisker, D.W. ; Klem, J.F. ; Choquette, K.D. ; Serkland, D.K. ; Geib, K.M.

Electronics letters, 2001-03, Vol.37 (6), p.355-356 [Periódico revisado por pares]

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6
Deep-level defects in InGaAsN grown by molecular-beam epitaxy
Deep-level defects in InGaAsN grown by molecular-beam epitaxy
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Deep-level defects in InGaAsN grown by molecular-beam epitaxy

Kaplar, R. J. ; Ringel, S. A. ; Kurtz, Steven R. ; Klem, J. F. ; Allerman, A. A.

Applied physics letters, 2002-06, Vol.80 (25), p.4777-4779 [Periódico revisado por pares]

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7
Development of bottom-emitting 1300-nm vertical-cavity surface-emitting lasers
Development of bottom-emitting 1300-nm vertical-cavity surface-emitting lasers
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Development of bottom-emitting 1300-nm vertical-cavity surface-emitting lasers

Louderback, D.A. ; Fish, M.A. ; Klem, J.F. ; Serkland, D.K. ; Choquette, K.D. ; Pickrell, G.W. ; Stone, R.V. ; Guilfoyle, P.S.

IEEE photonics technology letters, 2004-04, Vol.16 (4), p.963-965

New York: IEEE

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8
Magnetoluminescence properties of GaAsSbN/GaAs quantum well structures
Magnetoluminescence properties of GaAsSbN/GaAs quantum well structures
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Magnetoluminescence properties of GaAsSbN/GaAs quantum well structures

Senger, R. T. ; Bajaj, K. K. ; Jones, E. D. ; Modine, N. A. ; Waldrip, K. E. ; Jalali, F. ; Klem, J. F. ; Peake, G. M. ; Wei, X. ; Tozer, S. W.

Applied physics letters, 2003-12, Vol.83 (26), p.5425-5427 [Periódico revisado por pares]

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9
Contributions to the large blue emission shift in a GaAsSb type-II laser
Contributions to the large blue emission shift in a GaAsSb type-II laser
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Contributions to the large blue emission shift in a GaAsSb type-II laser

Chow, W.W. ; Spahn, O.B. ; Schneider, H.C. ; Klem, J.E.

IEEE journal of quantum electronics, 2001-09, Vol.37 (9), p.1178-1182 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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10
Cross-sectional scanning tunneling microscopy of GaAsSb/GaAs quantum well structures
Cross-sectional scanning tunneling microscopy of GaAsSb/GaAs quantum well structures
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Cross-sectional scanning tunneling microscopy of GaAsSb/GaAs quantum well structures

Zuo, S. L. ; Hong, Y. G. ; Yu, E. T. ; Klem, J. F.

Journal of applied physics, 2002-10, Vol.92 (7), p.3761-3770 [Periódico revisado por pares]

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