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Refinado por: assunto: Física remover autor: Notari, A remover
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1
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs

Ayrton A. Bernussi P Motisuke; Pierre Basmaji; A. C Notari; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; Symposium on Advances in Semiconductors and Superconductors : Physics Toward Device Application (1990 San Diego)

Abstracts Bellingham : International Society for Optical Engineering - SPIE, 1990

Bellingham International Society for Optical Engineering - SPIE 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000094 ) e outros locais(Acessar)

2
Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE)
Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE)

A. C. Notari Máximo Siu Li; P Basmaji; M Minondo; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (11. 1990 São Paulo)

Anais São Paulo, 1990

São Paulo 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001536 )(Acessar)

3
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)

B. J. Schrappe A. C Notari; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (11. 1990 São Paulo)

Anais São Paulo, 1990

São Paulo 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001539 )(Acessar)

4
Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular
Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular

J. E. Manzoli B. J Scrappe; A. C Notari; A. M Ceschin; Máximo Siu Li; P Basmaji; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (10. 1989 São José dos Campos)

Anais São José dos Campos, 1989

São José dos Campos 1989

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001032 )(Acessar)

5
Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS'
Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS'

E. Minami J Migliato; A Notari; A. M Ceschin; P Basmaji; Maximo Siu Li; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (10. 1989 São José dos Campos)

Anais São José dos Campos : 1989

São José dos Campos 1989

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001031 )(Acessar)

6
Dopagem planar ('gama' - doping) 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
Dopagem planar ('gama' - doping) 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Dopagem planar ('gama' - doping) 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)

A. C. Notari Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A. A Bernussi; F Iikawa; J Brum; P Motisuke; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (11. 1990 São Paulo)

Anais São Paulo, 1990

São Paulo 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001538 )(Acessar)

7
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular

A. C. Notari A. M Ceschin; P Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A. A Bernussi; F Iikawa; P Motisuke; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (11. 1990 São Paulo)

Anais São Paulo, 1990

São Paulo 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001535 )(Acessar)

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  2. Notari, A
  3. Siu Li, M
  4. Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC
  5. Hipólito, O

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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