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1
Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas
Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas

L M R Scolfaro A Fazzio; Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores (3. 1987 Campinas)

Proceedings Singapore : World Scientific, 1988

Singapore World Scientific 1988

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2
Band structure of holes in p-'DELTA'-doping superlattices
Band structure of holes in p-'DELTA'-doping superlattices
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Band structure of holes in p-'DELTA'-doping superlattices

Guilherme Matos Sipahi R Enderlein; L M R Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); International Conference on the Physics of Semiconductors (22. 1994 Vancouver)

Proceedings Vancouver : World Scientific, 1994

Vancouver World Scientific 1994

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3
Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures effects of p-type doping
Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures effects of p-type doping
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures effects of p-type doping

S C P Rodrigues Guilherme Matos Sipahi; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); International Workshop on Nitride Semiconductors (2000 Nagoya)

Proceedings Tokyo : The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP, 2000

Tokyo The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP 2000

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4
Influence of biaxial strain on thermodynamic, structural, and electronic properties on 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys
Influence of biaxial strain on thermodynamic, structural, and electronic properties on 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of biaxial strain on thermodynamic, structural, and electronic properties on 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys

L. K. Teles (Lara Kühl) Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J Furthmüller; J. R Leite (José Roberto); F Bechstedt; International Workshop on Nitride Semiconductors (2000 Nagoya)

Proceedings Tokyo : The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP, 2000

Tokyo The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP 2000

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5
Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers
Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers

C A C Mendonca L M R Scolfaro; André Bohomoletz Henriques; J. B. B Oliveira; F Plentz; S M Shibli; E A Meneses; J. R Leite (José Roberto); International Conference on the Physics of Semiconductors (21. 1992 Beijing)

Proceedings Singapura : World Scientific, 1993

Singapura World Scientific 1993

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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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