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1
Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors
Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors
Material Type:
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Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors

D Beliaev L M R Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); Guilherme Matos Sipahi

Physica Status Solidi B Berlin v. 210, n. 2, p. 777-781, 1998

Berlin 1998

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2
Parameters of the Kane model from effective masses ambiguities and instabilities
Parameters of the Kane model from effective masses ambiguities and instabilities
Material Type:
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Parameters of the Kane model from effective masses ambiguities and instabilities

R Enderlein Guilherme Matos Sipahi; L M R Scolfaro; J. R Leite (José Roberto)

Physica Status Solidi B Berlin v. 206, n. 2p. 623-633, 1998

Berlin 1998

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3
K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices
K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices
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K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices

Sara C P Rodrigues L M R Scolfaro; Guilherme Matos Sipahi; O C Noriega; Jose Roberto Leite

Physica Status Solidi B Weinheim v. 234, n. 3, p. 906-910, Dec. 2002

Weinheim 2002

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

4
Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors
Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors
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Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors

D Beliaev L M R Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); Guilherme Matos Sipahi

Physica Status Solidi B Berlin v. 210, n. 2, p. 777-781, 1998

Berlin 1998

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Parameters of the Kane model from effective masses ambiguities and instabilities
Parameters of the Kane model from effective masses ambiguities and instabilities
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Parameters of the Kane model from effective masses ambiguities and instabilities

R Enderlein Guilherme Matos Sipahi; L M R Scolfaro; J. R Leite (José Roberto)

Physica Status Solidi B Berlin v. 206, n. 2p. 623-633, 1998

Berlin 1998

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K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices
K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices
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K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices

Sara C P Rodrigues L M R Scolfaro; Guilherme Matos Sipahi; O C Noriega; Jose Roberto Leite

Physica Status Solidi B Weinheim v. 234, n. 3, p. 906-910, Dec. 2002

Weinheim 2002

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Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride
Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride
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Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride

J L P Castineira J. R Leite (José Roberto); Juarez Lopes Ferreira da Silva; L M R Scolfaro; J L A Alves; H W L Alves

Physica Status Solidi B Berlin v. 210, n. 2, p. 401-405, 1998

Berlin 1998

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Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride
Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride
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Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride

J L P Castineira J. R Leite (José Roberto); Juarez Lopes Ferreira da Silva; L M R Scolfaro; J L A Alves; H W L Alves

Physica Status Solidi B Berlin v. 210, n. 2, p. 401-405, 1998

Berlin 1998

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9
Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN
Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN
Material Type:
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Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN

L. K. Teles (Lara Kühl) Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); L. E Ramos (Luis Eugênio); A Tabata; J. L. P Castineira; D. J As

Physica Status Solidi B Berlin v. 216, n. 1, p. 541-545, 1999

Berlin 1999

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10
Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN
Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN
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Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN

L. K. Teles (Lara Kühl) Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); L. E Ramos (Luis Eugênio); A Tabata; J. L. P Castineira; D. J As

Physica Status Solidi B Berlin v. 216, n. 1, p. 541-545, 1999

Berlin 1999

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Deste Autor:

  1. Leite, J
  2. Scolfaro, L
  3. Sipahi, G
  4. As, D
  5. Castineira, J

Neste Assunto:

  1. Matéria Condensada
  2. Física Da Matéria Condensada
  3. Semicondutores

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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