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1
Arsenic uphill diffusion during shallow junction formation
Arsenic uphill diffusion during shallow junction formation
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Arsenic uphill diffusion during shallow junction formation

Ferri, M ; Solmi, S ; Parisini, A ; Bersani, M ; Giubertoni, D ; Barozzi, M

Journal of applied physics, 2006-06, Vol.99 (11), p.113508-113508-7 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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2
Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films
Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films
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Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films

F. A. Ferri Marcelo de Assumpção Pereira da Silva; Antonio Ricardo Zanatta; A. L. S Varella; A. J. A Oliveira

Journal of Applied Physics College Park : American Institute of Physics - AIP v. 108, n. 11, p. 113922-1-113922-5, Dec. 2010

College Park 2010

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD017879 )(Acessar)

3
Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films
Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films
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Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films

F. A. Ferri Marcelo de Assumpção Pereira da Silva; Antonio Ricardo Zanatta; A. L. S Varella; A. J. A Oliveira

Journal of Applied Physics College Park : American Institute of Physics - AIP v. 108, n. 11, p. 113922-1-113922-5, Dec. 2010

College Park 2010

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD017879 )(Acessar)

4
Transient enhanced diffusion of arsenic in silicon
Transient enhanced diffusion of arsenic in silicon
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Transient enhanced diffusion of arsenic in silicon

Solmi, S. ; Ferri, M. ; Bersani, M. ; Giubertoni, D. ; Soncini, V.

Journal of applied physics, 2003-10, Vol.94 (8), p.4950-4955 [Periódico revisado por pares]

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5
Thickness effect on nanoscale electromechanical activity in Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 thin films studied by piezoresponse force microscopy
Thickness effect on nanoscale electromechanical activity in Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 thin films studied by piezoresponse force microscopy
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Thickness effect on nanoscale electromechanical activity in Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 thin films studied by piezoresponse force microscopy

Ferri, A. ; Detalle, M. ; Blach, J.-F. ; Warenghem, M. ; Rémiens, D. ; Desfeux, R.

Journal of applied physics, 2011-11, Vol.110 (10) [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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6
Uphill diffusion of ultralow-energy boron implants in preamorphized silicon and silicon-on-insulator
Uphill diffusion of ultralow-energy boron implants in preamorphized silicon and silicon-on-insulator
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Uphill diffusion of ultralow-energy boron implants in preamorphized silicon and silicon-on-insulator

Ferri, M ; Solmi, S ; Giubertoni, D ; Bersani, M ; Hamilton, J J ; Kah, M ; Kirkby, K ; Collart, E J. H ; Cowern, N E.B

Journal of applied physics, 2007-11, Vol.102 (10), p.103707-103707-6 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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7
Damage and recovery in boron doped silicon on insulator layers after high energy Si + implantation
Damage and recovery in boron doped silicon on insulator layers after high energy Si + implantation
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Damage and recovery in boron doped silicon on insulator layers after high energy Si + implantation

Ferri, M ; Solmi, S ; Nobili, D ; Armigliato, A

Journal of applied physics, 2006-08, Vol.100 (3), p.033711-033711-6 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

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8
Surface spin disorder effects in magnetite and poly(thiophene)-coated magnetite nanoparticles
Surface spin disorder effects in magnetite and poly(thiophene)-coated magnetite nanoparticles
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Surface spin disorder effects in magnetite and poly(thiophene)-coated magnetite nanoparticles

Cótica, Luiz F ; Santos, Ivair A ; Girotto, Emerson M ; Ferri, Elidia V ; Coelho, Adelino A

Journal of applied physics, 2010-09, Vol.108 (6), p.064325-064325-6 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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9
Damage and recovery in arsenic doped silicon after high energy Si+ implantation
Damage and recovery in arsenic doped silicon after high energy Si+ implantation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Damage and recovery in arsenic doped silicon after high energy Si+ implantation

Solmi, S. ; Ferri, M. ; Nobili, D. ; Bianconi, M.

Journal of applied physics, 2004-10, Vol.96 (7), p.3769-3774 [Periódico revisado por pares]

United States

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10
Ion-channeling analysis of As relocation in heavily doped Si:As irradiated with high-energy ions
Ion-channeling analysis of As relocation in heavily doped Si:As irradiated with high-energy ions
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ion-channeling analysis of As relocation in heavily doped Si:As irradiated with high-energy ions

Lulli, G. ; Albertazzi, E. ; Bianconi, M. ; Ferri, M.

Journal of applied physics, 2003-11, Vol.94 (9), p.6215-6217 [Periódico revisado por pares]

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  1. Silva, M  (2)
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  3. Ferri, F  (2)
  4. Varella, A  (2)
  5. Zanatta, A  (2)
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  2. Oliveira, A
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Neste Assunto:

  1. Physics
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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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