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1
Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors
Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors
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Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors

Guimarães, Sonia ; de Lima, Joaquim Tavares ; Petoilho, José Carlos ; de Lucena, Emerson Ferreira ; Hwang, Míriam Kasumi ; Campos, Élson

Journal of crystal growth, 2008-04, Vol.310 (7), p.1657-1663 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
White OLED based on a temperature sensitive Eu3+/Tb3+ β-diketonate complex
White OLED based on a temperature sensitive Eu3+/Tb3+ β-diketonate complex
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White OLED based on a temperature sensitive Eu3+/Tb3+ β-diketonate complex

Lima, P.P. ; Paz, F.A.A. ; Brites, C.D.S. ; Quirino, W.G. ; Legnani, C. ; Costa e Silva, M. ; Ferreira, R.A.S. ; Júnior, S.A. ; Malta, O.L. ; Cremona, M. ; Carlos, L.D.

Organic electronics, 2014-03, Vol.15 (3), p.798-808 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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3
Optical and structural analysis of porous silicon coated with GZO films using rf magnetron sputtering
Optical and structural analysis of porous silicon coated with GZO films using rf magnetron sputtering
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Optical and structural analysis of porous silicon coated with GZO films using rf magnetron sputtering

Prabakaran, R. ; Monteiro, T. ; Peres, M. ; Viana, A.S. ; da Cunha, A.F. ; Águas, H. ; Gonçalves, A. ; Fortunato, E. ; Martins, R. ; Ferreira, I.

Thin solid films, 2007-10, Vol.515 (24), p.8664-8669 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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4
Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBE
Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBE
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Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBE

Ferreira da Silva, A. ; Persson, C. ; Berggren, K.-F. ; Pepe, I. ; Santos Alves, A. ; de Oliveira, A.G.

Microelectronic engineering, 1998-08, Vol.43-44, p.423-429 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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