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Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBE
Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBE
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Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBE

Ferreira da Silva, A. ; Persson, C. ; Berggren, K.-F. ; Pepe, I. ; Santos Alves, A. ; de Oliveira, A.G.

Microelectronic engineering, 1998-08, Vol.43-44, p.423-429 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Two-dimensional impurity bands at semiconductor heterostructure interfaces
Two-dimensional impurity bands at semiconductor heterostructure interfaces
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Two-dimensional impurity bands at semiconductor heterostructure interfaces

DA CUNHA LIMA, I. C ; FERREIRA DA SILVA, A

Phys. Rev. B: Condens. Matter; (United States), 1984-01, Vol.30 (8), p.4819-4821

Woodbury, NY: American Physical Society

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