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III-V nitrides for electronic and optoelectronic applications
III-V nitrides for electronic and optoelectronic applications
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III-V nitrides for electronic and optoelectronic applications

Davis, R.F.

Proceedings of the IEEE, 1991-05, Vol.79 (5), p.702-712 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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2
Valence-band discontinuity between GaN and AlN measured by x-ray photoemission spectroscopy
Valence-band discontinuity between GaN and AlN measured by x-ray photoemission spectroscopy
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Valence-band discontinuity between GaN and AlN measured by x-ray photoemission spectroscopy

Martin, G. ; Strite, S. ; Botchkarev, A. ; Agarwal, A. ; Rockett, A. ; Morkoç, H. ; Lambrecht, W. R. L. ; Segall, B.

Applied physics letters, 1994-08, Vol.65 (5), p.610-612 [Periódico revisado por pares]

United States

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3
Heteroepitaxial wurtzite and zinc-blende structure GaN grown by reactive-ion molecular-beam epitaxy : growth kinetics, microstructure, and properties
Heteroepitaxial wurtzite and zinc-blende structure GaN grown by reactive-ion molecular-beam epitaxy : growth kinetics, microstructure, and properties
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Heteroepitaxial wurtzite and zinc-blende structure GaN grown by reactive-ion molecular-beam epitaxy : growth kinetics, microstructure, and properties

POWELL, R. C ; LEE, N.-E ; KIM, Y.-W ; GREENE, J. E

Journal of applied physics, 1993, Vol.73 (1), p.189-204 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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4
Predicted elastic constants and critical layer thicknesses for cubic phase AlN, GaN, and InN on β-SiC
Predicted elastic constants and critical layer thicknesses for cubic phase AlN, GaN, and InN on β-SiC
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Predicted elastic constants and critical layer thicknesses for cubic phase AlN, GaN, and InN on β-SiC

Sherwin, M. E. ; Drummond, T. J.

Journal of applied physics, 1991-06, Vol.69 (12), p.8423-8425 [Periódico revisado por pares]

United States

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5
GaN grown on hydrogen plasma cleaned 6H-SiC substrates
GaN grown on hydrogen plasma cleaned 6H-SiC substrates
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GaN grown on hydrogen plasma cleaned 6H-SiC substrates

LIN, M. E ; STRITE, S ; AGARWAL, A ; SALVADOR, A ; ZHOU, G. L ; TERAGUCHI, N ; ROCKETT, A ; MORKOC, H

Applied physics letters, 1993-02, Vol.62 (7), p.702-704 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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6
Thermodynamic and kinetic processes involved in the growth of epitaxial GaN thin films
Thermodynamic and kinetic processes involved in the growth of epitaxial GaN thin films
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Thermodynamic and kinetic processes involved in the growth of epitaxial GaN thin films

NEWMAN, N ; ROSS, J ; RUBIN, M

Applied physics letters, 1993-03, Vol.62 (11), p.1242-1244 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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7
Reactive ion etching of gallium nitride using hydrogen bromide plasmas
Reactive ion etching of gallium nitride using hydrogen bromide plasmas
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Reactive ion etching of gallium nitride using hydrogen bromide plasmas

Adesida, I. ; Kuznia, J.N. ; Ping, A.T. ; Asif Khan, M.

Electronics letters, 1994-10, Vol.30 (22), p.1895-1897 [Periódico revisado por pares]

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8
Deep submicron AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors for nficrowave and high temperature applications
Deep submicron AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors for nficrowave and high temperature applications
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Deep submicron AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors for nficrowave and high temperature applications

Khan, M.A. ; Kuznia, J.N. ; Olson, D.T. ; Schaff, W.J. ; Burm, J.W. ; Shur, M.S.

52nd Annual Device Research Conference, 1994, p.149-150

IEEE

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9
Single crystal wurtzite GaN on (111) GaAs with AlN buffer layers grown by reactive magnetron sputter deposition
Single crystal wurtzite GaN on (111) GaAs with AlN buffer layers grown by reactive magnetron sputter deposition
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Single crystal wurtzite GaN on (111) GaAs with AlN buffer layers grown by reactive magnetron sputter deposition

Ross, Jennifer ; Rubin, Mike ; Gustafson, T.K.

Journal of materials research, 1993-10, Vol.8 (10), p.2613-2616 [Periódico revisado por pares]

New York, USA: Cambridge University Press

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10
Local vibrational modes in Mg-doped gallium nitride
Local vibrational modes in Mg-doped gallium nitride
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Local vibrational modes in Mg-doped gallium nitride

Brandt, MS ; Ager, 3rd, JW ; Götz, W ; Johnson, NM ; Harris, Jr, JS ; Molnar, RJ ; Moustakas, TD

Physical review. B, Condensed matter, 1994-05, Vol.49 (20), p.14758-14761 [Periódico revisado por pares]

United States

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