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Cascode GaN/SiC: A Wide-Bandgap Heterogenous Power Device for High-Frequency Applications
Cascode GaN/SiC: A Wide-Bandgap Heterogenous Power Device for High-Frequency Applications
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Cascode GaN/SiC: A Wide-Bandgap Heterogenous Power Device for High-Frequency Applications

Xu, Jiale ; Gu, Lei ; Ye, Zhechi ; Kargarrazi, Saleh ; Rivas-Davila, Juan Manuel

IEEE transactions on power electronics, 2020-06, Vol.35 (6), p.6340-6349 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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650-V Double-Channel Lateral Schottky Barrier Diode With Dual-Recess Gated Anode
650-V Double-Channel Lateral Schottky Barrier Diode With Dual-Recess Gated Anode
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650-V Double-Channel Lateral Schottky Barrier Diode With Dual-Recess Gated Anode

Lei, Jiacheng ; Wei, Jin ; Tang, Gaofei ; Zhang, Zhaofu ; Qian, Qingkai ; Zheng, Zheyang ; Hua, Mengyuan ; Chen, Kevin J.

IEEE electron device letters, 2018-02, Vol.39 (2), p.260-263 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Review of Commercial GaN Power Devices and GaN-Based Converter Design Challenges
Review of Commercial GaN Power Devices and GaN-Based Converter Design Challenges
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Review of Commercial GaN Power Devices and GaN-Based Converter Design Challenges

Jones, Edward A. ; Wang, Fei Fred ; Costinett, Daniel

IEEE journal of emerging and selected topics in power electronics, 2016-09, Vol.4 (3), p.707-719 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

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Temperature-Dependent Internal Quantum Efficiency of Blue High-Brightness Light-Emitting Diodes
Temperature-Dependent Internal Quantum Efficiency of Blue High-Brightness Light-Emitting Diodes
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Temperature-Dependent Internal Quantum Efficiency of Blue High-Brightness Light-Emitting Diodes

Titkov, Ilya E. ; Karpov, Sergey Yu ; Yadav, Amit ; Zerova, Vera L. ; Zulonas, Modestas ; Galler, Bastian ; Strassburg, Martin ; Pietzonka, Ines ; Lugauer, Hans-Juergen ; Rafailov, Edik U.

IEEE journal of quantum electronics, 2014-11, Vol.50 (11), p.911-920 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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25
Design of a β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode With p-Type III-Nitride Guard Ring for Enhanced Breakdown
Design of a β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode With p-Type III-Nitride Guard Ring for Enhanced Breakdown
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Design of a β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode With p-Type III-Nitride Guard Ring for Enhanced Breakdown

Roy, Saurav ; Bhattacharyya, Arkka ; Krishnamoorthy, Sriram

IEEE transactions on electron devices, 2020-11, Vol.67 (11), p.4842-4848 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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An Overview of Normally-Off GaN-Based High Electron Mobility Transistors
An Overview of Normally-Off GaN-Based High Electron Mobility Transistors
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An Overview of Normally-Off GaN-Based High Electron Mobility Transistors

Roccaforte, Fabrizio ; Greco, Giuseppe ; Fiorenza, Patrick ; Iucolano, Ferdinando

Materials, 2019-05, Vol.12 (10), p.1599 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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633-nm InGaN-based red LEDs grown on thick underlying GaN layers with reduced in-plane residual stress
633-nm InGaN-based red LEDs grown on thick underlying GaN layers with reduced in-plane residual stress
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633-nm InGaN-based red LEDs grown on thick underlying GaN layers with reduced in-plane residual stress

Iida, Daisuke ; Zhuang, Zhe ; Kirilenko, Pavel ; Velazquez-Rizo, Martin ; Najmi, Mohammed A. ; Ohkawa, Kazuhiro

Applied physics letters, 2020-04, Vol.116 (16) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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A Review of GaN on SiC High Electron-Mobility Power Transistors and MMICs
A Review of GaN on SiC High Electron-Mobility Power Transistors and MMICs
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A Review of GaN on SiC High Electron-Mobility Power Transistors and MMICs

Pengelly, R. S. ; Wood, S. M. ; Milligan, J. W. ; Sheppard, S. T. ; Pribble, W. L.

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2012-06, Vol.60 (6), p.1764-1783 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Flexible Gallium Nitride for High‐Performance, Strainable Radio‐Frequency Devices
Flexible Gallium Nitride for High‐Performance, Strainable Radio‐Frequency Devices
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Flexible Gallium Nitride for High‐Performance, Strainable Radio‐Frequency Devices

Glavin, Nicholas R. ; Chabak, Kelson D. ; Heller, Eric R. ; Moore, Elizabeth A. ; Prusnick, Timothy A. ; Maruyama, Benji ; Walker, Dennis E. ; Dorsey, Donald L. ; Paduano, Qing ; Snure, Michael

Advanced materials (Weinheim), 2017-12, Vol.29 (47), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Germany: Wiley Subscription Services, Inc

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300-GHz InAlN/GaN HEMTs With InGaN Back Barrier
300-GHz InAlN/GaN HEMTs With InGaN Back Barrier
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300-GHz InAlN/GaN HEMTs With InGaN Back Barrier

Dong Seup Lee ; Xiang Gao ; Shiping Guo ; Kopp, D. ; Fay, P. ; Palacios, T.

IEEE electron device letters, 2011-11, Vol.32 (11), p.1525-1527 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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