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Memristive FG-PVA Structures Fabricated with the Use of High Energy Xe Ion Irradiation
Memristive FG-PVA Structures Fabricated with the Use of High Energy Xe Ion Irradiation
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Memristive FG-PVA Structures Fabricated with the Use of High Energy Xe Ion Irradiation

Ivanov, Artem I ; Antonova, Irina V ; Nebogatikova, Nadezhda A ; Olejniczak, Andrzej

Materials, 2022-03, Vol.15 (6), p.2085 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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2
Electrical Characterization of Emerging Transistor Technologies: Issues and Challenges
Electrical Characterization of Emerging Transistor Technologies: Issues and Challenges
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Electrical Characterization of Emerging Transistor Technologies: Issues and Challenges

Haferlach, Max ; Pacheco, Anibal ; Sakalas, Paulius ; Alexandru, Mihaela ; Hermann, Sascha ; Nardmann, Tobias ; Schroter, Michael ; Claus, Martin

IEEE transactions on nanotechnology, 2016-07, Vol.15 (4), p.619-626 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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3
On Local Sensing of Spin Hall Effect in Tungsten Films by Using STM-Based Measurements
On Local Sensing of Spin Hall Effect in Tungsten Films by Using STM-Based Measurements
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On Local Sensing of Spin Hall Effect in Tungsten Films by Using STM-Based Measurements

Ting Xie ; Dreyer, Michael ; Bowen, David ; Hinkel, Dan ; Butera, R. E. ; Krafft, Charles ; Mayergoyz, Isaak

IEEE transactions on nanotechnology, 2018-09, Vol.17 (5), p.914-919 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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4
Single Nanowire Optical Correlator
Single Nanowire Optical Correlator
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Single Nanowire Optical Correlator

Yu, Huakang ; Fang, Wei ; Wu, Xiaoqin ; Lin, Xing ; Tong, Limin ; Liu, Weitao ; Wang, Aimin ; Shen, Y. Ron

Nano letters, 2014-06, Vol.14 (6), p.3487-3490 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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5
Characteristics of GaN-Based Nanowire Gate-All-Around (GAA) Transistors
Characteristics of GaN-Based Nanowire Gate-All-Around (GAA) Transistors
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Characteristics of GaN-Based Nanowire Gate-All-Around (GAA) Transistors

Im, Ki-Sik ; Reddy, Mallem Siva Pratap ; Choi, Jinseok ; Hwang, Youngmin ; Roh, Jea-Seung ; An, Sung Jin ; Lee, Jung-Hee

Journal of nanoscience and nanotechnology, 2020-07, Vol.20 (7), p.4282-4286

26650 The Old Road, Suite 208, Valencia, California 91381, USA: American Scientific Publishers

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6
Nanosecond Analog Programming of Substoichiometric Silicon Oxide Resistive RAM
Nanosecond Analog Programming of Substoichiometric Silicon Oxide Resistive RAM
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Nanosecond Analog Programming of Substoichiometric Silicon Oxide Resistive RAM

Montesi, Luca ; Buckwell, Mark ; Zarudnyi, Konstantin ; Garnett, Leon ; Hudziak, Steven ; Mehonic, Adnan ; Kenyon, Anthony J.

IEEE transactions on nanotechnology, 2016-05, Vol.15 (3), p.428-434 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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7
Design and Implementation of a Facility for Discovering New Scintillator Materials
Design and Implementation of a Facility for Discovering New Scintillator Materials
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Design and Implementation of a Facility for Discovering New Scintillator Materials

Derenzo, S.E. ; Boswell, M.S. ; Bourret-Courchesne, E. ; Boutchko, R. ; Budinger, T.F. ; Canning, A. ; Hanrahan, S.M. ; Janecek, M. ; Qiyu Peng ; Porter-Chapman, Y. ; Powell, J.D. ; Ramsey, C.A. ; Taylor, S.E. ; Lin-Wang Wang ; Weber, M.J. ; Wilson, D.S.

IEEE transactions on nuclear science, 2008-06, Vol.55 (3), p.1458-1463 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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8
Research on Time-Domain Transfer Impedance Measurement Technology for High Frequency Current Transformers in Partial Discharge Detection of Cables
Research on Time-Domain Transfer Impedance Measurement Technology for High Frequency Current Transformers in Partial Discharge Detection of Cables
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Research on Time-Domain Transfer Impedance Measurement Technology for High Frequency Current Transformers in Partial Discharge Detection of Cables

Song, Simeng ; Chen, Xiaoxin ; Qian, Yong ; Wang, Hui ; Zhang, Yue ; Sheng, Gehao ; Jiang, Xiuchen

Shanghai jiao tong da xue xue bao, 2020-02, Vol.25 (1), p.10-17 [Periódico revisado por pares]

Shanghai: Shanghai Jiaotong University Press

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9
High Device Performances and Noise Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Using In Situ SiCN and SiN Cap Layer
High Device Performances and Noise Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Using In Situ SiCN and SiN Cap Layer
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High Device Performances and Noise Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Using In Situ SiCN and SiN Cap Layer

Im, Ki-Sik ; Mallem, Siva Pratap Reddy ; Choi, Jin-Seok ; Hwang, Young-Min ; Roh, Jae-Seung ; An, Sung-Jin ; Lee, Jae-Hoon

Nanomaterials (Basel, Switzerland), 2022-02, Vol.12 (4), p.643 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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10
Active properties of carbon nanotube field-effect transistors deduced from S parameters measurements
Active properties of carbon nanotube field-effect transistors deduced from S parameters measurements
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Active properties of carbon nanotube field-effect transistors deduced from S parameters measurements

Bethoux, J.-M. ; Happy, H. ; Siligaris, A. ; Dambrine, G. ; Borghetti, J. ; Derycke, V. ; Bourgoin, J.-P.

IEEE transactions on nanotechnology, 2006-07, Vol.5 (4), p.335-342 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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