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1
Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos.
Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos.

Cavallari, Marco Roberto

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-02-19

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Dendrimer based pH sensors
Dendrimer based pH sensors
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Dendrimer based pH sensors

Nirton Cristi Silva Vieira Francisco Eduardo Gontijo Guimarães; Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC (12. 2008 São Carlos)

Caderno de Resumos São Carlos : Instituto de Física de São Carlos - USP, 2008

São Carlos Instituto de Física de São Carlos - USP 2008

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD015615 ) e outros locais(Acessar)

3
Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta
Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta

Stefanelo, Josiani Cristina

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola de Engenharia de São Carlos 2014-07-02

Acesso online

4
Magnetoresistive hybrid transistor in vertical architecture
Magnetoresistive hybrid transistor in vertical architecture
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Magnetoresistive hybrid transistor in vertical architecture

Michelle Sostag Meruvia Adriano Reinaldo Viçoto Benvenho; Ivo Alexandre Hümmelgen; Jorge Antonio Gómez; Carlos Frederico de Oliveira Graeff; Rosamaria Wu Chia Li; Luis Henrique Jatobá de Moraes da Costa Aguiar; Jonas Gruber

Physica Status Solidi A - Applied Research Weinheim v. 202, n. 14, p. R158-R160, 2005

Weinheim 2005

Localização: FFCLRP - Fac. Fil. Ciên. Let. de R. Preto    (pcd 1515695 )(Acessar)

5
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Cross-section features influence on surrounding MuGFETs

Márcio Dalla Valle Martino Paula Ghedini Der Agopian; João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 91-98, 2010

New Jersey 2010

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6
Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices
Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices

Maria Glória Caño de Andrade João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 67-74, 2010

New Jersey 2010

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7
Characterization of InN thin films grown by IBAD method
Characterization of InN thin films grown by IBAD method
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Characterization of InN thin films grown by IBAD method

Marina Sparvoli José Fernando Diniz Chubaci; Ronaldo Domingues Mansano 1964-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 165-170, 2010

New Jersey 2010

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8
PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors
PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors

Marco Roberto Cavallari Katia Franklin Albertin; Gerson dos Santos; Carlos Alberto Santos Ramos; Inés Pereyra 1947-; Fernando Josepetti Fonseca 1959-; Adnei Melges de Andrade 1943-

Journal of Integrated Circuits and Systems v.5, n.2, p. 116-124, 2010

Porto Alegre 2010

Localização: IEE - Inst. de Energia e Ambiente    (Cavallari, M.R. T.2194p )(Acessar)

9
A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configuration
A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configuration
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configuration

Regiane Ragi Rafael Vinícius Tayette da Nóbrega; Murilo Araujo Romero

COMPEL : the international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering Bingley v. 31, n. 2, p. 460-476, 2012

Bingley 2012

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10
Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors
Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors

João Henrique Rocha Matos Josiani Cristina Stefanelo; Roberto Mendonça Faria; Brazilian MRS Meeting (16. 2017 Gramado); Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat (16. 2017 Gramado); Symposium I: Organic Electronics and Bioelectronics: Fundamentals and Applications (2017 Gramado)

Program Book Rio de Janeiro : Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2017

Rio de Janeiro Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat 2017

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Faria, R
  3. Agopian, P
  4. Brazilian MRS Meeting
  5. Fonseca, F

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Microeletrônica
  3. Polímeros (Materiais)
  4. Transistors
  5. Dielétricos

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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