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1
Spin-polarized current produced by a double barrier resonant tunneling diode
Spin-polarized current produced by a double barrier resonant tunneling diode
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Spin-polarized current produced by a double barrier resonant tunneling diode

J. B. Xia Guo-Qiang Hai; J.N Wang

Solid State Communications Oxford v. 127, n. 7, p. 489-492, Aug. 2003

Oxford 2003

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD009128 )(Acessar)

2
Oscillator strength of a two-dimensional 'D POT.-' ion in magnetic fields
Oscillator strength of a two-dimensional 'D POT.-' ion in magnetic fields
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Oscillator strength of a two-dimensional 'D POT.-' ion in magnetic fields

A. S. Santos Lidério Citrângulo Ioriatti Júnior; J. J De Groote

Solid State Communications Oxford v. 129, n. 5, p. 325-330, Feb. 2004

Oxford 2004

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD009502 )(Acessar)

3
Oscillator strength of a two-dimensional 'D POT.-' ion in magnetic fields
Oscillator strength of a two-dimensional 'D POT.-' ion in magnetic fields
Material Type:
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Oscillator strength of a two-dimensional 'D POT.-' ion in magnetic fields

A. S. Santos Lidério Citrângulo Ioriatti Júnior; J. J De Groote

Solid State Communications Oxford v. 129, n. 5, p. 325-330, Feb. 2004

Oxford 2004

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD009502 )(Acessar)

4
Spin-polarized current produced by a double barrier resonant tunneling diode
Spin-polarized current produced by a double barrier resonant tunneling diode
Material Type:
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Spin-polarized current produced by a double barrier resonant tunneling diode

J. B. Xia Guo-Qiang Hai; J.N Wang

Solid State Communications Oxford v. 127, n. 7, p. 489-492, Aug. 2003

Oxford 2003

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD009128 )(Acessar)

5
Absence of delocalised states in a 2d electron gas in a magnetic field below ''omega' IND.C''TAU' = 1
Absence of delocalised states in a 2d electron gas in a magnetic field below ''omega' IND.C''TAU' = 1
Material Type:
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Absence of delocalised states in a 2d electron gas in a magnetic field below ''omega' IND.C''TAU' = 1

G M Gusev U Gennser; X Kleber; D K Maude; J C Portal; D I Lubyshev; Pierre Basmaji; M P A Silva; J C Rossi; Y V Nastaushev

New York v.100, n.4 , p.269-73, 1996 Solid State Communications

New York 1996

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD004572 )(Acessar)

6
Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
Material Type:
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Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'

A C Notari B J Schrappe; Pierre Basmaji

New York v.81, n.4 , p.363-5, 1992 Solid State Communications

New York 1992

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001984 )(Acessar)

7
Interplay between direct gap renormalization and intervalley scattering in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'As near the 'gama'-X crossover
Interplay between direct gap renormalization and intervalley scattering in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'As near the 'gama'-X crossover
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Interplay between direct gap renormalization and intervalley scattering in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'As near the 'gama'-X crossover

L. H. F. Andrade R. E Marotti; A. A Quivy (Alain André); C. H. de Brito Cruz

Solid State Communications Oxford v. 121, n. 4, p. 181-185, 2002

Oxford 2002

Acesso online

8
Neutral dangling bond depletion in amorphous SiN films induced by magnetic rare-earth elements
Neutral dangling bond depletion in amorphous SiN films induced by magnetic rare-earth elements
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Neutral dangling bond depletion in amorphous SiN films induced by magnetic rare-earth elements

M. S. Sercheli C Rettori; Antonio Ricardo Zanatta

Solid State Communications Oxford v. 128, n. 2/3, p. 47-50, Oct. 2003

Oxford 2003

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD009167 )(Acessar)

9
Polaronic effects on the intra-donor 1s'SETA''2p POT. '= OU -'' transition energies in GaN structures
Polaronic effects on the intra-donor 1s'SETA''2p POT. '= OU -'' transition energies in GaN structures
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Polaronic effects on the intra-donor 1s'SETA''2p POT. '= OU -'' transition energies in GaN structures

R B Almeida A N Borges; P C M Machado; J. R Leite (José Roberto); F A P Osório

Solid State Communications v. 130, n. 1-2, p. 95-99, 2004

Oxford 2004

Acesso online

10
Hybrid magnetic transistor
Hybrid magnetic transistor
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Hybrid magnetic transistor

Michelles Sostag Meruvia Adriano Reinaldo Viçoto Benvenho; Ivo Alexandre Hümmelgen; Rosamaria Wu Chia Li; Luis Henrique Jatobá de Moraes da Costa Aguiar; Jonas Gruber

Solid State Communications New York v. 139, n. 1, p. 27-30, 2006

New York 2006

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Deste Autor:

  1. Basmaji, P
  2. Fazzio, A
  3. Silva, A
  4. Gusev, G
  5. Nastaushev, Y

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Matéria Condensada
  3. Filmes Finos
  4. Magnetismo
  5. Ferromagnetismo

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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