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Resultados de 1 a 10 de 75  para Produção Intelectual da USP

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1
Estudo e caracterização de pontos quânticos semicondutores através de microscopia eletrônica de transmissão
Estudo e caracterização de pontos quânticos semicondutores através de microscopia eletrônica de transmissão
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo e caracterização de pontos quânticos semicondutores através de microscopia eletrônica de transmissão

S G Rodrigues E Petitprez; P P González-Borrero; Pierre Basmaji; Euclydes Marega Júnior; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (20. 1997 Caxambu)

São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1997

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1997

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD004688 ) e outros locais(Acessar)

2
Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe
Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe

A C Notari N Lapasse; Máximo Siu Li; Pierre Basmaji; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (13. 1990 São Paulo)

Programa e Resumos São Paulo : Sbf, 1990

São Paulo Sbf 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001254 ) e outros locais(Acessar)

3
Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional
Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional

L G O Messias Pierre Basmaji; Simposio Interno da Pos-Graduacao do Ifsc (3. 1996 São Carlos)

Resumos São Carlos : Ifsc-USP, 1996

Sao Carlos Ifsc-Usp 1996

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD004511 ) e outros locais(Acessar)

4
MBE crystal growth
MBE crystal growth
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

MBE crystal growth

Pierre Basmaji Brazilian School Semicondutores Physics (5. 1991 São Paulo)

Proceedings São Paulo, 1991

São Paulo 1991

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001238 ) e outros locais(Acessar)

5
Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe)
Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe)

B J Schrappe A C Notari; Máximo Siu Li; Pierre Basmaji; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (13. 1990 Caxambu)

Programa e Resumos São Paulo : Sbf, 1990

São Paulo Sbf 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001253 ) e outros locais(Acessar)

6
Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras III-V crescidas por epitaxia por feixes moleculares.
Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras III-V crescidas por epitaxia por feixes moleculares.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras III-V crescidas por epitaxia por feixes moleculares.

Notari, Airton Carlos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física e Química de São Carlos 1993-04-29

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

7
Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE)
Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE)

A. C. Notari Máximo Siu Li; P Basmaji; M Minondo; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (11. 1990 São Paulo)

Anais São Paulo, 1990

São Paulo 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001536 )(Acessar)

8
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)

B. J. Schrappe A. C Notari; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (11. 1990 São Paulo)

Anais São Paulo, 1990

São Paulo 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001539 )(Acessar)

9
Highlights and selected aspects of the development of molecular beam epitaxy perspective and future directions
Highlights and selected aspects of the development of molecular beam epitaxy perspective and future directions
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Highlights and selected aspects of the development of molecular beam epitaxy perspective and future directions

Pierre Basmaji Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (18. 1995 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1995

São Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1995

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003538 ) e outros locais(Acessar)

10
Dependence of the width of a 'DELTA'-impurity layer on position in an 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' strained quantum well
Dependence of the width of a 'DELTA'-impurity layer on position in an 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' strained quantum well
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Dependence of the width of a 'DELTA'-impurity layer on position in an 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' strained quantum well

A C Notari B Schrappe; Pierre Basmaji; Oscar Hipólito

Berlin v.126, n.2 , p.k119-22, 1991 Physica Status Solidi a

Berlin 1991

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001249 )(Acessar)

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