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Refinado por: Nome da Publicação: Ieee Transactions on Electron devices

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1	$TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs$ $TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs$ Material Type: Artigo		TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs Rudolf Theoderich Bühler Benjamin Vincent; Liesbeth J Witters; Paola Favia; Geert Eneman; João Antonio Martino 1959- IEEE Transactions on Electron Devices v. 62, n. 4, p. 1079-1084, April 2015 2015 Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar) Detalhes Resenhas & Tags Solicitações Mais Opções