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1
Microvoids in diamond-like amorphous silicon carbide
Microvoids in diamond-like amorphous silicon carbide
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Microvoids in diamond-like amorphous silicon carbide

Marcelo Nelson Paez Carreño 1962- Inés Pereyra 1947-; Márcia Carvalho de Abreu Fantini; H Takahashi; R Landers

New York v.75, n.1 , p.538-42, jan. 1994 Journal of Applied Physics

New York 1994

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2
Microvoids in diamond-like amorphous silicon carbide
Microvoids in diamond-like amorphous silicon carbide
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Microvoids in diamond-like amorphous silicon carbide

Marcelo Nelson Paez Carreño 1962- Inés Pereyra 1947-; Márcia Carvalho de Abreu Fantini; H Takahashi; R Landers

New York v.75, n.1 , p.538-42, jan. 1994 Journal of Applied Physics

New York 1994

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3
Effect of plasma etching, carbon concentration, and buffer layer on the properties of a-'SI' h / a-'SI IND.1-X''C IND.X' : h multilayers
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Effect of plasma etching, carbon concentration, and buffer layer on the properties of a-'SI' h / a-'SI IND.1-X''C IND.X' : h multilayers

E L Z Velasquez Márcia Carvalho de Abreu Fantini; Marcelo Nelson Páez Carreño 1962-; Inés Pereyra 1947-; H Takahashi; R Landers

New York v.75, n.1 , p.543-8, jan. 1994 Journal of Applied Physics

New York 1994

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4
Influence of starving plasma regime on carbon content and bonds in 'a-Si ind. 1-x''C ind. x' H thin films
Influence of starving plasma regime on carbon content and bonds in 'a-Si ind. 1-x''C ind. x' H thin films
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Influence of starving plasma regime on carbon content and bonds in 'a-Si ind. 1-x''C ind. x' H thin films

Inés Pereyra 1947- Marcelo Nelson Páez Carreño 1962-; Manfredo Harri Tabacniks; Rogerio Junqueira Prado; Márcia Carvalho de Abreu Fantini

Journal of Applied Physics v. 84, n. 5, p. 2371-2379, 1998

1998

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5
On the structural properties of a-'SI IND.1-X' 'c ind.X h' thin films
On the structural properties of a-'SI IND.1-X' 'c ind.X h' thin films
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On the structural properties of a-'SI IND.1-X' 'c ind.X h' thin films

Valmor Roberto Mastelaro A M Flank; Márcia Carvalho de Abreu Fantini; Diomar da Rocha Santos Bittencourt; Marcelo Nelson Páez Carreño 1962-; Inés Pereyra 1947-

New York v.79, n.3 , p.1324-9, 1996 Journal of Applied Physics

New York 1996

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6
Influence of starving plasma regime on carbon content and bonds in 'a-Si ind. 1-x''C ind. x' H thin films
Influence of starving plasma regime on carbon content and bonds in 'a-Si ind. 1-x''C ind. x' H thin films
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Influence of starving plasma regime on carbon content and bonds in 'a-Si ind. 1-x''C ind. x' H thin films

Inés Pereyra 1947- Marcelo Nelson Páez Carreño 1962-; Manfredo Harri Tabacniks; Rogerio Junqueira Prado; Márcia Carvalho de Abreu Fantini

Journal of Applied Physics v. 84, n. 5, p. 2371-2379, 1998

1998

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On the structural properties of a-'SI IND.1-X' 'c ind.X h' thin films
On the structural properties of a-'SI IND.1-X' 'c ind.X h' thin films
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

On the structural properties of a-'SI IND.1-X' 'c ind.X h' thin films

Valmor Roberto Mastelaro A M Flank; Márcia Carvalho de Abreu Fantini; Diomar da Rocha Santos Bittencourt; Marcelo Nelson Páez Carreño 1962-; Inés Pereyra 1947-

New York v.79, n.3 , p.1324-9, 1996 Journal of Applied Physics

New York 1996

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Effect of plasma etching, carbon concentration, and buffer layer on the properties of a-'SI' h / a-'SI IND.1-X''C IND.X' : h multilayers
Effect of plasma etching, carbon concentration, and buffer layer on the properties of a-'SI' h / a-'SI IND.1-X''C IND.X' : h multilayers
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Effect of plasma etching, carbon concentration, and buffer layer on the properties of a-'SI' h / a-'SI IND.1-X''C IND.X' : h multilayers

E L Z Velasquez Márcia Carvalho de Abreu Fantini; Marcelo Nelson Páez Carreño 1962-; Inés Pereyra 1947-; H Takahashi; R Landers

New York v.75, n.1 , p.543-8, jan. 1994 Journal of Applied Physics

New York 1994

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Microvoids in diamond-like amorphous silicon carbide
Microvoids in diamond-like amorphous silicon carbide
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Microvoids in diamond-like amorphous silicon carbide

Carreño, M. N. P. ; Pereyra, I. ; Fantini, M. C. A. ; Takahashi, H. ; Landers, R.

Journal of applied physics, 1994-01, Vol.75 (1), p.538-542 [Periódico revisado por pares]

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10
The influence of “starving plasma” regime on carbon content and bonds in a-Si1−xCx:H thin films
The influence of “starving plasma” regime on carbon content and bonds in a-Si1−xCx:H thin films
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The influence of “starving plasma” regime on carbon content and bonds in a-Si1−xCx:H thin films

Pereyra, I. ; Carreño, M. N. P. ; Tabacniks, M. H. ; Prado, R. J. ; Fantini, M. C. A.

Journal of applied physics, 1998-09, Vol.84 (5), p.2371-2379 [Periódico revisado por pares]

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  2. Fantini, M
  3. Páez Carreño, M
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  5. Takahashi, H

Neste Assunto:

  1. Physics, Applied
  2. Matéria Condensada
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