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Recent Issues in Negative-Bias Temperature Instability: Initial Degradation, Field Dependence of Interface Trap Generation, Hole Trapping Effects, and Relaxation
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Recent Issues in Negative-Bias Temperature Instability: Initial Degradation, Field Dependence of Interface Trap Generation, Hole Trapping Effects, and Relaxation

Islam, A.E. ; Kufluoglu, H. ; Varghese, D. ; Mahapatra, S. ; Alam, M.A.

IEEE transactions on electron devices, 2007-09, Vol.54 (9), p.2143-2154 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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2
Design Considerations of Silicon Nanowire Biosensors
Design Considerations of Silicon Nanowire Biosensors
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Design Considerations of Silicon Nanowire Biosensors

Nair, P.R. ; Alam, M.A.

IEEE transactions on electron devices, 2007-12, Vol.54 (12), p.3400-3408 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Investigation and modeling of interface and bulk trap generation during negative bias temperature instability of p-MOSFETs
Investigation and modeling of interface and bulk trap generation during negative bias temperature instability of p-MOSFETs
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Investigation and modeling of interface and bulk trap generation during negative bias temperature instability of p-MOSFETs

Mahapatra, S. ; Kumar, P.B. ; Alam, M.A.

IEEE transactions on electron devices, 2004-09, Vol.51 (9), p.1371-1379 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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4
Theory of interface-trap-induced NBTI degradation for reduced cross section MOSFETs
Theory of interface-trap-induced NBTI degradation for reduced cross section MOSFETs
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Theory of interface-trap-induced NBTI degradation for reduced cross section MOSFETs

Kufluoglu, H. ; Alam, M.A.

IEEE transactions on electron devices, 2006-05, Vol.53 (5), p.1120-1130 [Periódico revisado por pares]

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5
Limits of Performance Gain of Aligned CNT Over Randomized Network: Theoretical Predictions and Experimental Validation
Limits of Performance Gain of Aligned CNT Over Randomized Network: Theoretical Predictions and Experimental Validation
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Limits of Performance Gain of Aligned CNT Over Randomized Network: Theoretical Predictions and Experimental Validation

Pimparkar, N. ; Kocabas, C. ; Seong Jun Kang ; Rogers, J. ; Alam, M.A.

IEEE electron device letters, 2007-07, Vol.28 (7), p.593-595 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Isolation of NBTI Stress Generated Interface Trap and Hole-Trapping Components in PNO p-MOSFETs
Isolation of NBTI Stress Generated Interface Trap and Hole-Trapping Components in PNO p-MOSFETs
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Isolation of NBTI Stress Generated Interface Trap and Hole-Trapping Components in PNO p-MOSFETs

Mahapatra, S. ; Maheta, V.D. ; Islam, A.E. ; Alam, M.A.

IEEE transactions on electron devices, 2009-02, Vol.56 (2), p.236-242 [Periódico revisado por pares]

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Scaling Limits of Double-Gate and Surround-Gate Z-RAM Cells
Scaling Limits of Double-Gate and Surround-Gate Z-RAM Cells
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Scaling Limits of Double-Gate and Surround-Gate Z-RAM Cells

Butt, N.Z. ; Alam, M.A.

IEEE transactions on electron devices, 2007-09, Vol.54 (9), p.2255-2262 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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8
Exploring the Capability of Multifrequency Charge Pumping in Resolving Location and Energy Levels of Traps Within Dielectric
Exploring the Capability of Multifrequency Charge Pumping in Resolving Location and Energy Levels of Traps Within Dielectric
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Exploring the Capability of Multifrequency Charge Pumping in Resolving Location and Energy Levels of Traps Within Dielectric

Masuduzzaman, M. ; Islam, A.E. ; Alam, M.A.

IEEE transactions on electron devices, 2008-12, Vol.55 (12), p.3421-3431 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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9
Simulation of Carbon Nanotube FETs Including Hot-Phonon and Self-Heating Effects
Simulation of Carbon Nanotube FETs Including Hot-Phonon and Self-Heating Effects
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Simulation of Carbon Nanotube FETs Including Hot-Phonon and Self-Heating Effects

Hasan, S. ; Alam, M.A. ; Lundstrom, M.S.

IEEE transactions on electron devices, 2007-09, Vol.54 (9), p.2352-2361 [Periódico revisado por pares]

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10
Theory of Breakdown Position Determination by Voltage- and Current-Ratio Methods
Theory of Breakdown Position Determination by Voltage- and Current-Ratio Methods
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Theory of Breakdown Position Determination by Voltage- and Current-Ratio Methods

Alam, M.A. ; Varghese, D. ; Kaczer, B.

IEEE transactions on electron devices, 2008-11, Vol.55 (11), p.3150-3158 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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