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Ultralow-Voltage Bilayer Graphene Tunnel FET
Ultralow-Voltage Bilayer Graphene Tunnel FET
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Ultralow-Voltage Bilayer Graphene Tunnel FET

Fiori, G. ; Iannaccone, G.

IEEE electron device letters, 2009-10, Vol.30 (10), p.1096-1098 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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875-MW/cm² Low-Resistance NO₂ p-Type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFETs
875-MW/cm² Low-Resistance NO₂ p-Type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFETs
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875-MW/cm² Low-Resistance NO₂ p-Type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFETs

Saha, Niloy Chandra ; Kim, Seong-Woo ; Oishi, Toshiyuki ; Kasu, Makoto

IEEE electron device letters, 2022-05, Vol.43 (5), p.777-780 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Graphene-Based Ambipolar RF Mixers
Graphene-Based Ambipolar RF Mixers
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Graphene-Based Ambipolar RF Mixers

Han Wang ; Hsu, Allen ; Wu, Justin ; Jing Kong ; Palacios, Tomas

IEEE electron device letters, 2010-09, Vol.31 (9), p.906-908 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Inverters With Strained Si Nanowire Complementary Tunnel Field-Effect Transistors
Inverters With Strained Si Nanowire Complementary Tunnel Field-Effect Transistors
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Inverters With Strained Si Nanowire Complementary Tunnel Field-Effect Transistors

Knoll, Lars ; Zhao, Qing-Tai ; Nichau, Alexander ; Trellenkamp, Stefan ; Richter, Simon ; Schafer, Anna ; Esseni, David ; Selmi, Luca ; Bourdelle, Konstantin K. ; Mantl, Siegfried

IEEE electron device letters, 2013-06, Vol.34 (6), p.813-815 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Sensitivity of Threshold Voltage to Nanowire Width Variation in Junctionless Transistors
Sensitivity of Threshold Voltage to Nanowire Width Variation in Junctionless Transistors
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Sensitivity of Threshold Voltage to Nanowire Width Variation in Junctionless Transistors

Sung-Jin Choi ; Dong-Il Moon ; Sungho Kim ; Duarte, J P ; Yang-Kyu Choi

IEEE electron device letters, 2011-02, Vol.32 (2), p.125-127 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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MoS2 Nanoribbon Transistors: Transition From Depletion Mode to Enhancement Mode by Channel-Width Trimming
MoS2 Nanoribbon Transistors: Transition From Depletion Mode to Enhancement Mode by Channel-Width Trimming
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MoS2 Nanoribbon Transistors: Transition From Depletion Mode to Enhancement Mode by Channel-Width Trimming

HAN LIU ; JIANGJIANG GU ; YE, Peide D

IEEE electron device letters, 2012-09, Vol.33 (9), p.1273-1275 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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7
Logic Circuits With Hydrogenated Diamond Field-Effect Transistors
Logic Circuits With Hydrogenated Diamond Field-Effect Transistors
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Logic Circuits With Hydrogenated Diamond Field-Effect Transistors

Jiangwei Liu ; Ohsato, Hirotaka ; Meiyong Liao ; Imura, Masataka ; Watanabe, Eiichiro ; Koide, Yasuo

IEEE electron device letters, 2017-07, Vol.38 (7), p.922-925 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Improving Deposition Density of Solution Processed Carbon Nanotubes by Substrate Treatment for High-Performance Flexible Thin Film Transistors
Improving Deposition Density of Solution Processed Carbon Nanotubes by Substrate Treatment for High-Performance Flexible Thin Film Transistors
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Improving Deposition Density of Solution Processed Carbon Nanotubes by Substrate Treatment for High-Performance Flexible Thin Film Transistors

Xiang, Li ; Ye, Huaidong ; Yu, Xingge ; Liu, Jie ; Pan, Anlian

IEEE electron device letters, 2024-04, p.1-1 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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High-performance fully depleted silicon nanowire (diameter /spl les/ 5 nm) gate-all-around CMOS devices
High-performance fully depleted silicon nanowire (diameter /spl les/ 5 nm) gate-all-around CMOS devices
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High-performance fully depleted silicon nanowire (diameter /spl les/ 5 nm) gate-all-around CMOS devices

Singh, N. ; Agarwal, A. ; Bera, L.K. ; Liow, T.Y. ; Yang, R. ; Rustagi, S.C. ; Tung, C.H. ; Kumar, R. ; Lo, G.Q. ; Balasubramanian, N. ; Kwong, D.-L.

IEEE electron device letters, 2006-05, Vol.27 (5), p.383-386 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Anode-Integrated GaN Field Emitter Arrays for Compact Vacuum Transistors
Anode-Integrated GaN Field Emitter Arrays for Compact Vacuum Transistors
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Anode-Integrated GaN Field Emitter Arrays for Compact Vacuum Transistors

Shih, Pao-Chuan ; Perozek, Joshua ; Akinwande, Akintunde I. ; Palacios, Tomas

IEEE electron device letters, 2023-11, Vol.44 (11), p.1895-1898 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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