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Chapter 3 Ultrafast dynamics in wide bandgap wurtzite GaN
Chapter 3 Ultrafast dynamics in wide bandgap wurtzite GaN
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Chapter 3 Ultrafast dynamics in wide bandgap wurtzite GaN

Tsen, K.T.

Semiconductors and Semimetals, 2001, Vol.67, p.109-149 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Science & Technology

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2
An Analytical Solution for Inhomogeneous Strain Fields Within Wurtzite GaN Cylinders Under Compression Test
An Analytical Solution for Inhomogeneous Strain Fields Within Wurtzite GaN Cylinders Under Compression Test
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An Analytical Solution for Inhomogeneous Strain Fields Within Wurtzite GaN Cylinders Under Compression Test

Wei, X. X

IntechOpen 2011

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3
Ultrafast Dynamics in Wide Bandgap Wurtzite GaN
Ultrafast Dynamics in Wide Bandgap Wurtzite GaN
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Capítulo de Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Ultrafast Dynamics in Wide Bandgap Wurtzite GaN

Willardson, R. K ; Weber, Eicke R ; Tsen, Kong-Thon

Ultrafast Physical Processes in Semiconductors, 2000

United States: Elsevier Science & Technology

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4
Extended Defects in Wurtzite GaN Layers: Atomic Structure, Formation, and Interaction Mechanisms
Extended Defects in Wurtzite GaN Layers: Atomic Structure, Formation, and Interaction Mechanisms
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Extended Defects in Wurtzite GaN Layers: Atomic Structure, Formation, and Interaction Mechanisms

Ruterana, Pierre ; Sánchez, Ana M ; Nouet, Gérard Ruterana, Pierre ; Albrecht, Martin ; Neugebauer, Jörg

Nitride Semiconductors, 2003, p.379-438

Weinheim, FRG: Wiley‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA

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5
Wurtzite Gallium Nitride (α-GaN)
Wurtzite Gallium Nitride (α-GaN)
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Wurtzite Gallium Nitride (α-GaN)

Adachi, Sadao

Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors, p.175-187

Boston, MA: Springer US

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6
Chapter 22 - High-pressure generation in the Kawai-type apparatus equipped with sintered diamond anvils: Application to the wurtzite-rocksalt transformation in GaN
Chapter 22 - High-pressure generation in the Kawai-type apparatus equipped with sintered diamond anvils: Application to the wurtzite-rocksalt transformation in GaN
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Chapter 22 - High-pressure generation in the Kawai-type apparatus equipped with sintered diamond anvils: Application to the wurtzite-rocksalt transformation in GaN

Ito, Eiji ; Katsura, Tomoo ; Aizawa, Yoshitaka ; Kawabe, Kazuyuki ; Yokoshi, Sho ; Kubo, Atsushi ; Nozawa, Akifumi ; Funakoshi, Ken-ichi

Advances in High-Pressure Techniques for Geophysical Applications, 2005, p.451-460

Elsevier B.V

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GaN Laser Diodes on Nonpolar and Semipolar Planes
GaN Laser Diodes on Nonpolar and Semipolar Planes
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Capítulo de Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

GaN Laser Diodes on Nonpolar and Semipolar Planes

Kelchner, K.M. ; DenBaars, S.P. ; Speck, J.S.

Advances in Semiconductor Lasers, 2012, Vol.86, p.149-182 [Periódico revisado por pares]

United States: Elsevier Science & Technology

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Surface Structure and Adatom Kinetics of Group‐III Nitrides
Surface Structure and Adatom Kinetics of Group‐III Nitrides
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Capítulo de Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Surface Structure and Adatom Kinetics of Group‐III Nitrides

Neugebauer, Jörg Ruterana, Pierre ; Albrecht, Martin ; Neugebauer, Jörg

Nitride Semiconductors, 2003, p.295-318

Weinheim, FRG: Wiley‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA

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9
Chapter 3 Effect of Dislocations on Electrical and Optical Properties in GaAs and GaN
Chapter 3 Effect of Dislocations on Electrical and Optical Properties in GaAs and GaN
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Chapter 3 Effect of Dislocations on Electrical and Optical Properties in GaAs and GaN

You, J.H. ; Johnson, H.T.

Solid State Physics, 2009, Vol.61, p.143-261 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Science & Technology

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10
Cubic Gallium Nitride (β-GaN)
Cubic Gallium Nitride (β-GaN)
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Cubic Gallium Nitride (β-GaN)

Adachi, Sadao

Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors, p.188-197

Boston, MA: Springer US

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  3. 2003Até2007  (61)
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