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Selective growth of wurtzite GaN and AlxGa1− xN on GaN/sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy
Selective growth of wurtzite GaN and AlxGa1− xN on GaN/sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Selective growth of wurtzite GaN and AlxGa1− xN on GaN/sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

Kato, Yoshiki ; Kitamura, Shota ; Hiramatsu, Kazumasa ; Sawaki, Nobuhiko

Journal of crystal growth, 1994-12, Vol.144 (3), p.133-140 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos
Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos
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Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos

Ramos, Luis Eugenio

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2002-09-10

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

3
Substitutional and interstitial carbon in wurtzite GaN
Substitutional and interstitial carbon in wurtzite GaN
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Substitutional and interstitial carbon in wurtzite GaN

Wright, A. F.

Journal of applied physics, 2002-09, Vol.92 (5), p.2575-2585 [Periódico revisado por pares]

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4
Transient electron transport in wurtzite GaN, InN, and AlN
Transient electron transport in wurtzite GaN, InN, and AlN
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Transient electron transport in wurtzite GaN, InN, and AlN

Foutz, Brian E. ; O’Leary, Stephen K. ; Shur, Michael S. ; Eastman, Lester F.

Journal of applied physics, 1999-06, Vol.85 (11), p.7727-7734 [Periódico revisado por pares]

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5
Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using γ-Al2O3 as an intermediate layer
Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using γ-Al2O3 as an intermediate layer
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using γ-Al2O3 as an intermediate layer

Wang, Lianshan ; Liu, Xianglin ; Zan, Yude ; Wang, Jun ; Wang, Du ; Lu, Da-cheng ; Wang, Zhanguo

Applied physics letters, 1998-01, Vol.72 (1), p.109-111 [Periódico revisado por pares]

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6
Determination of wurtzite GaN lattice polarity based on surface reconstruction
Determination of wurtzite GaN lattice polarity based on surface reconstruction
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Determination of wurtzite GaN lattice polarity based on surface reconstruction

Smith, A. R. ; Feenstra, R. M. ; Greve, D. W. ; Shin, M.-S. ; Skowronski, M. ; Neugebauer, J. ; Northrup, J. E.

Applied physics letters, 1998-04, Vol.72 (17), p.2114-2116 [Periódico revisado por pares]

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7
Photoluminescence from wurtzite GaN under hydrostatic pressure
Photoluminescence from wurtzite GaN under hydrostatic pressure
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoluminescence from wurtzite GaN under hydrostatic pressure

Kim, Sangsig ; Herman, Irving P. ; Tuchman, J. A. ; Doverspike, K. ; Rowland, L. B. ; Gaskill, D. K.

Applied physics letters, 1995-07, Vol.67 (3), p.380-382 [Periódico revisado por pares]

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8
Characterization of structural defects in wurtzite GaN grown on 6H SiC using plasma-enhanced molecular beam epitaxy
Characterization of structural defects in wurtzite GaN grown on 6H SiC using plasma-enhanced molecular beam epitaxy
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Characterization of structural defects in wurtzite GaN grown on 6H SiC using plasma-enhanced molecular beam epitaxy

Smith, David J. ; Chandrasekhar, D. ; Sverdlov, B. ; Botchkarev, A. ; Salvador, A. ; Morkoç, H.

Applied physics letters, 1995-09, Vol.67 (13), p.1830-1832 [Periódico revisado por pares]

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9
Influence of the surface morphology on the yellow and “edge” emissions in wurtzite GaN
Influence of the surface morphology on the yellow and “edge” emissions in wurtzite GaN
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Influence of the surface morphology on the yellow and “edge” emissions in wurtzite GaN

Godlewski, M. ; Goldys, E. M. ; Phillips, M. R. ; Langer, R. ; Barski, A.

Applied physics letters, 1998-12, Vol.73 (25), p.3686-3688 [Periódico revisado por pares]

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10
Dependence of optical gain on crystal orientation in wurtzite–GaN strained quantum-well lasers
Dependence of optical gain on crystal orientation in wurtzite–GaN strained quantum-well lasers
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Dependence of optical gain on crystal orientation in wurtzite–GaN strained quantum-well lasers

Ohtoshi, T. ; Niwa, A. ; Kuroda, T.

Journal of applied physics, 1997-08, Vol.82 (4), p.1518-1520 [Periódico revisado por pares]

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