skip to main content
Idioma:
previous page 1 Resultados 2 3 4 5 next page
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
11
Formation of manganese δ -doped atomic layer in wurtzite GaN
Formation of manganese δ -doped atomic layer in wurtzite GaN
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Formation of manganese δ -doped atomic layer in wurtzite GaN

Shi, Meng ; Chinchore, Abhijit ; Wang, Kangkang ; Mandru, Andrada-Oana ; Liu, Yinghao ; Smith, Arthur R.

Journal of applied physics, 2012-09, Vol.112 (5) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
12
Atomic-scale studies of (a + c)-type dislocation dissociation in wurtzite GaN
Atomic-scale studies of (a + c)-type dislocation dissociation in wurtzite GaN
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Atomic-scale studies of (a + c)-type dislocation dissociation in wurtzite GaN

Xiong, Huan ; Wu, Jiejun ; Fang, Zhilai

Applied physics express, 2018-02, Vol.11 (2), p.25502 [Periódico revisado por pares]

The Japan Society of Applied Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
13
Electronic, magnetic, optical and transport properties of wurtzite-GaN doped with rare earth (RE= Pm, Sm, and Eu): First principles approach
Electronic, magnetic, optical and transport properties of wurtzite-GaN doped with rare earth (RE= Pm, Sm, and Eu): First principles approach
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic, magnetic, optical and transport properties of wurtzite-GaN doped with rare earth (RE= Pm, Sm, and Eu): First principles approach

Maskar, E. ; Lamrani, A. Fakhim ; Belaiche, M. ; Es-Smairi, A. ; Khuili, M. ; Al-Qaisi, Samah ; Vu, Tuan V. ; Rai, D.P.

Surfaces and interfaces, 2021-06, Vol.24, p.101051, Article 101051 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
14
Comparison of wurtzite GaN/AlN and ZnO/MgO short‐period superlattices: Calculation of band gaps and built‐in electric field
Comparison of wurtzite GaN/AlN and ZnO/MgO short‐period superlattices: Calculation of band gaps and built‐in electric field
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Comparison of wurtzite GaN/AlN and ZnO/MgO short‐period superlattices: Calculation of band gaps and built‐in electric field

Gorczyca, I. ; Teisseyre, H. ; Suski, T. ; Christensen, N. E.

physica status solidi (b), 2017-08, Vol.254 (8), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
15
Epitaxial relationship between wurtzite GaN and β-Ga2O3
Epitaxial relationship between wurtzite GaN and β-Ga2O3
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Epitaxial relationship between wurtzite GaN and β-Ga2O3

Víllora, Encarnación G. ; Shimamura, Kiyoshi ; Kitamura, Kenji ; Aoki, Kazuo ; Ujiie, Takekazu

Applied physics letters, 2007-06, Vol.90 (23) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
16
Interband optical absorption in wurtzite GaN/InxGa1−xN/GaN spherical quantum dots with built-in electric field
Interband optical absorption in wurtzite GaN/InxGa1−xN/GaN spherical quantum dots with built-in electric field
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Interband optical absorption in wurtzite GaN/InxGa1−xN/GaN spherical quantum dots with built-in electric field

Cao, X. M ; Liu, W. H ; Yang, X. C ; Qu, Y ; Xing, Y

Modern physics letters. B, Condensed matter physics, statistical physics, applied physics, 2019-10, Vol.33 (30), p.1950367 [Periódico revisado por pares]

Singapore: World Scientific Publishing Company

Texto completo disponível

Citações Citado por
17
An investigation of sol–gel spin coating growth of wurtzite GaN thin film on 6H–SiC substrate
An investigation of sol–gel spin coating growth of wurtzite GaN thin film on 6H–SiC substrate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

An investigation of sol–gel spin coating growth of wurtzite GaN thin film on 6H–SiC substrate

Fong, C.Y. ; Ng, S.S. ; Yam, F.K. ; Hassan, H. Abu ; Hassan, Z.

Journal of crystal growth, 2015-03, Vol.413, p.1-4 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
18
Fabrication of GaN (1−x) As x , Zinc‐Blende, or Wurtzite GaN Depending on GaAs Nitridation Temperature in a CVD System
Fabrication of GaN (1−x) As x , Zinc‐Blende, or Wurtzite GaN Depending on GaAs Nitridation Temperature in a CVD System
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Fabrication of GaN (1−x) As x , Zinc‐Blende, or Wurtzite GaN Depending on GaAs Nitridation Temperature in a CVD System

Ramírez‐González, Francisco Sebastian ; García‐Salgado, Godofredo ; Morales, Crisóforo ; Díaz, Tomás ; Rosendo, Enrique ; Nieto‐Caballero, Fabiola Gabriela ; Luna, José Alberto ; Coyopol, Antonio ; Romano, Román ; Galeazzi, Reina

Crystal research and technology (1979), 2018-08, Vol.53 (8) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
19
Simulations of dislocation core in pyramidal plane of n‐ and p‐doped wurtzite GaN and AlGaN
Simulations of dislocation core in pyramidal plane of n‐ and p‐doped wurtzite GaN and AlGaN
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Simulations of dislocation core in pyramidal plane of n‐ and p‐doped wurtzite GaN and AlGaN

Batyrev, Iskander G. ; Weingarten, N. Scott ; Jones, Kenneth A.

physica status solidi (b), 2017-08, Vol.254 (8), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
20
Detection of hot electrons originating from an upper valley at ∼ 1.7 eV above the Γ valley in wurtzite GaN using electron emission spectroscopy
Detection of hot electrons originating from an upper valley at ∼ 1.7 eV above the Γ valley in wurtzite GaN using electron emission spectroscopy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Detection of hot electrons originating from an upper valley at ∼ 1.7 eV above the Γ valley in wurtzite GaN using electron emission spectroscopy

Ho, Wan Ying ; Alhassan, Abdullah I. ; Lynsky, Cheyenne ; Chow, Yi Chao ; Myers, Daniel J. ; DenBaars, Steven P. ; Nakamura, Shuji ; Peretti, Jacques ; Weisbuch, Claude ; Speck, James S.

Physical review. B, 2023-01, Vol.107 (3), Article 035303 [Periódico revisado por pares]

American Physical Society

Texto completo disponível

Citações Citado por
previous page 1 Resultados 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (15.518)
  2. Newsletter Articles  (1.683)
  3. Book Chapters  (321)
  4. Anais de Congresso  (247)
  5. Reports  (36)
  6. Dissertações  (35)
  7. Verbetes  (29)
  8. Livros  (25)
  9. magazinearticle  (13)
  10. Recursos Textuais  (12)
  11. Web Resources  (6)
  12. Conjunto de Dados  (4)
  13. Produções Acadêmicas  (4)
  14. Outros  (1)
  15. Resenhas  (1)
  16. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1984  (10)
  2. 1984Até1993  (53)
  3. 1994Até2002  (1.464)
  4. 2003Até2012  (6.304)
  5. Após 2012  (10.127)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (17.310)
  2. Japonês  (3.006)
  3. Coreano  (22)
  4. Português  (22)
  5. Chinês  (20)
  6. Espanhol  (15)
  7. Norueguês  (14)
  8. Alemão  (13)
  9. Francês  (8)
  10. Russo  (7)
  11. Polonês  (1)
  12. Letão  (1)
  13. Mais opções open sub menu

Novas Pesquisas Sugeridas

Ignorar minha busca e procurar por tudo

Deste Autor:

  1. Marques, M
  2. Teles, L
  3. Leite, J
  4. Scolfaro, L
  5. Bechstedt, F

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
  2. Physical Sciences
  3. Physics
  4. Physics, Applied
  5. Technology

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.