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Refinado por: Nome da Publicação: Synthetic Metals remover
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Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors. II: Effects of traps and impurities
Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors. II: Effects of traps and impurities
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Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors. II: Effects of traps and impurities

STALLINEA, P ; GOMES, H. L

Synthetic metals, 2006-12, Vol.156 (21-24), p.1316-1326 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors I. Trap-free materials
Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors I. Trap-free materials
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Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors I. Trap-free materials

STALLINGA, P ; GOMES, H. L

Synthetic metals, 2006-12, Vol.156 (21-24), p.1305-1315 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors III. Normally-on devices
Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors III. Normally-on devices
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Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors III. Normally-on devices

STALLINGA, P ; GOMES, H. L

Synthetic metals, 2008-07, Vol.158 (11), p.473-478 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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4
Electrical characterization of pn-junctions of PPV and silicon
Electrical characterization of pn-junctions of PPV and silicon
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Electrical characterization of pn-junctions of PPV and silicon

Stallinga, P. ; Gomes, H.L. ; Charas, A. ; Morgado, J. ; Alcácer, L.

Synthetic metals, 2001-03, Vol.121 (1), p.1535-1536 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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Influence of the metal center on the morphology of coordination compounds thin films
Influence of the metal center on the morphology of coordination compounds thin films
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Influence of the metal center on the morphology of coordination compounds thin films

Toffolo, F. ; Brinkmann, M. ; Greco, O. ; Biscarini, F. ; Taliani, C. ; Gomes, H.L. ; Aiello, I. ; Ghedini, M.

Synthetic metals, 1999-05, Vol.101 (1-3), p.140-141 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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6
Electrical study of impurity states in conjugated polymers
Electrical study of impurity states in conjugated polymers
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Electrical study of impurity states in conjugated polymers

Stallinga, P. ; Gomes, H.L. ; Jones, G.W. ; Taylor, D.M.

Synthetic metals, 1999-05, Vol.101 (1-3), p.496-497 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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Photocurrents in P3MeT Schottky barrier diodes
Photocurrents in P3MeT Schottky barrier diodes
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Photocurrents in P3MeT Schottky barrier diodes

Jones, G.W. ; Taylor, D.M. ; Gomes, H.L.

Synthetic metals, 1999-05, Vol.101 (1-3), p.431-432 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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DLTS investigation of acceptor states in P3MeT Schottky barrier diodes
DLTS investigation of acceptor states in P3MeT Schottky barrier diodes
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DLTS investigation of acceptor states in P3MeT Schottky barrier diodes

Jones, G.W. ; Taylor, D.M. ; Gomes, H.L.

Synthetic metals, 1997-03, Vol.85 (1), p.1341-1342 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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9
Influence of Fabrication Conditions on the Electrical Behaviour of Polymer Schottky Diodes
Influence of Fabrication Conditions on the Electrical Behaviour of Polymer Schottky Diodes
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Influence of Fabrication Conditions on the Electrical Behaviour of Polymer Schottky Diodes

Gomes, H.L. ; Jones, G.W. ; Taylor, D.M.

Synthetic metals, 1997-03, Vol.85 (1), p.1351-1352 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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10
Electronic levels in MEH-PPV
Electronic levels in MEH-PPV
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Electronic levels in MEH-PPV

Stallinga, P ; Gomes, H.L ; Rost, H ; Holmes, A.B ; Harrison, M.G ; Friend, R.H

Synthetic metals, 2000-06, Vol.111, p.535-537 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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