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1	Material Type: Artigo		ZnS:TbOF thin films sputter deposited from a single versus separate ZnS and TbOF targets Kim, J. P. ; Davidson, M. R. ; Speck, B. ; Moorehead, D. J. ; Zhai, Q. ; Holloway, P. H. Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2001-09, Vol.19 (5), p.2490-2493 [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
2	Material Type: Artigo		Structural and electronic properties of Ga2O3-Al2O3 alloys Peelaers, Hartwin ; Varley, Joel B. ; Speck, James S. ; Van de Walle, Chris G. Applied physics letters, 2018-06, Vol.112 (24) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
3	Material Type: Artigo		The quasi-free-standing nature of graphene on H-saturated SiC(0001) Speck, F ; Jobst, J ; Fromm, F ; Ostler, M ; Waldmann, D ; Hundhausen, M ; Weber, H B ; Seyller, Th Applied physics letters, 2011-09, Vol.99 (12), p.122106-122106-3 [Periódico revisado por pares] American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
4	Material Type: Artigo		Donors and deep acceptors in β-Ga2O3 Neal, Adam T. ; Mou, Shin ; Rafique, Subrina ; Zhao, Hongping ; Ahmadi, Elaheh ; Speck, James S. ; Stevens, Kevin T. ; Blevins, John D. ; Thomson, Darren B. ; Moser, Neil ; Chabak, Kelson D. ; Jessen, Gregg H. Applied physics letters, 2018-08, Vol.113 (6) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
5	Material Type: Artigo		Nonpolar III-nitride vertical-cavity surface-emitting lasers incorporating an ion implanted aperture Leonard, J. T. ; Cohen, D. A. ; Yonkee, B. P. ; Farrell, R. M. ; Margalith, T. ; Lee, S. ; DenBaars, S. P. ; Speck, J. S. ; Nakamura, S. Applied physics letters, 2015-07, Vol.107 (1) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
6	Material Type: Artigo		Silver free III-nitride flip chip light-emitting-diode with wall plug efficiency over 70% utilizing a GaN tunnel junction Yonkee, B. P. ; Young, E. C. ; DenBaars, S. P. ; Nakamura, S. ; Speck, J. S. Applied physics letters, 2016-11, Vol.109 (19) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
7	Material Type: Artigo		Demonstration of a III-nitride vertical-cavity surface-emitting laser with a III-nitride tunnel junction intracavity contact Leonard, J. T. ; Young, E. C. ; Yonkee, B. P. ; Cohen, D. A. ; Margalith, T. ; DenBaars, S. P. ; Speck, J. S. ; Nakamura, S. Applied physics letters, 2015-08, Vol.107 (9) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
8	Material Type: Artigo		Ge doping of β-Ga2O3 films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy Ahmadi, Elaheh ; Koksaldi, Onur S. ; Kaun, Stephen W. ; Oshima, Yuichi ; Short, Dane B. ; Mishra, Umesh K. ; Speck, James S. Applied physics express, 2017-04, Vol.10 (4) [Periódico revisado por pares] The Japan Society of Applied Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
9	Material Type: Artigo		Smooth e-beam-deposited tin-doped indium oxide for III-nitride vertical-cavity surface-emitting laser intracavity contacts Leonard, J. T. ; Cohen, D. A. ; Yonkee, B. P. ; Farrell, R. M. ; DenBaars, S. P. ; Speck, J. S. ; Nakamura, S. Journal of applied physics, 2015-10, Vol.118 (14), p.145304 [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
10	Material Type: Artigo		Erratum: “Structural and electronic properties of Ga2O3-Al2O3 alloys” [Appl. Phys. Lett. 112, 242101 (2018)] Peelaers, Hartwin ; Varley, Joel B. ; Speck, James S. ; Van de Walle, Chris G. Applied physics letters, 2021-06, Vol.118 (25) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por

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