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1	Material Type: Artigo		Layered boron nitride as a release layer for mechanical transfer of GaN-based devices KOBAYASHI, Yasuyuki ; KUMAKURA, Kazuhide ; AKASAKA, Tetsuya ; MAKIMOTO, Toshiki Nature (London), 2012-04, Vol.484 (7393), p.223-227 [Periódico revisado por pares] London: Nature Publishing Group Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
2	Material Type: Artigo		Hot Carrier-Assisted Intrinsic Photoresponse in Graphene Gabor, Nathaniel M. ; Song, Justin C. W. ; Ma, Qiong ; Nair, Nityan L. ; Taychatanapat, Thiti ; Watanabe, Kenji ; Taniguchi, Takashi ; Levitov, Leonid S. ; Jarillo-Herrero, Pablo Science (American Association for the Advancement of Science), 2011-11, Vol.334 (6056), p.648-652 [Periódico revisado por pares] Washington, DC: American Association for the Advancement of Science Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
3	Material Type: Artigo		High-Quality Interface in Al2O3/GaN/AlGaN/GaN MIS Structures With In Situ Pre-Gate Plasma Nitridation SHU YANG ; ZHIKAI TANG ; WONG, King-Yuen ; LIN, Yu-Syuan ; CHENG LIU ; YUNYOU LU ; SEN HUANG ; CHEN, Kevin J IEEE electron device letters, 2013-12, Vol.34 (12), p.1497-1499 [Periódico revisado por pares] New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
4	Material Type: Artigo		Control of Spin Precession in a Spin-Injected Field Effect Transistor Koo, Hyun Cheol ; Kwon, Jae Hyun ; Eom, Jonghwa ; Chang, Joonyeon ; Han, Suk Hee ; Johnson, Mark Science (American Association for the Advancement of Science), 2009-09, Vol.325 (5947), p.1515-1518 [Periódico revisado por pares] Washington, DC: American Association for the Advancement of Science Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
5	Material Type: Artigo		Supramolecular Linear Heterojunction Composed of Graphite-Like Semiconducting Nanotubular Segments Zhang, Wei ; Jin, Wusong ; Fukushima, Takanori ; Saeki, Akinori ; Seki, Shu ; Aida, Takuzo Science (American Association for the Advancement of Science), 2011-10, Vol.334 (6054), p.340-343 [Periódico revisado por pares] Washington, DC: American Association for the Advancement of Science Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
6	Material Type: Artigo		Charge-Based Modeling of Junctionless Double-Gate Field-Effect Transistors Sallese, Jean-Michel ; Chevillon, N. ; Lallement, C. ; Iniguez, B. ; Pregaldiny, F. IEEE transactions on electron devices, 2011-08, Vol.58 (8), p.2628-2637 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
7	Material Type: Artigo		Junctionless Nanowire Transistor (JNT): Properties and design guidelines Colinge, J.P. ; Kranti, A. ; Yan, R. ; Lee, C.W. ; Ferain, I. ; Yu, R. ; Dehdashti Akhavan, N. ; Razavi, P. Solid-state electronics, 2011-11, Vol.65-66, p.33-37 [Periódico revisado por pares] Kidlington: Elsevier Ltd Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
8	Material Type: Artigo		300-GHz InAlN/GaN HEMTs With InGaN Back Barrier Dong Seup Lee ; Xiang Gao ; Shiping Guo ; Kopp, D. ; Fay, P. ; Palacios, T. IEEE electron device letters, 2011-11, Vol.32 (11), p.1525-1527 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
9	Material Type: Artigo		Gate Injection Transistor (GIT)-A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation Uemoto, Y. ; Hikita, M. ; Ueno, H. ; Matsuo, H. ; Ishida, H. ; Yanagihara, M. ; Ueda, T. ; Tanaka, T. ; Ueda, D. IEEE transactions on electron devices, 2007-12, Vol.54 (12), p.3393-3399 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
10	Material Type: Artigo		BN/Graphene/BN Transistors for RF Applications Han Wang ; Taychatanapat, T. ; Hsu, A. ; Watanabe, K. ; Taniguchi, T. ; Jarillo-Herrero, P. ; Palacios, T. IEEE electron device letters, 2011-09, Vol.32 (9), p.1209-1211 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por

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