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Development and application of the k.p method to investigate spin and optical properties of semiconductor nanostructures
Development and application of the k.p method to investigate spin and optical properties of semiconductor nanostructures
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Development and application of the k.p method to investigate spin and optical properties of semiconductor nanostructures

Faria Júnior, Paulo Eduardo De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física de São Carlos 2016-06-30

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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Investigation of performance characteristics of an Al0.8Ga0.2N-delta-GaN QW laser considering structural parameters
Investigation of performance characteristics of an Al0.8Ga0.2N-delta-GaN QW laser considering structural parameters
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Investigation of performance characteristics of an Al0.8Ga0.2N-delta-GaN QW laser considering structural parameters

Polash, Md Mobarak Hossain ; Alam, M. Shah

2015 IEEE International Conference on Telecommunications and Photonics (ICTP), 2015, p.1-4

IEEE

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Design analysis of InN/InGaN quantum well laser with GaN layers at 1320-1350 nm wavelength
Design analysis of InN/InGaN quantum well laser with GaN layers at 1320-1350 nm wavelength
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Design analysis of InN/InGaN quantum well laser with GaN layers at 1320-1350 nm wavelength

Hossain Polash, Md Mobarak ; Alam, M. Shah

2014 International Conference on Electrical Engineering and Information & Communication Technology, 2014, p.1-5

IEEE

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Deste Autor:

  1. Faria Júnior, P
  2. Sipahi, G
  3. Zutic, I

Neste Assunto:

  1. K.P Method
  2. Lasers
  3. Optical Gain
  4. K.P Method
  5. Spontaneous Emission

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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