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Étude rétrospective critique concernant 244 patients porteurs de fentes labio-palatines opérées primitivement a l'hopital Saint-Antoine (1re partie du travail portant sur les 7 premières années de la vie)
Étude rétrospective critique concernant 244 patients porteurs de fentes labio-palatines opérées primitivement a l'hopital Saint-Antoine (1re partie du travail portant sur les 7 premières années de la vie)
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Étude rétrospective critique concernant 244 patients porteurs de fentes labio-palatines opérées primitivement a l'hopital Saint-Antoine (1re partie du travail portant sur les 7 premières années de la vie)

J. L Grignon G Flageul; E Achard; H Lambert; F. F Martin; C Rousso; N Vizioz

Annales de Chirurgie Plastique v. 23, n. 2, p. 73-79, 1978

Paris 1978

Localização: FOB-HRAC - Fac. Odontologia de Bauru-HRAC    (198/S )(Acessar)

2
Low defect InGaAs quantum well selectively grown by metal organic chemical vapor deposition on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices
Low defect InGaAs quantum well selectively grown by metal organic chemical vapor deposition on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices
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Low defect InGaAs quantum well selectively grown by metal organic chemical vapor deposition on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices

Cipro, R. ; Baron, T. ; Martin, M. ; Moeyaert, J. ; David, S. ; Gorbenko, V. ; Bassani, F. ; Bogumilowicz, Y. ; Barnes, J. P. ; Rochat, N. ; Loup, V. ; Vizioz, C. ; Allouti, N. ; Chauvin, N. ; Bao, X. Y. ; Ye, Z. ; Pin, J. B. ; Sanchez, E.

Applied physics letters, 2014-06, Vol.104 (26) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
Single-mode waveguides for GRAVITY
Single-mode waveguides for GRAVITY
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Single-mode waveguides for GRAVITY

Perraut, K. ; Jocou, L. ; Berger, J. P. ; Chabli, A. ; Cardin, V. ; Chamiot-Maitral, G. ; Delboulbé, A. ; Eisenhauer, F. ; Gambérini, Y. ; Gillessen, S. ; Guieu, S. ; Guerrero, J. ; Haug, M. ; Hausmann, F. ; Joulain, F. ; Kervella, P. ; Labeye, P. ; Lacour, S. ; Lanthermann, C. ; Lapras, V. ; Le Bouquin, J. B. ; Lippa, M. ; Magnard, Y. ; Moulin, T. ; Noël, P. ; Nolot, A. ; Patru, F. ; Perrin, G. ; Pfuhl, O. ; Pocas, S. ; Poulain, S. ; Scibetta, C. ; Stadler, E. ; Templier, R. ; Ventura, N. ; Vizioz, C. ; Amorim, A. ; Brandner, W. ; Straubmeier, C.

Astronomy and astrophysics (Berlin), 2018-06, Vol.614 [Periódico revisado por pares]

Heidelberg: EDP Sciences

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4
Single-mode waveguides for GRAVITY: I. The cryogenic 4-telescope integrated optics beam combiner
Single-mode waveguides for GRAVITY: I. The cryogenic 4-telescope integrated optics beam combiner
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Single-mode waveguides for GRAVITY: I. The cryogenic 4-telescope integrated optics beam combiner

Perraut, K. ; Jocou, L. ; Berger, J. P. ; Chabli, A. ; Cardin, V. ; Chamiot-Maitral, G. ; Delboulbé, A. ; Eisenhauer, F. ; Gambérini, Y. ; Gillessen, S. ; Guieu, S. ; Guerrero, J. ; Haug, M. ; Hausmann, F. ; Joulain, F. ; Kervella, P. ; Labeye, P. ; Lacour, S. ; Lanthermann, C. ; Lapras, V. ; Le Bouquin, J. B. ; Lippa, M. ; Magnard, Y. ; Moulin, T. ; Noël, P. ; Nolot, A. ; Patru, F. ; Perrin, G. ; Pfuhl, O. ; Pocas, S. ; Poulain, S. ; Scibetta, C. ; Stadler, E. ; Templier, R. ; Ventura, N. ; Vizioz, C. ; Amorim, A. ; Brandner, W. ; Straubmeier, C.

Astronomy and astrophysics (Berlin), 2018-06, Vol.614, p.A70 [Periódico revisado por pares]

EDP Sciences

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5
Single-mode waveguides for GRAVITY I. The cryogenic 4-telescope integrated optics beam combiner
Single-mode waveguides for GRAVITY I. The cryogenic 4-telescope integrated optics beam combiner
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Single-mode waveguides for GRAVITY I. The cryogenic 4-telescope integrated optics beam combiner

Perraut, K ; Jocou, L ; Berger, JP ; Chabli, A ; Cardin, V ; Chamiot-Maitral, G ; Delboulbe, A ; Eisenhauer, F ; Gamberini, Y ; Gillessen, S ; Guieu, S ; Guerrero, J ; Haug, M ; Hausmann, F ; Joulain, F ; Kervella, P ; Labeye, P ; Lacour, S ; Lanthermann, C ; Lapras, V ; Le Bouquin, JB ; Lippa, M ; Magnard, Y ; Moulin, T ; Noel, P ; Nolot, A ; Patru, F ; Perrin, G ; Pfuhl, O ; Pocas, S ; Poulain, S ; Scibetta, C ; Stadler, E ; Templier, R ; Ventura, N ; Vizioz, C ; Amorim, A ; Brandner, W ; Straubmeier, C

EDP SCIENCES S A 2018-06

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6
Ultra-dense silicon nanowires: A technology, transport and interfaces challenges insight (invited)
Ultra-dense silicon nanowires: A technology, transport and interfaces challenges insight (invited)
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Ultra-dense silicon nanowires: A technology, transport and interfaces challenges insight (invited)

Ernst, T. ; Barraud, S. ; Tachi, K. ; Vizioz, C. ; Magis, T. ; Brianceau, P. ; Hubert, A. ; Vulliet, N. ; Hartmann, J.-M. ; Cassé, M.

Microelectronic engineering, 2011-07, Vol.88 (7), p.1198-1202 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
Low defect InGaAs quantum well selectively grown by MOCVD on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices
Low defect InGaAs quantum well selectively grown by MOCVD on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices
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Low defect InGaAs quantum well selectively grown by MOCVD on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices

Cipro, R. ; Baron, T. ; Martin, M. ; Moeyaert, J. ; David, S. ; Gorbenko, V. ; Bassani, F. ; Bogumilowicz, Y. ; Barnes, J. ; Rochat, N. ; Loup, V. ; Vizioz, C. ; Allouti, N. ; Chauvin, Nicolas ; Bao, X. ; Ye, Z. ; Pin, J. ; Sanchez, E.

Applied physics letters, 2014-07, Vol.104 (26) [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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8
Patterning Strategy for Monoelectronic Device Platform in a Complementary Metal Oxide Semiconductor Technology
Patterning Strategy for Monoelectronic Device Platform in a Complementary Metal Oxide Semiconductor Technology
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Patterning Strategy for Monoelectronic Device Platform in a Complementary Metal Oxide Semiconductor Technology

Pauliac-Vaujour, Sebastien ; Wacquez, Romain ; Vizioz, Christian ; Chevolleau, Thierry ; Pierre, Mathieu ; Previtali, Bernard ; Comboroure, Corinne ; Bove, Nadine ; Roche, Benoit ; Vinet, Maud ; Jehl, Xavier ; Sanquer, Marc ; Sixt, Pierre

Japanese Journal of Applied Physics, 2011-06, Vol.50 (6), p.06GF15-06GF15-5 [Periódico revisado por pares]

The Japan Society of Applied Physics

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9
Single dopant impact on electrical characteristics of SOI NMOSFETs with effective length down to 10nm
Single dopant impact on electrical characteristics of SOI NMOSFETs with effective length down to 10nm
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Single dopant impact on electrical characteristics of SOI NMOSFETs with effective length down to 10nm

Wacquez, R ; Vinet, M ; Pierre, M ; Roche, B ; Jehl, X ; Cueto, O ; Verduijn, J ; Tettamanzi, G C ; Rogge, S ; Deshpande, V ; Previtali, B ; Vizioz, C ; Pauliac-Vaujour, S ; Comboroure, C ; Bove, N ; Faynot, O ; Sanquer, M

2010 Symposium on VLSI Technology, 2010, p.193-194

IEEE

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10
Dry Etch Challenges in Gate All Around Devices for sub 32 nm Applications
Dry Etch Challenges in Gate All Around Devices for sub 32 nm Applications
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Dry Etch Challenges in Gate All Around Devices for sub 32 nm Applications

Barnola, Sebastien ; Vizioz, Christian ; Vulliet, Nathalie ; Dupré, Cécilia ; Ernst, Thomas ; Gautier, Pauline ; Arvet, Christian ; Guillaumot, Bernard ; Bernard, Emilie ; Pauliac-Vaujeour, S. ; Comboroure, Corine ; Hartmann, Jean-Michel ; Borel, Stephan ; Chevolleau, Thierry ; Maffini-Alvaro, V ; Becu, S

ECS transactions, 2009, Vol.16 (10), p.923-934

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  1. Vizioz, N
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