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Low defect InGaAs quantum well selectively grown by metal organic chemical vapor deposition on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices
Low defect InGaAs quantum well selectively grown by metal organic chemical vapor deposition on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices
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Low defect InGaAs quantum well selectively grown by metal organic chemical vapor deposition on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices

Cipro, R. ; Baron, T. ; Martin, M. ; Moeyaert, J. ; David, S. ; Gorbenko, V. ; Bassani, F. ; Bogumilowicz, Y. ; Barnes, J. P. ; Rochat, N. ; Loup, V. ; Vizioz, C. ; Allouti, N. ; Chauvin, N. ; Bao, X. Y. ; Ye, Z. ; Pin, J. B. ; Sanchez, E.

Applied physics letters, 2014-06, Vol.104 (26) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Ultra-dense silicon nanowires: A technology, transport and interfaces challenges insight (invited)
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Ultra-dense silicon nanowires: A technology, transport and interfaces challenges insight (invited)

Ernst, T. ; Barraud, S. ; Tachi, K. ; Vizioz, C. ; Magis, T. ; Brianceau, P. ; Hubert, A. ; Vulliet, N. ; Hartmann, J.-M. ; Cassé, M.

Microelectronic engineering, 2011-07, Vol.88 (7), p.1198-1202 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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3D stacked channels: how series resistances can limit 3D devices performance
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3D stacked channels: how series resistances can limit 3D devices performance

Bernard, E. ; Ernst, T. ; Guillaumot, B. ; Vulliet, N. ; Maffini-Alvaro, V. ; Andrieu, F. ; LeCarval, G. ; Rivallin, P. ; Vizioz, C. ; Campidelli, Y. ; Kermarrec, O. ; Hartmann, J.M. ; Borel, S. ; Delaye, V. ; Pouydebasque, A. ; Souifi, A. ; Coronel, P. ; Skotnicki, T. ; Deleonibus, S.

2007 IEEE International SOI Conference, 2007, p.93-94 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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