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Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (9. 1994 Rio de Janeiro)

Anais Rio de Janeiro : Sbmicro/Ufrj, 1994

Rio de Janeiro Sbmicro/Ufrj 1994

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2
Soi mesfet modo acumulacao em 77 k impacto dos efeitos transitorios e determinacao da densidade de armadilhas de interface
Soi mesfet modo acumulacao em 77 k impacto dos efeitos transitorios e determinacao da densidade de armadilhas de interface
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Soi mesfet modo acumulacao em 77 k impacto dos efeitos transitorios e determinacao da densidade de armadilhas de interface

João Antonio Martino 1959- Eddy Simoen; Antônio Luís Pacheco Rotondaro; Ulf Magnusson; Cor Claeys; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (8. 1993 Campinas)

Anais Campinas : Sbmicro, 1993

Campinas Sbmicro 1993

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3
Programa didatico para o estudo de capacitores mos na caracterizacao de processos
Programa didatico para o estudo de capacitores mos na caracterizacao de processos
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Programa didatico para o estudo de capacitores mos na caracterizacao de processos

G W F Kimura Victor Sonnenberg; João Antonio Martino 1959-; Seminario Brasileiro de Caracterizacao em Microeletronica (2. 1995 Curitiba)

Anais Curitiba : Copel, 1995

Curitiba Copel 1995

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4
Modelamento analitico para a queda de potencial no substrato de soi-mosfet
Modelamento analitico para a queda de potencial no substrato de soi-mosfet
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Modelamento analitico para a queda de potencial no substrato de soi-mosfet

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (9. 1994 Rio de Janeiro)

Anais Rio de Janeiro : Sbmicro/Ufrj, 1994

Rio de Janeiro Sbmicro/Ufrj 1994

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5
Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE

L M Camillo João Antonio Martino 1959-; Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo (5. 1997 São Paulo)

Resumos São Paulo : USP, 1997

São Paulo USP 1997

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6
Efeitos da radiacao em capacitores mos
Efeitos da radiacao em capacitores mos
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Efeitos da radiacao em capacitores mos

V L M Nakata João Antonio Martino 1959-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (9. 1994 Rio de Janeiro)

Anais Rio de Janeiro : Sbmicro/Ufrj, 1994

Rio de Janeiro Sbmicro/Ufrj 1994

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7
Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets
Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets

João Antonio Martino 1959- Eddy Simoen; Ulf Magnusson; Antônio Luís Pacheco Rotondaro; Cor Claeys

v.36, n.6 , p.827-32, jun. 1993 Solid State Electronics

1993

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8
Transient effects in accumulation mode p-channel soi - mosfets operating at 77k
Transient effects in accumulation mode p-channel soi - mosfets operating at 77k
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Transient effects in accumulation mode p-channel soi - mosfets operating at 77k

João Antonio Martino 1959- Antônio Luís Pacheco Rotondaro; Eddy Simoen; Ulf Magnusson; Cor Claeys

New York v.41, n.4 , p.519-23, apr. 1994 Ieee Transactions on Electron Devices

New York 1994

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9
A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor
A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; International Conference on Microelectronics and Packaging (13. 1998 Curitiba)

SBMicro'ICMP 98 : Proceedings Curitiba : SBMicro/LACTRO/LAC, 1998

Curitiba SBMicro/LACTRO/LAC 1998

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10
Back gate voltage influence on the LDD SOI NMOSFET series resistence extraction from 150 to 300 k
Back gate voltage influence on the LDD SOI NMOSFET series resistence extraction from 150 to 300 k
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Back gate voltage influence on the LDD SOI NMOSFET series resistence extraction from 150 to 300 k

Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys; Nato Advanced Research Workshop (1998 Kyiv)

Perspectives, science and technologies for novel silicon on insulator devices Kyiv : National Academy of Sciences of Ukraine, 1998

Kyiv National Academy of Sciences of Ukraine 1998

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Simoen, E
  3. Agopian, P
  4. Claeys, C
  5. Rooyackers, R

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Transistores
  3. Microeletrônica
  4. Circuitos Integrados
  5. Silício

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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