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Linear theory of the quasi-unipolar photodiode
Linear theory of the quasi-unipolar photodiode
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Linear theory of the quasi-unipolar photodiode

Yoder, P.D. ; Flynn, E.J.

Journal of lightwave technology, 2006-04, Vol.24 (4), p.1937-1945 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Luminescence spectra of an Al∕SiO2∕p-Si tunnel metal-oxide-semiconductor structure
Luminescence spectra of an Al∕SiO2∕p-Si tunnel metal-oxide-semiconductor structure
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Luminescence spectra of an Al∕SiO2∕p-Si tunnel metal-oxide-semiconductor structure

Yoder, P. D. ; Vexler, M. I. ; Shulekin, A. F. ; Asli, N. ; Gastev, S. V. ; Grekhov, I. V. ; Seegebrecht, P. ; Tyaginov, S. E. ; Zimmermann, H.

Journal of applied physics, 2005-10, Vol.98 (8) [Periódico revisado por pares]

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3
A generalized Ramo–Shockley theorem for classical to quantum transport at arbitrary frequencies
A generalized Ramo–Shockley theorem for classical to quantum transport at arbitrary frequencies
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A generalized Ramo–Shockley theorem for classical to quantum transport at arbitrary frequencies

Yoder, P. D. ; Gärtner, K. ; Fichtner, W.

Journal of applied physics, 1996-02, Vol.79 (4), p.1951-1954 [Periódico revisado por pares]

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4
Impact of oxide damage on the light emission properties of MOS tunnel structures
Impact of oxide damage on the light emission properties of MOS tunnel structures
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Impact of oxide damage on the light emission properties of MOS tunnel structures

Asli, N. ; Shulekin, A.F. ; Yoder, P.D. ; Vexler, M.I. ; Grekhov, I.V. ; Seegebrecht, P.

Solid-state electronics, 2004-05, Vol.48 (5), p.731-737 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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5
Threshold energies in the light emission characteristics of silicon MOS tunnel diodes
Threshold energies in the light emission characteristics of silicon MOS tunnel diodes
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Threshold energies in the light emission characteristics of silicon MOS tunnel diodes

Asli, N. ; Vexler, M.I. ; Shulekin, A.F. ; Yoder, P.D. ; Grekhov, I.V. ; Seegebrecht, P.

Microelectronics and reliability, 2001-07, Vol.41 (7), p.1071-1076 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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6
Physical modeling of high-speed PIN photodetectors
Physical modeling of high-speed PIN photodetectors
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Physical modeling of high-speed PIN photodetectors

Yoder, P. Douglas

SPIE 2001

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Optimized terminal current calculation for Monte Carlo device simulation
Optimized terminal current calculation for Monte Carlo device simulation
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Optimized terminal current calculation for Monte Carlo device simulation

Yoder, P.D. ; Gartner, K. ; Krumbein, U. ; Fichtner, W.

IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems, 1997-10, Vol.16 (10), p.1082-1087 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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8
First-principles Monte Carlo simulation of transport in Si
First-principles Monte Carlo simulation of transport in Si
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First-principles Monte Carlo simulation of transport in Si

Yoder, P D ; Hess, K

Semiconductor science and technology, 1994-05, Vol.9 (5S), p.852-854 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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9
Strain-Dependence of Electron Transport in Bulk Si and Deep-Submicron MOSFETs
Strain-Dependence of Electron Transport in Bulk Si and Deep-Submicron MOSFETs
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Strain-Dependence of Electron Transport in Bulk Si and Deep-Submicron MOSFETs

Bufler, F M ; Yoder, P D ; Fichtner, W

VLSI Design, 2001-01, Vol.2001 (1-4), p.163-167 [Periódico revisado por pares]

Hindawi Limiteds

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10
Overview of luminescence from MOS tunnel devices
Overview of luminescence from MOS tunnel devices
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Overview of luminescence from MOS tunnel devices

Asli, N. ; Shulekin, A.F. ; Yoder, P.D. ; Vexler, M.I. ; Grekhov, I.V. ; Seegebrecht, P.

ESSDERC '03. 33rd Conference on European Solid-State Device Research, 2003, 2003, p.545-548

IEEE

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