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1
Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.
Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.

Yojo, Leonardo Shimizu

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2018-02-08

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2
Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM.
Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM.

Nissimoff, Albert

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2013-06-11

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3
Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores.
Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores.

Yojo, Leonardo Shimizu

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2022-03-08

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4
Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos.
Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos.

Agopian, Paula Ghedini Der

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2008-11-27

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5
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.

Nicoletti, Talitha

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2009-09-11

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6
Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.
Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.

Santos, Sara Dereste Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-02-05

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7
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.

Rodrigues, Michele

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-11-30

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8
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.

Santos, Carolina Davanzzo Gomes Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-10-22

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9
Estudo do ponto invariante com a temperatura (\"Zero Temperature Coefficient\") em transistores SOI Mosfet fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica.
Estudo do ponto invariante com a temperatura (\"Zero Temperature Coefficient\") em transistores SOI Mosfet fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do ponto invariante com a temperatura (\"Zero Temperature Coefficient\") em transistores SOI Mosfet fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica.

Camillo, Luciano Mendes

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2011-02-04

Acesso online

10
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2 micrômetros
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2 micrômetros
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2 micrômetros

Martino, João Antonio

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 1988-12-21

Acesso online

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Yojo, L
  3. Nissimoff, A
  4. Rodrigues, M
  5. Swart, J

Neste Assunto:

  1. Soi Technology
  2. Tecnologia Soi
  3. Transistores
  4. Microeletrônica
  5. Finfets

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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