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Nome da Publicação: Ieee Transactions On Electron Devices

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assunto: Physics, Applied

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Result Number	Material Type	Add to My Shelf Action	Record Details and Options
1	Material Type: Artigo		UV Enhanced Field Emission Performance of Mg-Doped ZnO Nanorods Liu, Y. H. ; Sheng-Joue Young ; Ji, L. W. ; Meen, T. H. ; Hsiao, C. H. ; Huang, C. S. ; Shoou-Jinn Chang IEEE transactions on electron devices, 2014-05, Vol.61 (5), p.1541-1545 [Periódico revisado por pares] New York: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
2	Material Type: Artigo		Demonstration, analysis, and device design considerations for independent DG MOSFETs Masahara, M. ; Yongxun Liu ; Sakamoto, K. ; Endo, K. ; Matsukawa, T. ; Ishii, K. ; Sekigawa, T. ; Yamauchi, H. ; Tanoue, H. ; Kanemaru, S. ; Koike, H. ; Suzuki, E. IEEE transactions on electron devices, 2005-09, Vol.52 (9), p.2046-2053 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
3	Material Type: Artigo		InGaZnO Thin-Film Transistors With Coplanar Control Gates for Single-Device Logic Applications Hu, S. G. ; Liu, P. ; Li, H. K. ; Chen, T. P. ; Zhang, Q. ; Deng, L. J. ; Liu, Y. IEEE transactions on electron devices, 2016-03, Vol.63 (3), p.1383-1387 [Periódico revisado por pares] New York: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
4	Material Type: Artigo		Quasi-2-Dimensional Compact Resistor Model for the Drift Region in High-Voltage LDMOS Devices Tanaka, A ; Oritsuki, Y ; Kikuchihara, H ; Miyake, M ; Mattausch, H J ; Miura-Mattausch, Mitiko ; Liu, Y ; Green, K IEEE transactions on electron devices, 2011-07, Vol.58 (7), p.2072-2080 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
5	Material Type: Artigo		Global interconnect width and spacing optimization for latency, bandwidth and power dissipation LI, Xiao-Chun ; MAO, Jun-Fa ; HUANG, Hui-Fen ; YE LIU IEEE transactions on electron devices, 2005-10, Vol.52 (10), p.2272-2279 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
6	Material Type: Artigo		Fabrication of FinFETs by Damage-Free Neutral-Beam Etching Technology Endo, K. ; Shuichi Noda ; Masahara, M. ; Kubota, T. ; Ozaki, T. ; Samukawa, S. ; Yongxun Liu ; Ishii, K. ; Ishikawa, Y. ; Sugimata, E. ; Matsukawa, T. ; Takashima, H. ; Yamauchi, H. ; Suzuki, E. IEEE transactions on electron devices, 2006-08, Vol.53 (8), p.1826-1833 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
7	Material Type: Artigo		Room-Temperature Visible Electroluminescence From Aluminum Nitride Thin Film Embedded With Aluminum Nanocrystals Ming Yang ; Chen, T.P. ; Liu, Y. ; Ding, L. ; Wong, J.I. ; Liu, Z. ; Zhang, S. ; Zhang, W. ; Zhu, F. IEEE transactions on electron devices, 2008-12, Vol.55 (12), p.3605-3609 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
8	Material Type: Artigo		Influence of Si nanocrystal distributed in the gate oxide on the MOS capacitance Ng, C.Y. ; Chen, T.P. ; Ding, L. ; Yang, M. ; Wong, J.I. ; Zhao, P. ; Yang, X.H. ; Liu, K.Y. ; Tse, M.S. ; Trigg, A.D. ; Fung, S. IEEE transactions on electron devices, 2006-04, Vol.53 (4), p.730-736 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
9	Material Type: Artigo		Influence of Si-nanocrystal distribution in the oxide on the charging behavior of MOS structures Liu, Y. ; Chen, T.P. ; Ng, C.Y. ; Ding, L. ; Tse, M.S. ; Fung, S. ; Tseng, A.A. IEEE transactions on electron devices, 2006-04, Vol.53 (4), p.914-917 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
10	Material Type: Artigo		Decomposition of On-Current Variability of nMOS FinFETs for Prediction Beyond 20 nm Matsukawa, T. ; Liu, Y. ; O'uchi, S. ; Endo, K. ; Tsukada, J. ; Yamauchi, H. ; Ishikawa, Y. ; Ota, H. ; Migita, S. ; Morita, Y. ; Mizubayashi, W. ; Sakamoto, K. ; Masahara, M. IEEE transactions on electron devices, 2012-08, Vol.59 (8), p.2003-2010 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por

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