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Electrical Characterization of Emerging Transistor Technologies: Issues and Challenges
Electrical Characterization of Emerging Transistor Technologies: Issues and Challenges
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Electrical Characterization of Emerging Transistor Technologies: Issues and Challenges

Haferlach, Max ; Pacheco, Anibal ; Sakalas, Paulius ; Alexandru, Mihaela ; Hermann, Sascha ; Nardmann, Tobias ; Schroter, Michael ; Claus, Martin

IEEE transactions on nanotechnology, 2016-07, Vol.15 (4), p.619-626 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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On Local Sensing of Spin Hall Effect in Tungsten Films by Using STM-Based Measurements
On Local Sensing of Spin Hall Effect in Tungsten Films by Using STM-Based Measurements
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On Local Sensing of Spin Hall Effect in Tungsten Films by Using STM-Based Measurements

Ting Xie ; Dreyer, Michael ; Bowen, David ; Hinkel, Dan ; Butera, R. E. ; Krafft, Charles ; Mayergoyz, Isaak

IEEE transactions on nanotechnology, 2018-09, Vol.17 (5), p.914-919 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Reset Variability in Phase Change Memory for Hardware Security Applications
Reset Variability in Phase Change Memory for Hardware Security Applications
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Reset Variability in Phase Change Memory for Hardware Security Applications

Noor, Nafisa ; Muneer, Sadid ; Khan, Raihan Sayeed ; Gorbenko, Anna ; Adnane, L'Hacene ; Kashem, Md Tashfiq Bin ; Scoggin, Jake ; Dirisaglik, Faruk ; Cywar, Adam ; Gokirmak, Ali ; Silva, Helena

IEEE transactions on nanotechnology, 2021, Vol.20, p.75-82 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Nanosecond Analog Programming of Substoichiometric Silicon Oxide Resistive RAM
Nanosecond Analog Programming of Substoichiometric Silicon Oxide Resistive RAM
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Nanosecond Analog Programming of Substoichiometric Silicon Oxide Resistive RAM

Montesi, Luca ; Buckwell, Mark ; Zarudnyi, Konstantin ; Garnett, Leon ; Hudziak, Steven ; Mehonic, Adnan ; Kenyon, Anthony J.

IEEE transactions on nanotechnology, 2016-05, Vol.15 (3), p.428-434 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Design and Implementation of a Facility for Discovering New Scintillator Materials
Design and Implementation of a Facility for Discovering New Scintillator Materials
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Design and Implementation of a Facility for Discovering New Scintillator Materials

Derenzo, S.E. ; Boswell, M.S. ; Bourret-Courchesne, E. ; Boutchko, R. ; Budinger, T.F. ; Canning, A. ; Hanrahan, S.M. ; Janecek, M. ; Qiyu Peng ; Porter-Chapman, Y. ; Powell, J.D. ; Ramsey, C.A. ; Taylor, S.E. ; Lin-Wang Wang ; Weber, M.J. ; Wilson, D.S.

IEEE transactions on nuclear science, 2008-06, Vol.55 (3), p.1458-1463 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Research on Time-Domain Transfer Impedance Measurement Technology for High Frequency Current Transformers in Partial Discharge Detection of Cables
Research on Time-Domain Transfer Impedance Measurement Technology for High Frequency Current Transformers in Partial Discharge Detection of Cables
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Research on Time-Domain Transfer Impedance Measurement Technology for High Frequency Current Transformers in Partial Discharge Detection of Cables

Song, Simeng ; Chen, Xiaoxin ; Qian, Yong ; Wang, Hui ; Zhang, Yue ; Sheng, Gehao ; Jiang, Xiuchen

Shanghai jiao tong da xue xue bao, 2020-02, Vol.25 (1), p.10-17 [Periódico revisado por pares]

Shanghai: Shanghai Jiaotong University Press

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Active properties of carbon nanotube field-effect transistors deduced from S parameters measurements
Active properties of carbon nanotube field-effect transistors deduced from S parameters measurements
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Active properties of carbon nanotube field-effect transistors deduced from S parameters measurements

Bethoux, J.-M. ; Happy, H. ; Siligaris, A. ; Dambrine, G. ; Borghetti, J. ; Derycke, V. ; Bourgoin, J.-P.

IEEE transactions on nanotechnology, 2006-07, Vol.5 (4), p.335-342 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Investigation of Sub-10-nm Diameter, Gate-All-Around Nanowire Field-Effect Transistors for Electrostatic Discharge Applications
Investigation of Sub-10-nm Diameter, Gate-All-Around Nanowire Field-Effect Transistors for Electrostatic Discharge Applications
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Investigation of Sub-10-nm Diameter, Gate-All-Around Nanowire Field-Effect Transistors for Electrostatic Discharge Applications

Liu, W ; Liou, J J ; Jiang, Y ; Singh, N ; Lo, G Q ; Chung, J ; Jeong, Y H

IEEE transactions on nanotechnology, 2010-05, Vol.9 (3), p.352-354 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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9
Spin state readout by quantum jump technique: for the purpose of quantum computing
Spin state readout by quantum jump technique: for the purpose of quantum computing
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Spin state readout by quantum jump technique: for the purpose of quantum computing

Pazy, E. ; Calarco, T. ; Zoller, P.

IEEE transactions on nanotechnology, 2004-03, Vol.3 (1), p.10-16 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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10
Load Pulse Determination in Gas Gun Impact Tests
Load Pulse Determination in Gas Gun Impact Tests
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Load Pulse Determination in Gas Gun Impact Tests

Ritt, Stefan Andreas ; Johnson, Alastair F.

Applied Mechanics and Materials, 2007-08, Vol.7-8, p.259-264 [Periódico revisado por pares]

Zurich: Trans Tech Publications Ltd

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