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Material Type: Artigo
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Simple Model of a Rotating Star as a Huygens-Roche FigureKarelin, G. M. ; Kostina, M. V. ; Tarakanov, P. A. ; Dementyev, A. V. ; Milanova, Yu.V.Astrophysics, 2022-12, Vol.65 (4), p.552-559 [Periódico revisado por pares]New York: Springer USTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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High-voltage field-controlled integrated thyristorGrekhov, I. V. ; Rozhkov, A. V. ; Kostina, L. S. ; Konovalov, A. V. ; Fomenko, Yu. L.Technical physics, 2013, Vol.58 (1), p.100-104 [Periódico revisado por pares]Dordrecht: SP MAIK Nauka/InterperiodicaTexto completo disponível |
| 3 |
Material Type: Artigo
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High-voltage fast diode with “soft” recoveryGrekhov, I. V. ; Rozhkov, A. V. ; Kostina, L. S. ; Konovalov, A. V. ; Fomenko, Yu. L.Technical physics, 2011-10, Vol.56 (10), p.1429-1433 [Periódico revisado por pares]Dordrecht: SP MAIK Nauka/InterperiodicaTexto completo disponível |
| 4 |
Material Type: Artigo
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Cascode turn-off of field-controlled integrated thyristorsGrekhov, I. V. ; Rozhkov, A. V. ; Kostina, L. S. ; Zitta, N. F. ; Matveev, V. I. ; Mashovets, D. V.Technical physics, 2010, Vol.55 (1), p.154-157 [Periódico revisado por pares]Dordrecht: SP MAIK Nauka/InterperiodicaTexto completo disponível |
| 5 |
Material Type: Artigo
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Structural and electrical properties of SiGe-on-insulator substrates fabricated by direct bondingGrekhov, I. V. ; Kostina, L. S. ; Argunova, T. S. ; Belyakova, E. I. ; Rozkov, A. V. ; Shmidt, N. M. ; Yusupova, Sh. A. ; Je, J. H.Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-08, Vol.44 (8), p.1101-1105 [Periódico revisado por pares]Dordrecht: SP MAIK Nauka/InterperiodicaTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Simulation of reversely switched dynistors in modes with a lowered primary-ignition thresholdGorbatyuk, A. V. ; Ivanov, B. V.Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-06, Vol.51 (6), p.803-811 [Periódico revisado por pares]Moscow: Pleiades PublishingTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Theory and simulation of combined mechanisms limiting the safe operating area of power semiconductor microelectronic switchesGorbatyuk, A. V. ; Gusin, D. V. ; Ivanov, B. V.Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-03, Vol.47 (3), p.396-405 [Periódico revisado por pares]Dordrecht: SP MAIK Nauka/InterperiodicaTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Effects of current localization in high-power microgate bipolar switches with nonideal interconnection between controlled cellsGorbatyuk, A. V. ; Grekhov, I. V. ; Gusin, D. V.Technical physics, 2012-05, Vol.57 (5), p.636-643 [Periódico revisado por pares]Dordrecht: SP MAIK Nauka/InterperiodicaTexto completo disponível |
| 9 |
Material Type: Artigo
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Mechanomaking of nanostructure in nitrided Fe-Cr alloys by cyclic "dissolution-precipitation" deformation-induced transformationsShabashov, V.A. ; Borisov, S.V. ; Litvinov, A.V. ; Zamatovsky, A.E. ; Lyashkov, K.A. ; Sagaradze, V.V. ; Vil′danova, N.F.High pressure research, 2013-12, Vol.33 (4), p.795-812 [Periódico revisado por pares]Abingdon: Taylor & FrancisTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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The mechanism of contact-resistance formation on lapped n-Si surfacesSachenko, A. V. ; Belyaev, A. E. ; Boltovets, N. S. ; Vinogradov, A. O. ; Kapitanchuk, L. M. ; Konakova, R. V. ; Kostylyov, V. P. ; Kudryk, Ya. Ya ; Kladko, V. P. ; Sheremet, V. N.Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-03, Vol.47 (3), p.449-454 [Periódico revisado por pares]Dordrecht: SP MAIK Nauka/InterperiodicaTexto completo disponível |
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