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On-Chip Fast Data Sparsification for a Monolithic 4096-Pixel Device
On-Chip Fast Data Sparsification for a Monolithic 4096-Pixel Device
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On-Chip Fast Data Sparsification for a Monolithic 4096-Pixel Device

Gabrielli, A. ; Batignani, G. ; Bettarini, S. ; Bosi, F. ; Calderini, G. ; Cenci, R. ; Dell'Orso, M. ; Forti, F. ; Giannetti, P. ; Giorgi, M.A. ; Lusiani, A. ; Marchiori, G. ; Morsani, F. ; Neri, N. ; Paoloni, E. ; Rizzo, G. ; Walsh, J. ; Andreoli, C. ; Gaioni, L. ; Pozzati, E. ; Ratti, L. ; Speziali, V. ; Manghisoni, M. ; Re, V. ; Traversi, G. ; Bomben, M. ; Bosisio, L. ; Giacomini, G. ; Lanceri, L. ; Rachevskaia, I. ; Vitale, L. ; Dalla Betta, G.F. ; Soncini, G. ; Fontana, G. ; Pancheri, L. ; Verzellesi, G. ; Gamba, D. ; Giraudo, G. ; Mereu, P. ; Di Sipio, R. ; Bruschi, M. ; Giacobbe, B. ; Giorgi, F. ; Semprini, N. ; Sbarra, C. ; Spighi, R. ; Valentinetti, S. ; Villa, M. ; Zoccoli, A.

IEEE transactions on nuclear science, 2009-06, Vol.56 (3), p.1159-1162 [Revista revisada por pares]

New York: IEEE

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Thin pixel development for the Layer0 of the SuperB Silicon Vertex Tracker
Thin pixel development for the Layer0 of the SuperB Silicon Vertex Tracker
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Thin pixel development for the Layer0 of the SuperB Silicon Vertex Tracker

Casarosa, G ; Avanzini, C ; Batignani, G ; Bettarini, S ; Bosi, F ; Ceccanti, M ; Cenci, R ; Cervelli, A ; Crescioli, F ; Dell'Orso, M ; Forti, F ; Giannetti, P ; Giorgi, M A ; Lusiani, A ; Gregucci, S ; Mammini, P ; Marchiori, G ; Massa, M ; Morsani, F ; Neri, N ; Paoloni, E ; Piendibene, M ; Profeti, A ; Sartori, L ; Walsh, J ; Yurtsev, E ; Manghisoni, M ; Re, V ; Traversi, G ; Bruschi, M ; Di Sipio, R ; Giacobbe, B ; Gabrielli, A ; Giorgi, F ; Pellegrini, G ; Sbarra, C ; Semprini, N ; Spighi, R ; Valentinetti, S ; Villa, M ; Zoccoli, A ; Citterio, M ; Liberali, V ; Stabile, A ; Palombo, F ; Gaioni, L ; Manazza, A ; Ratti, L ; Speziali, V ; Zucca, S ; Betta, G F D ; Soncini, G ; Fontana, G ; Bomben, M ; Bosisio, L ; Cristaudo, P ; Jugovaz, D ; Lanceri, L ; Rashevskaya, I ; Vitale, L ; Venier, G

IEEE Nuclear Science Symposuim & Medical Imaging Conference, 2010, p.1901-1905

IEEE

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3
Performance of a radon sensor based on a BJT detector on high-resistivity silicon
Performance of a radon sensor based on a BJT detector on high-resistivity silicon
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Performance of a radon sensor based on a BJT detector on high-resistivity silicon

Bosi, A. ; Bidinelli, L. ; Saguatti, D. ; Dalla Betta, G.-F ; Tyzhnevyi, V. ; Rovati, L. ; Verzellesi, G. ; Batignani, G. ; Bettarini, S. ; Forti, F. ; D'Errico, F. ; Del Gratta, A. ; Bosisio, L. ; Rachevskaia, I. ; Boscardin, M. ; Giacomini, G. ; Calamosca, M. ; Penzo, S. ; Cardellini, F.

2012 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference Record (NSS/MIC), 2012, p.266-268

IEEE

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The KLOE computing environment
The KLOE computing environment
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The KLOE computing environment

Moulson, M.

IEEE transactions on nuclear science, 2004-06, Vol.51 (3), p.897-902 [Revista revisada por pares]

New York: IEEE

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5
Development of 130nm CMOS Monolithic Active Pixels with In-pixel Signal Processing
Development of 130nm CMOS Monolithic Active Pixels with In-pixel Signal Processing
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Development of 130nm CMOS Monolithic Active Pixels with In-pixel Signal Processing

Forti, F. ; Andreoli, C. ; Batignani, G. ; Bettarini, S. ; Bosi, F. ; Bosisio, L. ; Bruschi, M. ; Calderini, G. ; Cenci, R. ; Dalla Betta, G.F. ; Dell'Orso, M. ; Fontana, G. ; Gabrielli, A. ; Gamba, D. ; Giacobbe, B. ; Giacomini, G. ; Giannetti, P. ; Giorgi, M.A. ; Giraudo, G. ; Lanceri, L. ; Lusiani, A. ; Manghisoni, M. ; Marchiori, G. ; Mereu, P. ; Morsani, F. ; Neri, N. ; Pancheri, L. ; Paoloni, E. ; Pozzati, E. ; Rachevskaia, I. ; Ratti, L. ; Re, V. ; Rizzo, G. ; Semprini, N. ; Soncini, G. ; Spighi, R. ; Speziali, V. ; Traversi, G. ; Walsh, J. ; Verzellesi, G. ; Vitale, L. ; Villa, M. ; Zoccoli, A.

2006 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record, 2006, Vol.3, p.1456-1459

IEEE

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6
A 1006 element hybrid silicon pixel detector with strobed binary output
A 1006 element hybrid silicon pixel detector with strobed binary output
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A 1006 element hybrid silicon pixel detector with strobed binary output

Anghinolfi, F. ; Aspell, P. ; Bass, K. ; Beusch, W. ; Bosisio, L. ; Boutonnet, C. ; Burger, P. ; Campbell, M. ; Chesi, E. ; Claeys, C. ; Clemens, J.C. ; Cohen Solal, M. ; Debusschere, I. ; Delpierre, P. ; Di Bari, D. ; Dierickx, B. ; Enz, C.C. ; Focardi, E. ; Forti, F. ; Gally, Y. ; Glaser, M. ; Gys, T. ; Habrard, M.C. ; Heijne, E.H.M. ; Hermans, L. ; Hurst, R. ; Inzani, P. ; Jaeger, J.J. ; Jarron, P. ; Krummenacher, F. ; Lemeilleur, F. ; Lenti, V. ; Manzari, V. ; Meddeler, G. ; Morando, M. ; Munns, A. ; Nava, F. ; Navach, F. ; Neyer, C. ; Ottaviani, G. ; Pellegrini, F. ; Pengg, F. ; Perego, R. ; Pindo, M. ; Potheau, R. ; Quercigh, E. ; Redaelli, N. ; Rossi, L. ; Sauvage, D. ; Segato, G. ; Simone, S. ; Stefanini, G. ; Tonelli, G. ; Vanstraelen, G. ; Vegni, G. ; Verweij, H. ; Viertel, G.M. ; Waisbard, J.

IEEE Transactions on Nuclear Science, 1992-08, Vol.39 (4), p.654-661 [Revista revisada por pares]

NEW YORK: IEEE

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Recent results and running experience of the new ALEPH Vertex Detector
Recent results and running experience of the new ALEPH Vertex Detector
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Recent results and running experience of the new ALEPH Vertex Detector

Batignani, G. ; Bauer, C. ; Becker, H. ; Bloch, B. ; Boudreau, J. ; Brown, D. ; Bosi, F. ; Bosisio, L. ; Carpinelli, M. ; Carr, J. ; Ciocci, A. ; Coyle, P. ; Dell'Orso, R. ; Dietl, H. ; Drinkard, J. ; Focardi, E. ; Forti, F. ; Giorgi, M. ; Hansl-Kozanecka, T. ; Hauff, D. ; Holl, P. ; Jacobsen, R. ; Lancon, E. ; Lauber, J. ; Litke, A. ; Lutz, G. ; Lutjens, G. ; Mannelli, E. ; Manner, W. ; Mattison, T. ; McNeal, M. ; Menary, S. ; Moneta, L. ; Moser, H.G. ; Mours, B. ; Parrini, G. ; Piccinini, S. ; Redlinger, G. ; Rizzi, D. ; Rizzo, G. ; Rousseau, D. ; Tonelli, G. ; Triggiani, G. ; Schwartz, A.S. ; Schwemling, P. ; Settles, R. ; Seywerd, H. ; Sharma, V. ; Struder, L. ; Vannini, C. ; Verdini, P.G. ; Walsh, J. ; Waltermann, G. ; Walther, S. ; Wear, J. ; Weber, F.

IEEE Transactions on Nuclear Science (Institute of Electrical and Electronics Engineers); (United States), 1992-08, Vol.39 (4), p.701-706 [Revista revisada por pares]

NEW YORK: IEEE

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