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Organic Photovoltaics
Organic Photovoltaics
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Organic Photovoltaics

Christoph J. Brabec Vladimir Dyakonov; Jürgen Parisi; Niyazi Serdar Sariciftci

Springer Berlin Heidelberg 2003

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2
Organic photovoltaics materials, device physics, and manufacturing technologies
Organic photovoltaics materials, device physics, and manufacturing technologies
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Organic photovoltaics materials, device physics, and manufacturing technologies

C. J Brabec (Christoph J.) 1966-; Vladimir Dyakonov; Ullrich Scherf

Weinheim Wiley-VCH c2008

Localização: CQ - Conjunto das Químicas    (621.3 O68 )(Acessar)

3
Room-temperature quantum microwave emitters based on spin defects in silicon carbide
Room-temperature quantum microwave emitters based on spin defects in silicon carbide
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Room-temperature quantum microwave emitters based on spin defects in silicon carbide

Kraus, H. ; Soltamov, V. A. ; Riedel, D. ; Väth, S. ; Fuchs, F. ; Sperlich, A. ; Baranov, P. G. ; Dyakonov, V. ; Astakhov, G. V.

Nature physics, 2013-12, Vol.10 (2), p.157-162 [Periódico revisado por pares]

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4
Robust Architecture for Programmable Universal Unitaries
Robust Architecture for Programmable Universal Unitaries
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Robust Architecture for Programmable Universal Unitaries

Saygin, M Yu ; Kondratyev, I V ; Dyakonov, I V ; Mironov, S A ; Straupe, S S ; Kulik, S P

Physical review letters, 2020-01, Vol.124 (1), p.010501-010501, Article 010501 [Periódico revisado por pares]

United States: American Physical Society

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5
Excitation and coherent control of spin qudit modes in silicon carbide at room temperature
Excitation and coherent control of spin qudit modes in silicon carbide at room temperature
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Excitation and coherent control of spin qudit modes in silicon carbide at room temperature

Soltamov, V A ; Kasper, C ; Poshakinskiy, A V ; Anisimov, A N ; Mokhov, E N ; Sperlich, A ; Tarasenko, S A ; Baranov, P G ; Astakhov, G V ; Dyakonov, V

Nature communications, 2019-04, Vol.10 (1), p.1678-1678, Article 1678 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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6
Optical thermometry based on level anticrossing in silicon carbide
Optical thermometry based on level anticrossing in silicon carbide
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Optical thermometry based on level anticrossing in silicon carbide

Anisimov, A N ; Simin, D ; Soltamov, V A ; Lebedev, S P ; Baranov, P G ; Astakhov, G V ; Dyakonov, V

Scientific reports, 2016-09, Vol.6 (1), p.33301-33301, Article 33301 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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The Landé factors of electrons and holes in lead halide perovskites: universal dependence on the band gap
The Landé factors of electrons and holes in lead halide perovskites: universal dependence on the band gap
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The Landé factors of electrons and holes in lead halide perovskites: universal dependence on the band gap

Kirstein, E ; Yakovlev, D R ; Glazov, M M ; Zhukov, E A ; Kudlacik, D ; Kalitukha, I V ; Sapega, V F ; Dimitriev, G S ; Semina, M A ; Nestoklon, M O ; Ivchenko, E L ; Kopteva, N E ; Dirin, D N ; Nazarenko, O ; Kovalenko, M V ; Baumann, A ; Höcker, J ; Dyakonov, V ; Bayer, M

Nature communications, 2022-06, Vol.13 (1), p.3062-3062, Article 3062 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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Engineering near-infrared single-photon emitters with optically active spins in ultrapure silicon carbide
Engineering near-infrared single-photon emitters with optically active spins in ultrapure silicon carbide
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Engineering near-infrared single-photon emitters with optically active spins in ultrapure silicon carbide

Fuchs, F ; Stender, B ; Trupke, M ; Simin, D ; Pflaum, J ; Dyakonov, V ; Astakhov, G V

Nature communications, 2015-07, Vol.6 (1), p.7578-7578, Article 7578 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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9
Shockley equation parameters of P3HT:PCBM solar cells determined by transient techniques
Shockley equation parameters of P3HT:PCBM solar cells determined by transient techniques
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Shockley equation parameters of P3HT:PCBM solar cells determined by transient techniques

Foertig, A. ; Rauh, J. ; Dyakonov, V. ; Deibel, C.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2012-09, Vol.86 (11), Article 115302 [Periódico revisado por pares]

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10
Trap-limited hole mobility in semiconducting poly(3-hexylthiophene)
Trap-limited hole mobility in semiconducting poly(3-hexylthiophene)
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Trap-limited hole mobility in semiconducting poly(3-hexylthiophene)

CHIGUVARE, Z ; DYAKONOV, V

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2004-12, Vol.70 (23), p.235207.1-235207.8, Article 235207 [Periódico revisado por pares]

Ridge, NY: American Physical Society

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Deste Autor:

  1. Dyakonov, V
  2. Brabec, C
  3. Sariciftci, N
  4. Scherf, U
  5. Christoph J. Brabec

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
  2. Physical Sciences
  3. Physics
  4. Technology
  5. Materials Science

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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