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1
Effect of substrate temperature on the stability of transparent conducting cobalt doped ZnO thin films
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Effect of substrate temperature on the stability of transparent conducting cobalt doped ZnO thin films

Benramache, Said ; Benhaoua, Boubaker ; Chabane, Foued

Journal of semiconductors, 2012-09, Vol.33 (9), p.18-21 [Periódico revisado por pares]

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2
Influence of growth time on crystalline structure, conductivity and optical properties of ZnO thin films
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Influence of growth time on crystalline structure, conductivity and optical properties of ZnO thin films

Benramache, Said ; Chabane, Foued ; Benhaoua, Boubaker ; Lemmadi, Fatima Z.

Journal of semiconductors, 2013-02, Vol.34 (2), p.11-14 [Periódico revisado por pares]

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3
Photoelectric properties of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by thermal evaporation
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Photoelectric properties of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by thermal evaporation

吴新坤 柳伟 程树英 赖云锋 贾宏杰

半导体学报, 2012-02, Vol.33 (2), p.14-17 [Periódico revisado por pares]

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4
Physical properties of sprayed antimony doped tin oxide thin films: The role of thickness
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Physical properties of sprayed antimony doped tin oxide thin films: The role of thickness

Babar, A. R ; Shinde, S. S ; Moholkar, A. V ; Bhosale, C. H ; Kim, J. H ; Rajpure, K. Y

Journal of semiconductors, 2011-05, Vol.32 (5), p.10-17 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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5
Effects of interaction between defects on the uniformity of doping HfO2-based RRAM: a first principle study
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Effects of interaction between defects on the uniformity of doping HfO2-based RRAM: a first principle study

Zhao Qiang Zhou Maoxiu Zhang Wei Liu Qi Li Xiaofeng Liu Ming Dai Yuehua

半导体学报, 2013-03 (3), p.1-6 [Periódico revisado por pares]

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6
Reliability test and failure analysis of high power LED packages
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Reliability test and failure analysis of high power LED packages

陈照辉 张芹 王恺 罗小兵 刘胜

Journal of semiconductors, 2011, Vol.32 (1), p.53-56 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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7
Effect of junction temperature on the large-signal properties of a 94 GHz silicon based double-drift region impact avalanche transit time device
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Effect of junction temperature on the large-signal properties of a 94 GHz silicon based double-drift region impact avalanche transit time device

Acharyya, Aritra ; Banerjee, Suranjana ; Banerjee, J. P.

Journal of semiconductors, 2013-02, Vol.34 (2), p.19-30 [Periódico revisado por pares]

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8
Optical properties of GaAs
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Optical properties of GaAs

Akinlami, J. O. ; Ashamu, A. O.

Journal of semiconductors, 2013-03, Vol.34 (3), p.7-11 [Periódico revisado por pares]

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9
A nanostructured copper telluride thin film grown at room temperature by an electrodeposition method
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A nanostructured copper telluride thin film grown at room temperature by an electrodeposition method

Dhasade, S. S. ; Han, S. H. ; Fulari, V. J.

Journal of semiconductors, 2012-09, Vol.33 (9), p.22-27 [Periódico revisado por pares]

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10
Fluorescent SiC and its application to white light-emitting diodes
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Fluorescent SiC and its application to white light-emitting diodes

Kamiyama, Satoshi ; Iwaya, Motoaki ; Takeuchi, Tetsuya ; Akasaki, Isamu ; Syväjärvi, Mikael ; Yakimova, Rositza

Journal of semiconductors, 2011, Vol.32 (1), p.24-26 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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