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A Universal Core Model for Multiple-Gate Field-Effect Transistors. Part I: Charge Model
A Universal Core Model for Multiple-Gate Field-Effect Transistors. Part I: Charge Model
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A Universal Core Model for Multiple-Gate Field-Effect Transistors. Part I: Charge Model

Duarte, J. P. ; Sung-Jin Choi ; Dong-Il Moon ; Jae-Hyuk Ahn ; Jee-Yeon Kim ; Sungho Kim ; Yang-Kyu Choi

IEEE transactions on electron devices, 2013-02, Vol.60 (2), p.840-847 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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2
Caracterização de grafeno quimicamente esfoliado para aplicações em nanomedicina
Caracterização de grafeno quimicamente esfoliado para aplicações em nanomedicina
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Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Caracterização de grafeno quimicamente esfoliado para aplicações em nanomedicina

Santos, Fabrício Aparecido Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física de São Carlos 2017-10-24

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

3
A Universal Core Model for Multiple-Gate Field-Effect Transistors. Part II: Drain Current Model
A Universal Core Model for Multiple-Gate Field-Effect Transistors. Part II: Drain Current Model
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A Universal Core Model for Multiple-Gate Field-Effect Transistors. Part II: Drain Current Model

Duarte, J. P. ; Sung-Jin Choi ; Dong-Il Moon ; Jae-Hyuk Ahn ; Jee-Yeon Kim ; Sungho Kim ; Yang-Kyu Choi

IEEE transactions on electron devices, 2013-02, Vol.60 (2), p.848-855 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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4
Efeito de campo em heteroestruturas semicondutoras de dispositivos eletrônicos quânticos
Efeito de campo em heteroestruturas semicondutoras de dispositivos eletrônicos quânticos
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Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Efeito de campo em heteroestruturas semicondutoras de dispositivos eletrônicos quânticos

Manzoli, José Eduardo

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Ciência e Engenharia de Materiais 1998-03-06

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

5
Eletrônica - Aula 5: Transistor de Efeito de Campo (FET): Vídeo 1
Eletrônica - Aula 5: Transistor de Efeito de Campo (FET): Vídeo 1
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Eletrônica - Aula 5: Transistor de Efeito de Campo (FET): Vídeo 1

Emerson Gonçalves De Melo

Disciplina LOM3206-1

e-Aulas USP - https://eaulas.usp.br/ 2020-04-03

Acesso online

6
Impact of Transport Mechanism on Binding Kinematics and Sensitivity of FET Biosensors
Impact of Transport Mechanism on Binding Kinematics and Sensitivity of FET Biosensors
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Impact of Transport Mechanism on Binding Kinematics and Sensitivity of FET Biosensors

Chanda, Manash ; Patel, Sharang Dhar ; Bhattacharyya, Amit ; Sahay, Shubham

IEEE transactions on electron devices, 2024-01, Vol.71 (1), p.1-9 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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7
A Core Compact Model for Multiple-Gate Junctionless FETs
A Core Compact Model for Multiple-Gate Junctionless FETs
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A Core Compact Model for Multiple-Gate Junctionless FETs

Jae Hur ; Dong-Il Moon ; Ji-Min Choi ; Myeong-Lok Seol ; Ui-Sik Jeong ; Chang-Hoon Jeon ; Yang-Kyu Choi

IEEE transactions on electron devices, 2015-07, Vol.62 (7), p.2285-2291 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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8
On Enhanced Miller Capacitance Effect in Interband Tunnel Transistors
On Enhanced Miller Capacitance Effect in Interband Tunnel Transistors
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

On Enhanced Miller Capacitance Effect in Interband Tunnel Transistors

Mookerjea, S. ; Krishnan, R. ; Datta, S. ; Narayanan, V.

IEEE electron device letters, 2009-10, Vol.30 (10), p.1102-1104 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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9
Ambipolar MoS 2 Thin Flake Transistors
Ambipolar MoS 2 Thin Flake Transistors
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Ambipolar MoS 2 Thin Flake Transistors

Zhang, Yijin ; Ye, Jianting ; Matsuhashi, Yusuke ; Iwasa, Yoshihiro

Nano letters, 2012-03, Vol.12 (3), p.1136-1140 [Periódico revisado por pares]

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10
Charge-based modeling of ultra narrow junctionless cylindrical nanowire FETs
Charge-based modeling of ultra narrow junctionless cylindrical nanowire FETs
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Charge-based modeling of ultra narrow junctionless cylindrical nanowire FETs

Shafizade, Danial ; Shalchian, Majid ; Jazaeri, Farzan

Solid-state electronics, 2021-11, Vol.185, p.108153, Article 108153 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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  1. Santos, F
  2. Zucolotto, V
  3. Hipólito, O
  4. Janegitz, B
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Neste Assunto:

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