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Revealing localized excitons in WSe2/β-Ga2O3
Revealing localized excitons in WSe2/β-Ga2O3
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Revealing localized excitons in WSe2/β-Ga2O3

Camila Cavalini César Ricardo Rabahi; Caique Serati de Brito; Eunji Lee; José Roberto de Toledo; Felipe Faria Cazetta; Raphael Brenon Fernandes de Oliveira; Marcelo Barbosa de Andrade; Mohamed Henini; Yuhao Zhang; Jeongyong Kim; Ingrid David Barcelos; Yara Galvão Gobato

Applied Physics Letters Melville v. 124, n. 14, p. 142104-1-142104-7 + supplementary material, Apr. 2024

Melville 2024

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD035768 )(Acessar)

2
β -rays induced displacement damage on epitaxial 4H-SiC revealed by exciton recombination
β -rays induced displacement damage on epitaxial 4H-SiC revealed by exciton recombination
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β -rays induced displacement damage on epitaxial 4H-SiC revealed by exciton recombination

Migliore, F. ; Alessi, A. ; Principato, F. ; Girard, S. ; Cannas, M. ; Gelardi, F. ; Lombardo, A. ; Vecchio, D. ; Brischetto, A. ; Agnello, S.

Applied physics letters, 2024-01, Vol.124 (4) [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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Superconductivity in laser-annealed monocrystalline silicon films: The role of boron implant
Superconductivity in laser-annealed monocrystalline silicon films: The role of boron implant
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Superconductivity in laser-annealed monocrystalline silicon films: The role of boron implant

Dumas, P. ; Opprecht, M. ; Kerdilès, S. ; Lábár, J. ; Pécz, B. ; Lefloch, F. ; Nemouchi, F.

Applied physics letters, 2023-09, Vol.123 (13) [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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4
Demonstration of a 4.32 μ m cutoff InAsSbBi n B n photodetector, a lattice-matched random alloy III–V solution for mid-wave infrared sensing
Demonstration of a 4.32 μ m cutoff InAsSbBi n B n photodetector, a lattice-matched random alloy III–V solution for mid-wave infrared sensing
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Demonstration of a 4.32 μ m cutoff InAsSbBi n B n photodetector, a lattice-matched random alloy III–V solution for mid-wave infrared sensing

Webster, P. T. ; Logan, J. V. ; Helms, L. ; Grant, P. C. ; Hains, C. ; Carrasco, R. A. ; Newell, A. T. ; Milosavljevic, M. S. ; Johnson, S. R. ; Balakrishnan, G. ; Maestas, D. ; Morath, C. P.

Applied physics letters, 2023-07, Vol.123 (5) [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics (AIP)

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5
A nanocryotron memory and logic family
A nanocryotron memory and logic family
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A nanocryotron memory and logic family

Buzzi, Alessandro ; Castellani, Matteo ; Foster, Reed A. ; Medeiros, Owen ; Colangelo, Marco ; Berggren, Karl K.

Applied physics letters, 2023-04, Vol.122 (14) [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics (AIP)

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6
Opposite signs of voltage-induced perpendicular magnetic anisotropy change in CoFeB|MgO junctions with different underlayers
Opposite signs of voltage-induced perpendicular magnetic anisotropy change in CoFeB|MgO junctions with different underlayers
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Opposite signs of voltage-induced perpendicular magnetic anisotropy change in CoFeB|MgO junctions with different underlayers

Shiota, Yoichi ; Bonell, Frédéric ; Miwa, Shinji ; Mizuochi, Norikazu ; Shinjo, Teruya ; Suzuki, Yoshishige

Applied physics letters, 2013-08, Vol.103 (8) [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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7
Stochasticity in the synchronization of strongly coupled spiking oscillators
Stochasticity in the synchronization of strongly coupled spiking oscillators
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Stochasticity in the synchronization of strongly coupled spiking oscillators

Qiu, Erbin ; Salev, Pavel ; Fratino, Lorenzo ; Rocco, Rodolfo ; Navarro, Henry ; Adda, Coline ; Li, Junjie ; Lee, Min-Han ; Kalcheim, Yoav ; Rozenberg, Marcelo ; Schuller, Ivan

Applied physics letters, 2023-02, Vol.122 (9) [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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Origin of the anomalous Hall effect at the magnetic insulator/heavy metals interface
Origin of the anomalous Hall effect at the magnetic insulator/heavy metals interface
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Origin of the anomalous Hall effect at the magnetic insulator/heavy metals interface

Husain, Sajid ; Figueiredo-Prestes, Nicholas ; Fayet, Olivier ; Collin, Sophie ; Godel, Florian ; Jacquet, Eric ; Reyren, Nicolas ; Jaffrès, Henri ; George, Jean-Marie

Applied physics letters, 2023-02, Vol.122 (6) [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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9
Coexistence of volatile and nonvolatile memristive effects in phase-separated La 0.5 Ca 0.5 MnO 3 -based devices
Coexistence of volatile and nonvolatile memristive effects in phase-separated La 0.5 Ca 0.5 MnO 3 -based devices
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Coexistence of volatile and nonvolatile memristive effects in phase-separated La 0.5 Ca 0.5 MnO 3 -based devices

Ramírez, G. ; Román Acevedo, W. ; Rengifo, M. ; Nuñez, J. ; Aguirre, M. ; Briatico, Javier ; Rubi, D.

Applied physics letters, 2023-02, Vol.122 (6) [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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Probing itinerant carrier dynamics at the diamond surface using single nitrogen vacancy centers
Probing itinerant carrier dynamics at the diamond surface using single nitrogen vacancy centers
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Probing itinerant carrier dynamics at the diamond surface using single nitrogen vacancy centers

Mahdia, Marjana ; Allred, James ; Yuan, Zhiyang ; Rovny, Jared ; de Leon, Nathalie P.

Applied physics letters, 2023-02, Vol.122 (6) [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics (AIP)

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  1. Zhang, Y
  2. Lee, E
  3. Kim, J
  4. Cavalini, C
  5. Rabahi, C

Neste Assunto:

  1. Physics
  2. Physical Sciences
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