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1
Highly stretchable and sensitive silicone composites with positive piezoconductivity using nickel powder and ionic liquid
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Highly stretchable and sensitive silicone composites with positive piezoconductivity using nickel powder and ionic liquid

Matsuda, R. ; Isano, Y. ; Ueno, K. ; Ota, H.

APL bioengineering, 2023-03, Vol.7 (1), p.016108-016108 [Periódico revisado por pares]

United States: AIP Publishing LLC

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2
An Unconditionally Stable Three-Stage OTA
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Artigo
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An Unconditionally Stable Three-Stage OTA

Aminzadeh, H. ; Ballo, A. ; Valinezhad, M. ; Grasso, A. D.

IEEE solid-state circuits letters, 2022, Vol.5, p.1-1 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

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3
Pyrolysis Kinetics of Newspaper and Its Gasification
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Pyrolysis Kinetics of Newspaper and Its Gasification

Bhuiyan, M. N. A. ; Ota, M. ; Murakami, K. ; Yoshida, H.

Energy sources. Part A, Recovery, utilization, and environmental effects, 2010-01, Vol.32 (2), p.108-118 [Periódico revisado por pares]

Taylor & Francis Group

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4
Battery Maintenance of Pedelec Sharing System: Big Data Based Usage Prediction and Replenishment Scheduling
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Artigo
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Battery Maintenance of Pedelec Sharing System: Big Data Based Usage Prediction and Replenishment Scheduling

Zhang, Chaofeng ; Dong, Mianxiong ; Luan, Tom H. ; Ota, Kaoru

IEEE transactions on network science and engineering, 2020-01, Vol.7 (1), p.127-138 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

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5
Evaluation with Surface Analysis Equipment, of Casting Defects in Cast Iron Articles (review)
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Evaluation with Surface Analysis Equipment, of Casting Defects in Cast Iron Articles (review)

Kambayashi, H. ; Kurokawa, Y. ; Ota, H. ; Hoshiyama, Yasuhiro ; Miyake, Hidekazu

Materials science forum, 2007-03, Vol.539-543, p.1110-1115 [Periódico revisado por pares]

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6
Impact of fin length on threshold voltage modulation by back bias for Independent double-gate tunnel fin field-effect transistors
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Impact of fin length on threshold voltage modulation by back bias for Independent double-gate tunnel fin field-effect transistors

Mizubayashi, W. ; Fukuda, K. ; Mori, T. ; Endo, K. ; Liu, Y.X. ; Matsukawa, T. ; O’uchi, S. ; Ishikawa, Y. ; Migita, S. ; Morita, Y. ; Tanabe, A. ; Tsukada, J. ; Yamauchi, H. ; Masahara, M. ; Ota, H.

Solid-state electronics, 2015-09, Vol.111, p.62-66 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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7
Advantages of HfAlON gate dielectric film for advanced low power CMOS application
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Advantages of HfAlON gate dielectric film for advanced low power CMOS application

Toriumi, A. ; Iwamoto, K. ; Ota, H. ; Kadoshima, M. ; Mizubayashi, W. ; Nabatame, T. ; Ogawa, A. ; Tominaga, K. ; Horikawa, T. ; Satake, H.

Microelectronic engineering, 2005-06, Vol.80, p.190-197 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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8
Preparation and mechanical properties of polylactic acid composites containing hydroxyapatite fibers
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Preparation and mechanical properties of polylactic acid composites containing hydroxyapatite fibers

Kasuga, Toshihiro ; Ota, Yoshio ; Nogami, Masayuki ; Abe, Yoshihiro

Biomaterials, 2001-01, Vol.22 (1), p.19-23 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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9
Visualization of Poynting Vectors by Using Electro-Optic Probes for Electromagnetic Fields
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Artigo
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Visualization of Poynting Vectors by Using Electro-Optic Probes for Electromagnetic Fields

Suzuki, E. ; Arakawa, S. ; Takahashi, M. ; Ota, H. ; Arai, K.I. ; Sato, R.

IEEE transactions on instrumentation and measurement, 2008-05, Vol.57 (5), p.1014-1022 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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10
0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiOx interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO2 and Si substrate
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0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiOx interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO2 and Si substrate

OGAWA, A ; IWAMOTO, K ; OTA, H ; MORITA, Y ; IKEDA, M ; NABATAME, T ; TORIUMI, A

Microelectronic engineering, 2007-09, Vol.84 (9-10), p.1861-1864 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier Science

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