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1
A compact model for tunnel field-effect transistors incorporating nonlocal band-to-band tunneling
A compact model for tunnel field-effect transistors incorporating nonlocal band-to-band tunneling
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A compact model for tunnel field-effect transistors incorporating nonlocal band-to-band tunneling

Fukuda, K. ; Mori, T. ; Mizubayashi, W. ; Morita, Y. ; Tanabe, A. ; Masahara, M. ; Yasuda, T. ; Migita, S. ; Ota, H.

Journal of applied physics, 2013-10, Vol.114 (14) [Periódico revisado por pares]

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2
CVD Growth Technologies of Layered MX2 Materials for Real LSI Applications-Position and Growth Direction Control and Gas Source Synthesis
CVD Growth Technologies of Layered MX2 Materials for Real LSI Applications-Position and Growth Direction Control and Gas Source Synthesis
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CVD Growth Technologies of Layered MX2 Materials for Real LSI Applications-Position and Growth Direction Control and Gas Source Synthesis

Irisawa, T. ; Endo, T. ; Miyata, Y. ; Okada, N. ; Mizubayashi, W. ; Mori, T. ; Chang, W.-H. ; Koga, K. ; Ando, A. ; Endo, K. ; Sasaki, S.

IEEE journal of the Electron Devices Society, 2018-01, Vol.6, p.1159-1163 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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3
AFM measurement of atomic-scale Si surface etching by active oxidation
AFM measurement of atomic-scale Si surface etching by active oxidation
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

AFM measurement of atomic-scale Si surface etching by active oxidation

Morita, Y. ; Migita, S. ; Mizubayashi, W. ; Ota, H.

Surface science, 2010-08, Vol.604 (17), p.1432-1437 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier B.V

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4
Analytic model of direct tunnel current through ultrathin gate oxides
Analytic model of direct tunnel current through ultrathin gate oxides
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Analytic model of direct tunnel current through ultrathin gate oxides

Khairurrijal ; Mizubayashi, W. ; Miyazaki, S. ; Hirose, M.

Journal of applied physics, 2000-03, Vol.87 (6), p.3000-3005 [Periódico revisado por pares]

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5
Impact of fin length on threshold voltage modulation by back bias for Independent double-gate tunnel fin field-effect transistors
Impact of fin length on threshold voltage modulation by back bias for Independent double-gate tunnel fin field-effect transistors
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Impact of fin length on threshold voltage modulation by back bias for Independent double-gate tunnel fin field-effect transistors

Mizubayashi, W. ; Fukuda, K. ; Mori, T. ; Endo, K. ; Liu, Y.X. ; Matsukawa, T. ; O’uchi, S. ; Ishikawa, Y. ; Migita, S. ; Morita, Y. ; Tanabe, A. ; Tsukada, J. ; Yamauchi, H. ; Masahara, M. ; Ota, H.

Solid-state electronics, 2015-09, Vol.111, p.62-66 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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6
Exact control of junction position using epitaxial NiSi2 crystallization in ultrathin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
Exact control of junction position using epitaxial NiSi2 crystallization in ultrathin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Exact control of junction position using epitaxial NiSi2 crystallization in ultrathin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Mizubayashi, W. ; Migita, S. ; Morita, Y. ; Ota, H.

AIP advances, 2012-09, Vol.2 (3), p.032126-032126-5 [Periódico revisado por pares]

AIP Publishing LLC

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7
(Invited) Charge Trapping Type SOI-FinFET Flash Memory
(Invited) Charge Trapping Type SOI-FinFET Flash Memory
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

(Invited) Charge Trapping Type SOI-FinFET Flash Memory

Liu, Yongxun ; Nabatame, T ; Matsukawa, T ; Endo, K ; O'uchi, S ; Tsukada, J ; Yamauchi, H ; Ishikawa, Y ; Mizubayashi, W ; Morita, Y ; Migita, S ; Ota, H ; Chikyow, T ; Masahara, M

ECS transactions, 2014, Vol.61 (2), p.263-280

The Electrochemical Society, Inc

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8
Unified analytic model of direct and Fowler–Nordheim tunnel currents through ultrathin gate oxides
Unified analytic model of direct and Fowler–Nordheim tunnel currents through ultrathin gate oxides
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Unified analytic model of direct and Fowler–Nordheim tunnel currents through ultrathin gate oxides

Khairurrijal ; Mizubayashi, W. ; Miyazaki, S. ; Hirose, M.

Applied physics letters, 2000-11, Vol.77 (22), p.3580-3582 [Periódico revisado por pares]

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9
Advantages of HfAlON gate dielectric film for advanced low power CMOS application
Advantages of HfAlON gate dielectric film for advanced low power CMOS application
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Advantages of HfAlON gate dielectric film for advanced low power CMOS application

Toriumi, A. ; Iwamoto, K. ; Ota, H. ; Kadoshima, M. ; Mizubayashi, W. ; Nabatame, T. ; Ogawa, A. ; Tominaga, K. ; Horikawa, T. ; Satake, H.

Microelectronic engineering, 2005-06, Vol.80, p.190-197 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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10
Limit of gate oxide thickness scaling in MOSFETs due to apparent threshold voltage fluctuation induced by tunnel leakage current
Limit of gate oxide thickness scaling in MOSFETs due to apparent threshold voltage fluctuation induced by tunnel leakage current
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Limit of gate oxide thickness scaling in MOSFETs due to apparent threshold voltage fluctuation induced by tunnel leakage current

Koh, M. ; Mizubayashi, W. ; Iwamoto, K. ; Murakami, H. ; Ono, T. ; Tsuno, M. ; Mihara, T. ; Shibahara, K. ; Miyazaki, S. ; Hirose, M.

IEEE transactions on electron devices, 2001-02, Vol.48 (2), p.259-264 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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