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1
(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD
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Artigo
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(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD

Bai, J. ; Wang, T. ; Li, H.D. ; Jiang, N. ; Sakai, S.

Journal of crystal growth, 2001-09, Vol.231 (1), p.41-47 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
0. 98 [mu]m InGaAs-InGaAsP-InGaP GRIN-SCH SL-SQW lasers for coupling high optical power into single-mode fiber
Material Type:
Artigo
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0. 98 [mu]m InGaAs-InGaAsP-InGaP GRIN-SCH SL-SQW lasers for coupling high optical power into single-mode fiber

Ohkubo, Michio ; Namiki, Shu ; Ijichi, Tetsuro ; Iketani, Akira ; Kikuta, Toshio

IEEE journal of quantum electronics, 1993-06, Vol.29:6 [Periódico revisado por pares]

United States

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3
(001)-Oriented LaNiO3 Bottom Electrodes and (001)-Textured Ferroelectric Thin Films on LaNiO3
Material Type:
Ata de Congresso
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(001)-Oriented LaNiO3 Bottom Electrodes and (001)-Textured Ferroelectric Thin Films on LaNiO3

Zhang, Zhenshan ; Park, Jeong Hwan ; Trolier-McKinstry, Susan

MRS proceedings, 2000, Vol.596

New York, USA: Cambridge University Press

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4
(001)-oriented PbTiO3 ferroelectric thin films grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition
Material Type:
Artigo
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(001)-oriented PbTiO3 ferroelectric thin films grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition

Ma, Wen-Hui ; Zhang, Ming-Sheng ; Shun, Li ; Chen, Yang-Feng ; Ming, Nai-Ben

Journal of physics. Condensed matter, 1995-11, Vol.7 (47), p.9075-9080 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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5
(001) Surfaces of GaP and InP: structural motifs, electronic states and optical signatures
Material Type:
Artigo
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(001) Surfaces of GaP and InP: structural motifs, electronic states and optical signatures

Schmidt, W.G. ; Bernholc, J. ; Bechstedt, F.

Applied surface science, 2000-10, Vol.166 (1), p.179-184 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
(001)-textured growth of diamond films on polycrystalline diamond substrates by bias-assisted chemical vapor deposition
Material Type:
Artigo
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(001)-textured growth of diamond films on polycrystalline diamond substrates by bias-assisted chemical vapor deposition

Zhang, W.J. ; Jiang, X. ; Klages, C.-P.

Journal of crystal growth, 1997-02, Vol.171 (3), p.485-492 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

7
(001) textured PbTiO3 thin films grown on redoping n-Si by metalorganic chemical vapor deposition under reduced pressure
Material Type:
Artigo
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(001) textured PbTiO3 thin films grown on redoping n-Si by metalorganic chemical vapor deposition under reduced pressure

SUN, L ; CHEN, Y.-F ; YU, T ; MING, N.-B ; DING, D.-S ; LU, Z.-H

Applied physics. A, Materials science & processing, 1996-10, Vol.63 (4), p.381-384 [Periódico revisado por pares]

Berlin: Springer

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8
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
Material Type:
Artigo
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0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA

MATSUBARA, Y ; SAKAI, T ; ISHIGAMI, T ; ANDO, K ; HORIUCHI, T

Thin solid films, 1995-12, Vol.270 (1-2), p.537-543 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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9
0.12 /spl mu/m Optical Lithography Performance Using an Alternating DUV Phase Shift Mask
Material Type:
Ata de Congresso
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0.12 /spl mu/m Optical Lithography Performance Using an Alternating DUV Phase Shift Mask

Trouiller, Y. ; Buffet, N. ; Mourier, T. ; Schiavone, P. ; Quere, Y.

Digest of Papers. Microprocesses and Nanotechnology'98. 198 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (Cat. No.98EX135), 1998, p.77-80

IEEE

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10
0.13-μm optical lithography for random logic devices using 248-nm attenuated phase-shifting masks
Material Type:
Ata de Congresso
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0.13-μm optical lithography for random logic devices using 248-nm attenuated phase-shifting masks

Chen, Yung-Tin ; Lin, Chia-Hui ; Lin, Hua Tai ; Hsieh, Hung-Chang ; Yu, Shinn Sheng ; Yen, Anthony

SPIE 2000

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