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Photoreflectance characterization of interband transitions in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells and modulation-doped heterojunctions
Photoreflectance characterization of interband transitions in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells and modulation-doped heterojunctions
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoreflectance characterization of interband transitions in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells and modulation-doped heterojunctions

GLEMBOCKI, O. J ; SHANABROOK, B. V ; BOTTKA, N ; BEARD, W. T ; COMAS, J

Applied physics letters, 1985-05, Vol.46 (10), p.970-972 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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2
Lattice damage and atomic mixing induced by As++ implantation and thermal annealing in AlAs/GaAs multiple quantum-well structures
Lattice damage and atomic mixing induced by As++ implantation and thermal annealing in AlAs/GaAs multiple quantum-well structures
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Lattice damage and atomic mixing induced by As++ implantation and thermal annealing in AlAs/GaAs multiple quantum-well structures

Huang, D. ; Kallergi, M. ; Aubel, J. ; Sundaram, S. ; DeSalvo, G. ; Comas, J.

Journal of applied physics, 1991-10, Vol.70 (8), p.4181-4189 [Periódico revisado por pares]

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3
Negative differential resistance at 300 K in a superlattice quantum state transfer device
Negative differential resistance at 300 K in a superlattice quantum state transfer device
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Negative differential resistance at 300 K in a superlattice quantum state transfer device

KIRCHOEFER, S. W ; MAGNO, R ; COMAS, J

Applied physics letters, , Vol.44 (11), p.1054-1056 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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4
Study of ion-implantation damage in GaAs:Be and InP:Be using Raman scattering
Study of ion-implantation damage in GaAs:Be and InP:Be using Raman scattering
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of ion-implantation damage in GaAs:Be and InP:Be using Raman scattering

Rao, C. S. Rama ; Sundaram, S. ; Schmidt, R. L. ; Comas, J.

Journal of applied physics, 1983-01, Vol.54 (4), p.1808-1815 [Periódico revisado por pares]

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5
Redistribution of H and Be in GaAs/AlAs multilayer structures with post-implantation annealing
Redistribution of H and Be in GaAs/AlAs multilayer structures with post-implantation annealing
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Redistribution of H and Be in GaAs/AlAs multilayer structures with post-implantation annealing

ZAVADA, J. M ; WILSON, R. G ; COMAS, J

Journal of applied physics, 1989-03, Vol.65 (5), p.1968-1971 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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6
Interface sharpness during the initial stages of growth of thin, short‐period III–V superlattices
Interface sharpness during the initial stages of growth of thin, short‐period III–V superlattices
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Interface sharpness during the initial stages of growth of thin, short‐period III–V superlattices

Pellegrino, J. G. ; Qadri, S. B. ; Cotell, C. M. ; Amirtharaj, P. M. ; Nguyen, N. V. ; Comas, J.

Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 1993, Vol.11 (4), p.917-922 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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7
p - n junction formation in n -AlGaAs by beryllium ion implantation
p - n junction formation in n -AlGaAs by beryllium ion implantation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

p - n junction formation in n -AlGaAs by beryllium ion implantation

Comas, J. ; Bedair, S. M.

Applied physics letters, 1981-12, Vol.39 (12), p.989-991 [Periódico revisado por pares]

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8
Channeling and random equivalent depth distributions of 150 keV Li, Be, and B implanted in Si
Channeling and random equivalent depth distributions of 150 keV Li, Be, and B implanted in Si
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Channeling and random equivalent depth distributions of 150 keV Li, Be, and B implanted in Si

Comas, James ; Wilson, Robert G.

Journal of applied physics, 1980-07, Vol.51 (7), p.3697-3701 [Periódico revisado por pares]

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9
Unintentional indium incorporation in GaAs grown by molecular beam epitaxy
Unintentional indium incorporation in GaAs grown by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Unintentional indium incorporation in GaAs grown by molecular beam epitaxy

MYERS, D. R ; DAWSON, L. R ; KLEM, J. F ; BRENNAN, T. M ; HAMMONS, B. E ; SIMONS, D. S ; COMAS, J ; PELLEGRINO, J

Applied physics letters, 1990-11, Vol.57 (22), p.2321-2323 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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10
Atom and carrier depth distributions of beryllium implanted into silicon
Atom and carrier depth distributions of beryllium implanted into silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Atom and carrier depth distributions of beryllium implanted into silicon

Wilson, R. G. ; Comas, J.

Journal of applied physics, 1982-04, Vol.53 (4), p.3003-3009 [Periódico revisado por pares]

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