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Temperature- and Doping-Dependent Anisotropic Stationary Electron Velocity in Wurtzite GaN
Temperature- and Doping-Dependent Anisotropic Stationary Electron Velocity in Wurtzite GaN
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Temperature- and Doping-Dependent Anisotropic Stationary Electron Velocity in Wurtzite GaN

Sridharan, S. ; Christensen, A. ; Venkatachalam, A. ; Graham, S. ; Yoder, P. D.

IEEE electron device letters, 2011-11, Vol.32 (11), p.1522-1524 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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